КАБІНЕТ МІНІСТРІВ УКРАЇНИ
П О С Т А Н О В Авід 22 серпня 1996 р. N 1005
Київ
Про порядок контролю за експортом, імпортом ітранзитом окремих видів виробів, обладнання,
матеріалів, програмного забезпечення і
технологій, що можуть використовуватися для
створення озброєння, військової чи спеціальної
техніки
( Із змінами, внесеними згідно з Постановою КМN 482 ( 482-98-п ) від 10.04.98 )
З метою підвищення ефективності національної системи
експортного контролю, а також залучення сучасних виробів,
обладнання, матеріалів, програмного забезпечення і технологій,
необхідних для подальшого розвитку економіки, Кабінет Міністрів
України п о с т а н о в л я є:
1. Затвердити Положення про порядок контролю за експортом,
імпортом і транзитом окремих видів виробів, обладнання,
матеріалів, програмного забезпечення і технологій, що можуть
використовуватися для створення озброєння, військової чи
спеціальної техніки (додається).
2. Урядовій комісії з експортного контролю забезпечити
організацію контролю за експортом, імпортом і транзитом окремих
видів виробів, обладнання, матеріалів, програмного забезпечення і
технологій, що можуть використовуватися для створення озброєння,
військової чи спеціальної техніки.
3. Визнати такими, що втратили чинність, розділи "Метали і
мінерали", "Інші матеріали та комплектуючі", "Верстати та інше
обробне устаткування", "Електротехнічне та енергетичне
обладнання", "Спеціальне устаткування" та "Електроніка, електронні
системи, вироби приладобудування" Переліку видів сировини,
матеріалів, обладнання і технологій, які можуть використовуватися
для створення зброї, військової і спеціальної техніки, вивезення
яких за межі України може здійснюватися лише за спеціальним
дозволом, затвердженого постановою Кабінету Міністрів України від
4 березня 1993 р. N 159 ( 159-93-п ) "Про перелік видів сировини,
матеріалів, обладнання і технологій, вивезення яких за межі
України може здійснюватися лише за спеціальним дозволом".
Прем'єр-міністр України П.ЛАЗАРЕНКО
Інд.30
ЗАТВЕРДЖЕНОпостановою Кабінету Міністрів України
від 22 серпня 1996 р. N 1005
ПОЛОЖЕННЯпро порядок контролю за експортом, імпортом і транзитом
окремих видів виробів, обладнання, матеріалів, програмногозабезпечення і технологій, що можуть використовуватися
для створення озброєння, військової чи спеціальної техніки
I. Загальна частина
1. Це Положення визначає комплекс заходів, спрямованих на
забезпечення контролю за експортом (реекспортом) з України,
імпортом в Україну і транзитом через територію України товарів
подвійного використання, незалежно від умов поставки, характеру
угод, митного режиму та інших особливостей переміщення цих
товарів.
2. У цьому Положенні терміни вживаються в такому значенні: експорт - вивезення, передача чи пересилка товарів (майна) за
межі України, передача чи пересилка товарів (майна) у межах
України будь-яким юридичним або фізичним особам, які перебувають
під юрисдикцією інших держав; реекспорт - експорт товарів (майна), раніше імпортованих в
Україну; імпорт - отримання товарів (майна) від іноземних юридичних
або фізичних осіб та їх ввезення на територію України; транзит - переміщення товарів (майна) через територію України
без будь-якого використання на її території; тимчасове ввезення - ввезення на територію України товарів
(майна) на визначений термін за умови повернення їх на територію
експортера; тимчасове вивезення - вивезення з території України товарів
(майна) на визначений термін за умови повернення їх на територію
експортера; товари подвійного використання - окремі види виробів,
обладнання,матеріалів, програмного забезпечення і технологій (далі
- продукція),а також роботи і послуги, пов'язані з ними, які, крім
основного цивільного призначення, можуть бути використані під час
розроблення, виробництва або використання озброєння, військової чи
спеціальної техніки і є об'єктом купівлі-продажу або обміну
(оплатної передачі); майно - будь-яка продукція, у тому числі продукція, на яку
поширюються права інтелектуальної власності, роботи і послуги, не
призначені для оплатної передачі; робота - виконання в Україні або за її межами завдань щодо
розроблення, виробництва, використання продукції або організації
та проведення виставок, реклами тощо за замовленням іноземної
юридичної або фізичної особи (чи уповноваженої нею особи); послуги - надання в Україні або за її межами допомоги щодо
навчання, підвищення кваліфікації, практичного освоєння методів
роботи, консультацій тощо за замовленням іноземної юридичної або
фізичної особи (чи уповноваженої нею особи); вироби - комплекси, системи та засоби, а також комплектуючі
та запасні частини до них, включаючи агрегати, блоки, вузли,
прилади, апаратуру, макети тощо; обладнання - будь-які види технологічного оснащення,
включаючи шаблони, стенди, оправки, опоки, прес-форми, затискні
пристрої, пристрої для центрування тощо, спеціальне програмне
забезпечення, контрольно-випробувальне обладнання, інші прилади та
їх компоненти, спеціально спроектовані або модифіковані для
розроблення однієї чи більше стадій виробництва; програмне забезпечення - набір з однієї або більше програм чи
мікропрограм, зафіксованих на будь-якому носії; програма - послідовність команд для здійснення процесу, які
надаються в такій формі, що вона може бути виконана електронним
комп'ютером або може бути перетворена в таку форму; мікропрограма - послідовність елементарних команд, яка
зберігається у спеціальному запам'ятовувальному пристрої,
виконання її ініціюється введенням еталонних команд до регістру
команд; спеціальне програмне забезпечення - мінімальний обсяг
операційних і діагностичних систем, систем технічного
обслуговування та прикладних програм, якими повинно бути
укомплектовано конкретне обладнання, для того, щоб воно виконувало
призначені йому функції. Для виконання тієї ж функції на іншому,
несумісному обладнанні, необхідно модифікувати це програмне абезпечення або збільшити кількість програм;технологія - будь-який документ, який містить копії, плани,
діаграми моделі, формули, таблиці, звіти, технічні розрахунки,
технічні умови, керівництво для користувача, інструкції або інші
інформаційно-довідкові матеріали, що мають відомості, необхідні
для розроблення, виробництва або використання товарів, за
винятком:будь-якого документа із загальнодоступною інформацією або
такого, що належить до фундаментальних наукових досліджень;будь-якої заяви на одержання патенту (або будь-якої іншої
форми захисту винаходу чи корисної моделі) або заяви для
реєстрації промислового зразка та знаків для товарів і послуг, яка
оформляється відповідно до законодавства України або іншої країни
чи міжнародного договору;будь-якого документа, необхідного для
реєстрації,підготовки або оформлення зазначеної заяви; документ - будь-який носій або пристрій, за допомогою якого
інформація записується, обробляється або зберігається, включаючи:інформаційні матеріали, які надруковані або написані,
намальовані, накреслені чи вигравірувані;технічні засоби оброблення та/або зберігання інформації,
які мають енергонезалежні елементи пам'яті;будь-які магнітні носії (магнітні диски та стрічки усіх
видів, кінострічки, відеозаписи, платівки та інші звукозаписи,
кінота фотонегативи, відзняті плівки, фотознімки, кліше,
голограми, перфокарти, перфострічки тощо); фундаментальні наукові дослідження - експериментальні або
теоретичні роботи, які проводяться головним чином для набуття
нових знань у галузі фундаментальних законів, явищ або відомих
фактів і первісно не спрямовані на досягнення конкретної
практичної мети чи розв'язання конкретного завдання; розроблення - будь-яка діяльність чи стадія створення або
модернізації виробу, що передує його серійному виробництву і може
включати або бути пов'язаною з прикладними науковими
дослідженнями, вибором напрямів та проведенням теоретичних
(експериментальних) досліджень, ескізним (технічним) проектуванням
і макетуванням, проектно-пошуковими роботами та технологічним
проектуванням, створенням і виготовленням конструкторської
документації, виготовленням та проведенням випробувань дослідних
зразків, схемою виробництва, коригуванням конструкторської
документації або доопрацюванням дослідних зразків за результатами
випробувань; прикладні наукові дослідження - експериментальні або
теоретичні роботи, які проводяться з метою набуття нових знань про
принципи явищ або фактів, що спостерігаються і спрямовані, в першу
чергу, на досягнення конкретної практичної мети або розв'язання
конкретного завдання; виробництво - усі стадії процесу створення продукції, в тому
числі спорудження виробничих потужностей, впровадження технології,
виготовлення, комплектування, монтування (включаючи встановлення),
контроль за забезпеченням якості та випробування; використання - експлуатація, налагодження (включаючи монтаж
на місці експлуатації), перевірка та всі види технічного
обслуговування і ремонту; країна призначення - країна, відома на момент отримання
дозволу Урядової комісії з експортного контролю (далі - Комісія)
як країна кінцевого призначення товару.
3. Дія цього Положення поширюється на всі суб'єкти
підприємницької діяльності, що здійснюють будь-які види
зовнішньоекономічної діяльності з товарами подвійного
використання, включаючи зовнішню торгівлю, науково-технічне
співробітництво, спеціалізацію та кооперацію у галузі виробництва,
науки і техніки, демонстрацію експонатів на міжнародних виставках
та ярмарках, прибережну і прикордонну торгівлю, операції обміну,
виконання робіт, надання послуг тощо.
4. Товари, переміщення яких контролюється згідно з цим
Положенням, перелічено у Списку окремих видів виробів, обладнання,
матеріалів, програмного забезпечення і технологій, що можуть
використовуватися для створення озброєння, військової чи
спеціальної техніки (далі - Список), який додається. Найменування, технічні характеристики та коди Товарної
номенклатури зовнішньоекономічної діяльності товарів подвійного
використання, що включені до Списку, можуть уточнюватися Комісією
за поданням заінтересованих міністерств і відомств з наступним
затвердженням відповідних змін і доповнень до цього Списку
Кабінетом Міністрів України.
5. Експорт товарів подвійного використання, що містять
відомості, які становлять державну таємницю, здійснюється
відповідно до законодавства з питань охорони державної таємниці. Укладання суб'єктами підприємницької діяльності України
договорів (контрактів) щодо експорту, участі у міжнародних
виставках, розповсюдження рекламних проспектів зазначених товарів
здійснюється суб'єктами підприємницької діяльності за дозволом
Комісії.
6. Це Положення повною мірою застосовується під час
проведення зовнішньоекономічних операцій з майном.
II. Порядок здійснення контролю за переміщеннямтоварів подвійного використання
7. Контроль за переміщенням товарів подвійного використання
передбачає: здійснення зовнішньоекономічних операцій з товарами виключно
суб'єктами підприємницької діяльності, які одержали на це
відповідні повноваження; надання дозволу Комісією на здійснення експорту (реекспорту),
імпорту, транзиту та інших операцій з товарами; декларування та митне оформлення товарів; отримання (надання) у разі потреби відповідних гарантій щодо
кінцевого призначення та місця їх використання; здійснення контролю за їх використанням споживачами і у разі
потреби проведення перевірок на місцях заявленого використання або
перебування цих товарів; відповідальність за порушення встановленого порядку
здійснення операцій з товарами.
8. Повноваження на здійснення зовнішньоекономічних операцій з
товарами подвійного використання надається Комісією за поданням
Експертно-технічного комітету при Кабінеті Міністрів України (далі
- Комітет) суб'єктам підприємницької діяльності, які є
безпосередніми виробниками чи споживачами товару, або за їх
дорученням організаціямпосередникам, які отримали на це
повноваження у порядку, встановленому Кабінетом Міністрів України.
9. Переміщення окремих видів виробів, обладнання і
матеріалів, а також робіт і послуг, пов'язаних з ними,
здійснюється суб'єктами підприємницької діяльності на підставі
генеральних або разових дозволів Комісії. Переміщення окремих видів програмного забезпечення і
технологій, а також робіт і послуг, пов'язаних з ними,
здійснюється суб'єктами підприємницької діяльності за разовими
дозволами Комісії. На передачу програмного забезпечення або
технологій потрібний дозвіл Комісії незалежно від того, яким
способом вони переміщуються (передаються). Генеральні дозволи можуть надаватися будь-якому суб'єкту
підприємницької діяльності, який є безпосереднім виробником або
споживачем товарів подвійного використання і створив відповідні
умови, що забезпечують виконання вимог законодавства України. В інших випадках надаються разові дозволи.
10. Товари подвійного використання підлягають обов'язковому
декларуванню та пред'явленню для митного оформлення митним
установам незалежно від способів їх транспортування. Порядок їх декларування та митного оформлення визначається
Держмиткомом за погодженням з Комісією.
11. Міжнародні перевезення товарів подвійного використання
здійснюються у загальному порядку будь-яким видом транспорту.
Міжнародні перевезення здійснюються, як правило, одним видом
транспорту з урахуванням правил міжнародних конвенцій з морських,
авіаційних, автомобільних та інших видів перевезень. Порядок пересилки товарів подвійного використання
міжнародними поштовими посилками, бандеролями, письмовою
кореспонденцією та іншими засобами зв'язку встановлюється
Мінзв'язку, Мінпресінформом та Держмиткомом за погодженням з
Комісією.
12. Процедура отримання (надання) відповідних гарантій щодо
кінцевого призначення та місця використання товарів подвійного
використання передбачає надання імпортером експортеру: достовірних відомостей про кінцевого споживача, кінцеве
призначення та місце використання зазначених у договорі(контракті)
товарів; зобов'язань імпортувати товари тільки до заявленої країни
призначення, а якщо вони не будуть імпортовані до неї, то не
передавати їх до іншого місця призначення; зобов'язань не реекспортувати імпортовані товари до третіх
країн без дозволу органів експортного контролю країни-імпортера
(призначення). Необхідні зобов'язання (гарантії) можуть бути надані у
вигляді імпортного сертифіката, сертифіката кінцевого споживача чи
іншого документа, що містить їх. Порядок оформлення цих документів визначається законодавством
країни-імпортера (призначення).
13. Сертифікат кінцевого споживача оформляється кінцевим
споживачем товару, як правило, за встановленою формою і містить,
як мінімум, відомості про: реєстраційний номер та дату видачі; споживача товару (повна назва, адреса, сфера діяльності); експортера товару (повна назва, адреса); найменування і повний опис товару із зазначенням коду за ТН ЗЕД; кількість товару та його одиницю виміру; місце установки та/або використання товару; кінцеве призначення товару, а також гарантії про те, що товар
буде використано виключно із заявленою метою і не буде
передаватися в інші місця використання без письмової згоди на це
органу експортного контролю країни призначення. Сертифікат підписується керівником і скріплюється печаткою
підприємства, установи, організації, що його видала.
14. Імпортний сертифікат (або його аналог) оформляється
імпортером в уповноваженому на це органі країни - імпортера
(призначення) і містить, як правило, відомості про: реєстраційний номер та дату видачі; імпортера (повна назва, адреса); експортера (повна назва, адреса); найменування і повний опис товару із зазначенням коду за ТН ЗЕД; кількість товару та його одиницю виміру; а також гарантії про те, що зобов'язання, які прийняв на себе
імпортер стосовно країни призначення та нереекспорту товару в
треті країни, перебуватимуть під його контролем і у разі потреби
сертифікат підтвердження доставки буде надано органам експортного
контролю країни-експортера; Сертифікат підписується керівником і скріплюється печаткою
органу державної влади, що його видав.
15. Якщо імпортером і кінцевим споживачем є одна юридична
особа, сертифікат кінцевого споживача може не оформлятися, а його
положення можуть бути включені імпортером до тексту договору
(контракту).
16. У разі коли імпортер не є суб'єктом підприємницької
діяльності країни призначення, експортер повинен отримати від
нього документи, що підтверджують: зобов'язання імпортера про те, що імпортований товар буде
використано виключно із заявленою метою і не буде копіюватися,
видозмінюватися, модернізуватися, а також передаватися чи
реекспортуватися іншому споживачу без письмової згоди на це
органів експортного контролю країни-експортера; гарантії державного органу країни-імпортера, який має на це
відповідні повноваження, що виконання зобов'язань стосовно
кінцевого призначення, місця використання та вжиття заходів щодо
запобігання несанкціонованому реекспорту, які прийняв на себе
імпортер, перебуватиме під його контролем і право перевірки їх
виконання може бути надано представникам країни-експортера за
участю компетентних органів країни-імпортера.
17. Порядок здійснення контролю за використанням
експортованих (імпортованих) товарів подвійного використання
кінцевими споживачами та проведення перевірок на місцях
використання або перебування таких товарів установлюється
відповідним Положенням, що затверджується Кабінетом Міністрів
України.
18. Відповідальність за збір інформації щодо надійності
імпортера, наявність у нього відповідних повноважень, отримання
достовірних відомостей про кінцевого споживача, кінцеве
призначення і місце використання товару, що експортується, а також
отримання оригіналів сертифіката кінцевого споживача, імпортного
сертифіката, а у разі потреби й інших документів, які дають змогу
отримати необхідні зобов'язання (гарантії) та однозначно визначити
кінцевого споживача, мету і місце використання товару, несе
експортер у порядку, встановленому законодавством України.
III. Порядок експорту (реекспорту) з України товарівподвійного використання
19. Експорт (реекспорт) з України зазначених у Списку товарів
здійснюється суб'єктами підприємницької діяльності (далі -
експортерами) за умови одержання разового або генерального дозволу
Комісії, а у випадках, передбачених пунктом 29 цього Положення, за
висновком Комітету.
20. Дозвіл Комісії на передачу виробів або обладнання
одночасно санкціонує передачу зазначеним у ньому імпортеру та
кінцевому споживачу мінімального обсягу програмного забезпечення і
технології, які необхідні для його використання.
21. Для одержання разового дозволу експортер надсилає Комісії
лист із стислим викладенням підстави та мети звернення, до якого
додає: заяву на одержання дозволу за типовою формою, що
затверджується Комітетом; нотаріально засвідчену копію свідоцтва про державну
реєстрацію експортера; завірену в установленому порядку копію зовнішньоекономічного
договору (контракту) на експорт (реекспорт) зазначених у заяві
товарів до країни призначення (включаючи завірену копію договору
комісії, доручення тощо, якщо експортером є
організація-посередник); сертифікат походження товару; оригінали документів, які встановлюють зобов'язання та
гарантії імпортера (кінцевого споживача) товару стосовно кінцевого
призначення та місця його використання; довідки, які містять повне найменування, стислий опис,
відомості про призначення ( із зазначенням кінцевого комплексу чи
виробу, основну та можливу сферу використання, а також
комплектність (варіанти) поставки кожного об'єкта, що
експортується (для матеріалів - сертифікат якості).
22. У разі потреби за рішенням Комітету оформлюються висновки
відповідних органів державної виконавчої влади стосовно можливості
та умов здійснення експорту. Експортер має право попередньо
узгодити умови експорту з відповідним міністерством чи відомством.
23. Для одержання генерального дозволу експортер надсилає
Комісії лист із стислим викладенням підстави та мети звернення, до
якого додає: заяву на одержання дозволу за типовою формою, що
затверджується Комітетом; нотаріально засвідчену копію свідоцтва про державну
реєстрацію експортера; перелік укладених з іноземними замовниками договорів
(контрактів), план експорту продукції на поточний рік або витяг з
переліку продукції, що поставлятиметься відповідно до міжнародних
договорів України, з обов'язковим зазначенням повного опису
товару, його коду за ТН ЗЕД, одиниці виміру, кількості, ймовірного
імпортера та кінцевого споживача товару ( країна, повна назва
підприємства, поштовий індекс, адреса, телефон керівника); копію наказу по підприємству (організації) про призначення
посадових осіб і створення умов, необхідних для безумовного
виконання ними вимог цього Положення; гарантійний лист (за довільною формою) про отримання від
імпортерів оригіналів документів щодо кожної реалізації
генерального дозволу, які встановлюють зобов'язання (гарантії)
імпортера (кінцевого споживача) стосовно кінцевого призначення та
місця використання товарів; довідки, які містять повне найменування, стислий опис,
відомості про призначення ( із зазначенням кінцевого комплексу чи
виробу, основну та можливу сферу використання, а також
комплектність (варіанти) поставки кожного об'єкта, що
експортується (для матеріалів - сертифікат якості).
24. Експортери, укладаючи договори (контракти) на експорт
товарів, включених до Списку, обов'язково зазначають кінцевого
споживача, кінцеве призначення та місце використання товарів, а
також зобов'язання (гарантії) імпортера, що ці товари будуть
передані тільки заявленому кінцевому споживачеві без копіювання,
видозмінення чи модернізації та не будуть передаватися
(реекспортуватися) іншому споживачеві без письмової згоди на це
експортера та органів експортного контролю України.
25. Експортер зобов'язаний оформлювати міжнародні договори
(контракти) відповідно до вимог законодавства України та
міжнародних правил торгівлі, а також зазначати у них: згоду імпортера, якщо він є кінцевим споживачем, на право
експортера здійснювати у разі потреби перевірку (за участю
компетентних органів України та країни-імпортера) використання
експортованих товарів відповідно до заявленої мети і місця; те, що договір (контракт) набуває чинності після отримання
експортером (імпортером) необхідних дозволів (ліцензій)
відповідних органів експортного контролю.
26. Необхідні гарантії щодо кінцевого призначення, місця
використання та нереекспорту в треті країни отримуються
експортером від імпортера у вигляді документів, оформлених
відповідно до вимог, передбачених пунктами 12 - 16 цього
Положення. Перелік зазначених документів може уточнюватися Комітетом під
час проведення експертизи з урахуванням категорії товару,
відомостей про імпортера та кінцевого споживача.
27. До заяви на отримання дозволу на експорт програмного
забезпечення і технологій, крім документів, передбачених пунктом
21 цього Положення, додаються два примірники повного змісту
програмного забезпечення і технологій та документи, які
підтверджують факт відсутності чи наявності у їх змісті
відомостей, що становлять державну таємницю. Ці документи
оформляються згідно з вимогами законодавства України і подаються у
двох примірниках.
28. Реекспорт товарів, включених до Списку, здійснюється
згідно з порядком, передбаченим цим Положенням для експорту таких
товарів. При цьому, крім зазначених, експортером подаються
документи, які підтверджують відсутність обмежень на реекспорт з
боку постачальника (країни-експортера) цих товарів в Україну.
29. Для отримання дозволу на тимчасове вивезення
(пересилання) товарів з метою демонстрування (реклами) на
виставках, ярмарках, проведення випробувань, сертифікації,
виконання ремонту тощо, яке не передбачає переходу права
власності, експортер надсилає Комітету лист із стислим викладенням
підстави та мети звернення, до якого додає:
запрошення організаторів виставки (ярмарку) із зазначенням
відомостей про її найменування, місце і термін експонування
товарів або договір (контракт) на проведення робіт з випробування,
сертифікації тощо; зобов'язання (гарантії) імпортера (кінцевого споживача) щодо
повернення експонатів у визначений термін без змін їх кількісних
та якісних характеристик; документ, що містить повний опис товару та його код за ТН ЗЕД; документ, що підтверджує заставну вартість товару.
30. Тимчасове вивезення товарів за угодами, які передбачають
перехід права власності, здійснюється на підставі дозволу Комісії.
31. Усі документи, що подаються Комісії, мають бути складені
державною мовою. До документів, складених іноземною мовою,
обов'язково додаються їх офіційні переклади.
IV. Порядок імпорту в Україну товарів подвійного використання
32. Ввезення на митну територію України товарів, включених до
Списку, за винятком тих, які позначені зірочкою (*), здійснюється
без дозволу Комісії в порядку, встановленому законодавством
України. Ввезення товарів, які у Списку позначені зірочкою,
здійснюється на підставі генерального або разового дозволу
Комісії, а у випадках, передбачених пунктом 37 цього Положення, за
висновком Комітету.
33. Для одержання дозволу на ввезення товару імпортер
надсилає Комісії лист із стислим викладенням підстави та мети
звернення, до якого додає: заяву на одержання дозволу за типовою формою, що
затверджується Комітетом; нотаріально засвідчену копію свідоцтва про державну
реєстрацію імпортера; завірену в установленому порядку копію зовнішньоекономічного
договору (контракту) на передачу товарів, що імпортуються,
українському імпортеру (якщо він є кінцевим споживачем); завірену копію договору комісії, доручення, якщо імпортером є
організація-посередник; сертифікат походження товару; сертифікат кінцевого споживача товару, оформлений українським
споживачем за встановленою формою; завірені копії ліцензій, наданих імпортеру (кінцевому
споживачеві) на право займатися відповідною діяльністю, пов'язаною
із заявленими до імпорту товарами, а саме: придбанням,
розробленням, виробництвом, використанням або реалізацією, якщо
така діяльність підлягає ліцензуванню; довідки, які містять повне найменування, стислий опис,
відомості про призначення (із зазначенням кінцевого комплексу чи
виробу), основну та можливу сферу використання, а також
комплектність (варіанти) поставки, основні тактико-технічні
характеристики кожного об'єкта, що імпортується (для матеріалів -
сертифікат якості).
34. Погодження з відповідними органами державної влади умов
імпорту (включаючи тимчасове ввезення) та використання
(реалізації) зазначених у заяві товарів здійснюється у разі
потреби за рішенням Комітету. чмпортер має право попередньо
узгодити умови імпорту та/або використання (реалізації) товарів,
що імпортуються, з відповідними міністерствами чи відомствами.
35. Якщо імпортер подає заяву про отримання генерального
дозволу, замість копій договорів (контрактів) може подаватися їх
перелік або план імпорту чи витяг з переліку продукції, що
поставлятиметься відповідно до міжнародних договорів України, з
обов'язковим зазначенням повного опису товару, його коду за ТН
ЗЕД, одиниці виміру, кількості.
36. На запит іноземного експортера гарантії Уряду України
щодо вжиття заходів до запобігання несанкціонованому реекспорту
надаються Комісією за поданням Комітету і оформляються у вигляді
імпортного сертифіката України або іншого документа, який містить
необхідні гарантії (зобов'язання).
37. Для отримання дозволу на тимчасове ввезення товарів за
характером угод, які не передбачають переходу права власності
(демонстрування (реклама) на виставках, ярмарках або проведення
випробувань, виконання ремонту тощо), імпортер надсилає Комітету
лист із стислим викладенням підстави та мети звернення, до якого
додає: запрошення організаторів виставки (ярмарку) із зазначенням
відомостей про її найменування, місце і термін експонування
товарів або договір (контракт) на проведення робіт з випробування,
сертифікації тощо; завірені копії ліцензій, наданих імпортеру (кінцевому
споживачеві) на право займатися відповідною діяльністю, пов'язаною
із заявленими до імпорту товарами, а саме: придбанням,
розробленням, виробництвом, використанням або реалізацією, якщо
така діяльність підлягає ліцензуванню; погоджені з відповідним органом державної виконавчої влади
умови тимчасового використання зазначених у заяві товарів; документ, що містить повне найменування та стислий опис
товару із зазначенням коду за ТН ЗЕД.
38. Тимчасове ввезення товарів за характером угод, які
передбачають перехід права власності (купівля-продаж, обмін тощо),
здійснюється на підставі дозволу Комісії.
V. Порядок транзиту через територію Українитоварів подвійного використання
39. Транзитні перевезення іноземних товарів через територію
України здійснюються без дозволу Комісії у загальному порядку,
встановленому законодавством України, за винятком тих, що прямують
до країн призначення, стосовно яких встановлено санкції Ради
Безпеки ООН або інші обмеження відповідно до законодавства
України. Транзит іноземних товарів через територію України у
зазначених випадках здійснюється за дозволом Комісії, якщо інше не
передбачено законодавством України. 40. Для отримання дозволу на транзит експортер зарубіжної
країни надсилає Комісії лист із стислим викладенням підстави та
мети звернення, до якого додає: заяву на одержання дозволу за типовою формою, що
затверджується Комітетом; завірену копію експортної ліцензії (дозволу)
країни-експортера товару; переліки товарів, які передбачається перевозити через
територію України. Переліки складаються у трьох примірниках за встановленою
Комітетом формою з обов'язковим зазначенням найменування і повного
опису товару, його коду за ТН ЗЕД, одиниці виміру та кількості.
VI. Порядок розгляду заяв, оформлення та видачі дозволів
41. Розгляд заяв на отримання дозволу Комісії здійснюється
Комітетом із залученням інших компетентних органів чи організацій
після надання заявником повного комплекту документів. У разі потреби від заявника може вимагатися додаткова
інформація, що дасть змогу прийняти обгрунтоване рішення за заявою
або підтвердить достовірність наданих відомостей. Заявник має право додавати до заяви інші документи, що дадуть
змогу підготувати обгрунтовані висновки експертизи. Порядок розгляду матеріалів заяв Комітетом, міністерствами,
відомствами або організаціями, які залучаються до проведення
експертизи, встановлюється Комісією.
42. Рішення про надання або відмову в наданні дозволу на
переміщення товарів подвійного використання приймається Комісією
на підставі розгляду результатів експертизи. Наявність у заявника договору (контракту) не може бути
підставою для обов'язкової видачі дозволу або позитивного
висновку.
43. У видачі дозволу Комісії (позитивного висновку Комітету)
може бути відмовлено у разі: неподання документів, зазначених у цьому Положенні,
неправильного їх оформлення або їх підроблення; встановлення фактів порушення українськими чи іноземними
суб'єктами підприємницької діяльності умов або правил здійснення
вивезення чи ввезення товарів, щодо яких встановлено режим
контролю; виникнення обставин, що можуть заподіяти шкоду інтересам
України в галузі оборони, економіки, зовнішніх відносин, державної
безпеки або таких,які виникають за зобов'язаннями України
відповідно до міжнародних угод; відсутності у заявника повноважень та/або ліцензії на право
здійснення відповідного виду діяльності, якщо така діяльність
підлягає ліцензуванню згідно із законодавством; несвоєчасного подання звіту про реалізацію попередньо наданих
дозволів. Рішення Комісії про відмову в наданні дозволу доводяться до
заявника листом Комітету з викладенням підстав відмови.
44. Термін прийняття рішення про надання чи відмову в наданні
дозволу або висновку щодо тимчасового вивезення (ввезення) товарів
з урахуванням термінів підготовки висновків міністерствами і
відомствами, які залучаються для проведення експертизи, становить
до 30 робочих днів від часу надходження до Комітету повного
комплекту документів, необхідних для проведення експертизи. Цей термін може бути продовжено до 45 робочих днів, якщо за
рішенням Комітету до проведення експертизи залучаються державні
експерти з питань державної таємниці. За рішенням Комісії для проведення додаткової експертизи та
прийняття обгрунтованого рішення термін розгляду заяви може бути
продовжено до 90 днів.
45. Порядок оформлення та використання дозволів розробляється
Комітетом разом з Держмиткомом та затверджується Комісією.
VII. Здійснення контролю за використанням дозволів
46. Загальний контроль за використанням дозволів Комісії
забезпечується Комітетом із залученням відповідних органів
державної виконавчої влади у порядку, що затверджується Комісією. Перевірка виконання імпортером (споживачем) зобов'язань щодо
кінцевого призначення та місця використання товарів подвійного
використання може здійснюватися експортером та/або Комітетом разом
з компетентними органами України та країни-імпортера
(призначення).
47. З метою ведення обліку використання виданих Комісією
дозволів суб'єкти підприємницької діяльності України, які отримали
дозвіл на експорт, імпорт чи транзит продукції (робіт і послуг), в
15-денний термін від дати його повної реалізації або закінчення
терміну дії зобов'язані надіслати Комітетові письмовий звіт про
його реалізацію. Звіт подається Комітетові у довільній формі з обов'язковим
зазначенням відомостей про дату, країну, товар, вартість та обсяги
його реалізації. До звіту додаються копії вантажних митних
декларацій, належним чином завірені митним органом, що прийняв до
реалізації відповідний дозвіл. До звіту про використання генеральних дозволів, якщо це
визначено в його особливих умовах, експортери (імпортери) додають
оригінали документів, які встановлюють зобов'язання (гарантії)
імпортера (кінцевого споживача) товару стосовно кінцевого
призначення та місця його використання. В окремих випадках за рішенням Комісії може бути встановлено
інший режим контролю, ніж зазначений у цьому розділі. Якщо Комісією встановлено режим контролю за етапами
використання дозволу, інформація повинна надаватися у зазначені в
ньому терміни. У разі несвоєчасного подання такої інформації Комісія вживає
відповідних заходів.
VIII. Порядок зупинення (скасування) дії дозволів
48. При скасуванні державної реєстрації суб'єкта
підприємницької діяльності виданий дозвіл втрачає чинність. У разі реорганізації або зміни назви юридичної особи суб'єкт
підприємницької діяльності повинен у 15-денний термін подати до
Комітету заяву на переоформлення дозволу. Якщо дозвіл було
частково використано, до заяви додається письмовий звіт про його
реалізацію.
49. У разі втрати дозволу дублікат не видається.
50. У разі порушення українським та/або іноземним суб'єктом
підприємницької діяльності умов або правил переміщення товарів
подвійного використання, зазначених у дозволі, а також виникнення
обставин, що призводять до заподіяння шкоди інтересам національної
безпеки України, або таких, які виникають за зобов'язаннями
України відповідно до міжнародних угод, Комісія може тимчасово
зупинити дію наданого дозволу або скасувати його. Держмитком за поданням Комітету негайно вживає заходів до
виконання рішення Комісії.
51. Рішення Комісії про відмову у видачі дозволу, зупинення
його дії чи скасування може бути оскаржено суб'єктом
підприємницької діяльності у порядку, встановленому
законодавством.
IX. Відповідальність суб'єктів підприємницької діяльностіза порушення режиму експортного контролю
52. Особи, які порушили встановлений порядок контролю за
переміщенням окремих видів виробів, обладнання, матеріалів,
програмного забезпечення і технологій, що можуть використовуватися
для створення озброєння, військової чи спеціальної техніки, несуть
відповідальність згідно із законодавством України.
Д О Д А Т О Кдо Положення про порядок контролю за експортом,
імпортом і транзитом окремих видів виробів,
обладнання,матеріалів,програмного забезпечення
і технологій, що можуть використовуватися для
створення озброєння, військової чи спеціальної
техніки, затвердженого постановою Кабінету
Міністрів України від 22 серпня 1996 р. N 1005
СПИСОКокремих видів виробів, обладнання, матеріалів,
програмного забезпечення і технологій, що можуть
використовуватися для створення озброєння, військової
чи спеціальної техніки
Київ - 1996
—————————————————————————————————————————————————————————————————— Номер | Найменування | Код позиції | |ТН ЗЕД ————————————————————————————————————————————————————————————————— РОЗДІЛ 1. МАТЕРІАЛИ
1.1. Металеві сплави, порошки для металевихсплавів та сплавлених матеріалів римітки:
1. До металевих сплавів належать ті, які міс-
тять більший відсоток (за масою) зазначеного
металу, ніж інших елементів, за винятком
сплавів, що містять 2 чи більше відсотків
дорогоцінних металів.
2. Металеві сплави, порошки металевих сплавів
чи сплавлені матеріали, призначені для пок-
риттів, експортному контролю не підлягають.
1.1.1. Алюмініди нікелю чи титану у вигляді сирови-ни чи напівфабрикатів .1.1.1. Алюмініди з вмістом алюмінію 10 чи більше 750220000
відсотків (за масою) .1.1.2. Алюмініди з вмістом титану, які містять 12 810810100
чи більше відсотків алюмінію (за масою)
1.1.2. Металеві сплави, виготовлені з порошковогометалічного сплаву або ті, що мають вкрап-
лення матеріалів, зазначених у пункті 1.1.8. .1.2.1. Нікелеві сплави: 750220000
з межею тривалої міцності 550 МПа (55
кгс/кв.мм) при температурі 923 К (650гр.C)
за 10000 год. та більше; або
з малоцикловою витривалістю при макси-
мальній напрузі 700 МПа (70 кгс/кв.мм) на
базі 10000 циклів і більше при температурі
823 К (550гр.C) .1.2.2. Ніобієві сплави: 811291310
з межею тривалої міцності 400 МПа (40 811299300
кгс/кв.мм) при температурі 1073 К (800гр.C)
за 10000 год. та більше; або
з малоцикловою витривалістю при максималь-
ній напрузі 700 МПа (70 кгс/кв.мм) на базі
10000 циклів і більше при температурі
973 К (700гр.C) .1.2.3. Титанові сплави: 810810100
з межею тривалої міцності 200 МПа
(20 кгс/кв.мм) при температурі 723 К
(450гр.C) за 10000 год. та більше; або
з малоцикловою витривалістю при максималь-
ній напрузі 400 МПа (40 кгс/кв.мм) на базі
10000 циклів та більше при температурі
723 К (4500С); .1.2.4. Алюмінієві сплави з межею тривалої міцності: 760120
240 МПа (24 кгс/кв.мм) і більше при темпе-
ратурі 473 К (200гр.C); або
415 МПа (41,5 кгс/кв.мм) і більше при тем-
пературі 298 К (25гр.C) .1.2.5. Магнієві сплави з межею тривалої міцності 8104
240 МПа (24 кгс/кв.мм) та більше і швидкістю
корозії менше 1 мм на рік у 3-відсотковому
водному розчині хлориду натрію
1.1.3. Титанові сплави (в тому числі вторинні) з 810810100межею тривалої міцності вище 1200 МПа
(120 кгс/кв.мм) та межею повзучості вище
150 МПа (15 кгс/кв.мм) при температурі 873 К
(600гр.C)
1.1.4. Алюміній-літієві сплави (в тому числі ті,якімістять скандій) з вмістом літію вище 6
відсотків або скандію вище 3 відсотків .1.4.1. Системи алюміній-магній-літій (скандій), які 760120
мають такі характеристики: 760421000
густину менше 2,47 г/куб.см; 760429
модуль пружності більше 78000 МПа 760612
(7800 кгс/кв.мм); 760692000
питому міцність вище 19 км .1.4.2. Системи алюміній-мідь-магній-літій (скандій), 760120
які мають такі характеристики: 760421000
густину менше 2,56 г/куб.см; 760429
модуль пружності більше 80000 МПа 760612
(8000 кгс/кв.мм); 760692000
питому міцність вище 19 км .1.4.3. Системи алюміній-мідь-літій (скандій), які 760120
мають такі характеристики: 760421000
густину менше 2,6 г/куб.см; 760429
модуль пружності більше 80000 МПа 760612
(8000 кгс/кв.мм); 760692000
питому міцність вище 22 км .1.4.4. Системи алюміній-мідь-літій (скандій), які 760120
мають такі характеристики: 760421000
густину менше 2,4 г/куб.см; 760429
модуль пружності більше 80000 МПа 760612
(8000 кгс/кв.мм); 760692000
питому міцність вище 20 км
1.1.5. Магнієві сплави, що деформуються (в тому 8104числі гранульовані), з межею тривалої
міцності вище 350 МПа (35 кгс/кв.мм)
1.1.6. Ливарні магнієві сплави з межею тривалої 8104міцності 280 МПа (28 кгс/кв.мм) при темпера-
турі більше ніж 523 К (250гр.C)
1.1.7. Ураново-титанові сплави або вольфрамові спла- 284410000ви з матрицею на основі заліза, нікелю чи 810810100
міді: 810199000
з густиною вище 17,5 г/куб.см;
з межею пружності вище 1250 МПа
(125 кгс/кв.мм);
—————————— Продукція, імпорт якої здійснюється за дозволом Комісії.з межею міцності на розрив вище 1270 МПа;
з відносним видовженням вище 8 відсотків
Примітка. Ураново-титанові сплави, що містять більше0,7 відсотка вагового відсотка ізотопу ура-
ну-235, розглядаються до експорту (імпорту)
за умови наявності у суб'єкта підприємниць-
кої діяльності дозволу (ліцензії) на право
займатися діяльністю, пов'язаною з викорис-
танням ядерних матеріалів та радіоактивних
джерел іонізуючого випромінювання.
1.1.8. Порошки металевих сплавів або гранули, щовводяться до матеріалів, зазначених у пунк-
тах 1.1.1.- 1.1.2., які одержані у середо-
вищі, що контролюється за допомогою одного з
таких процесів:
розпилення у вакуумі;
газоцівкове або відцентрове розпилення;
спінінгування;
розплавлення з обертанням і кристалізація;
екстракція розплаву;
механічне легування
і виготовлені з будь-якої такої композиції: .1.8.1. Нікелеві сплави (Ni-Al-X, Ni-X-Al), призна- 750400000
чені для використання у складі частин чи
компонентів турбін двигунів, з менше, ніж
трьома неметалевими частками (введеними у
процесі виготовлення), більшими за 100 мкм в
10 частках сплаву .1.8.2. Ніобійові сплави (Nb-Al-X або Nb-X-Al, 811291310
Nb-Si-X або Nb-X-Si, Nb-Ti-X або Nb-X-Ti) 811299300
1.1.8.3. Титанові сплави (Ti-Al-X або Ti-X-Al) 810810100
1.1.8.4. Алюмінієві сплави (Al-Mg-X або Al-X-Mg, 7603Al-Zn-X або Al-X-Zn, Al-Fe-X або Al-X-Fe) .1.8.5. Магнієві сплави (Mg-Al-X або Mg-X-Al) 810430000
Примітка. X — показник рівності вмісту у сплаві одногоабо більше складових елементів (домішок).
1.1.9. Сплавлені матеріали у вигляді неподріблених 750300900гранул, стружки чи тонких стержнів, які ви- 750400000
готовляються у середовищі, що контролюється 750512000
методом спінінгування, розплавлення з обер- 760200100
танням чи екстракції розплаву, які викорис- 760320000
товують під час виробництва порошку для ме- 760429100
талевих сплавів або гранул, що вводяться, на 760429100
які накладено обмеження, зазначені у пункті 810430000
1.1.8. 810490100
810810100
810810900
810890300
811291310
811291390
811299300
1.1.10. Магнітні матеріали усіх типів та будь-якоїформи .1.10.1. Матеріали з початковою відносною магнітною 850511000
проникливістю 120000 або більше і завтовшки 850519
0,05 мм або менше 850519100
850519900
Примітка. Вимірювання початкової відносної магнітноїпроникливості повинно здійснюватися на
повністю обпалених матеріалах.
1.1.10.2. Магнітострикційні сплави з магнітнострик- 720690000ційним насиченням більше 5*10 в ступ.(-4) .1.10.3. Магнітострикційні сплави з коефіцієнтом - 720690000
магнітомеханічного зчеплення більше 0,8 .1.10.4. Аморфна стружка сплаву, що містить, як міні- 7206
мум, 75 відсотків (за масою) заліза, кобаль- 750400000
ту чи нікелю, з магнітною індукцією насичен- 8105
ня не менше 1,6 Т, товщиною стружки не біль-
ше 0,02 мм і питомим електричним опором не
менше 2*10 в ступ.(-4) Ом/см
1.1.11. Відходи і брухт мідні: 7404рафінованої міді 7404 00 100
сплавів мідних:
мідно-цинкових (латуні) 7404 00 910
інших 7404 00 990
Відходи і брухт нікелеві: 7503
з нікелю нелегованого 7503 00 100
з нікелевих сплавів 7503 00 900
Відходи і брухт алюмінієві: 7602
відходи:
токарні ошурки, обрізки, ламана 7602 00 110
ошурка, відходи фрезерного вироб-
ництва, ошурки і відходи від обрізки;
відходи пофарбованих, покритих
або скріплених листів і фольги
завтовшки (не рахуючи основи) не
більш як 0,2 мм
інші (включаючи забраковані
вироби) 7602 00 190
брухт 7602 00 900
Відходи і брухт свинцеві: 7802
від акумуляторів 7802 00 100
інші 7802 00 900
Відходи і брухт цинкові 7902 00 000
Відходи і брухт олов'яні 8002 00 000 Пункт 1.1 розділу 1 доповнено підпунктом 1.1.11 згідно з
Постановою КМ N 482 ( 482-98-п ) від 10.04.98 )
1.2. Полімери, пластичні маси, хімічніволокна та нитки, каучуки та вироби з них
1.2.1. Полімерні речовини
1.2.1.1. Бісмалеімід 292519900
1.2.1.2. Сіль СГ (гексаметилендіамінсебацинат) 292122000
1.2.1.3. Поліамід - 12 390810000
1.2.1.4. Діангідрид діфенілоксидкарбонової кислоти 291739900
1.2.1.5. Арилокси з термостійкістю понад 573 К(300гр.C) 390720900
1.2.1.6. Поліпараксилилен 391190900
1.2.1.7. Полііміди 390930000
1.2.1.8. Ароматичні поліамід-іміди 390890000
1.2.1.9. Полібензимідазоли та матеріали на їх основі 391190900
1.2.1.10. Ароматичні полібензитіазоли та матеріали на 391190900їх основі .2.1.11. Ароматичні поліоксадіазоли та матеріали на їх 391190900
основі з термостійкістю понад 573 К (300гр.C) .2.1.12. Ароматичні поліхіноксаліни та матеріали на 391190900
їх основі .2.1.13. Ароматичні поліефіріміди, які мають темпера- 390720900
туру склування понад 503 К (230гр.C) 390791900
Примітка. Неплавкі порошки для формоутворення підтиском або підготовки форм, виготовлених з
матеріалів, зазначених у пунктах 1.2.1.1.,
1.2.1.3., 1.2.1.7., 1.2.1.8., 1.2.1.13.,
експортному контролю не підлягають. .2.1.14. Вироби із нефторованих полімерних речовин,
зазначених у пунктах 1.2.1.5. - 1.2.1.10.,
1.2.1.13., у вигляді плівки, листа, стрічки
чи смужки: .2.1.14.1. завтовшки понад 0,254 мм; 391990900
1.2.1.14.2. покриті вуглецем, графітом, металами чи 392099900магнітними речовинами .2.1.15. Термопластичні рідкокристаличні сополімери, 390791900
які мають температуру теплової деформації по-
над 523 К (250гр.C), виміряну під час наванта-
ження 1,82 Н/кв.мм, і утворені сполученням:
пара-фенілену, пара-пара-біфенілену чи 2,6
нафталіну;
метилу, третинного бутилу або феніл-замі-
щеного фенілену, біфенілену чи нафталіну з
будь-якою з таких кислот:
терефталевою;
6-гідрокси-2 нафтойною;
4-гідроксибензойною .2.1.16. Поліариленові ефірні кетони:
1.2.1.16.1. поліефіроефірокетон; 390791900
1.2.1.16.2. поліефірокетон-кетон; 390791900
1.2.1.16.3. поліефірокетон; 390791900
1.2.1.16.4. поліефірокетон ефірокетон-кетон 380791900
1.2.1.17. Поліаріленові кетони 390799000
1.2.1.18. Поліариленові сульфіди, де ариленова група 391190900є біфеніленом, трифеніленом чи їх комбінації .2.1.19. Полібіфеніленефірсульфон 391190900
1.2.1.20. Полімерні та малоорганічні матеріали-напів-фабрикати спеціального призначення: .2.1.20.1. полідіорганосилани (для виробництва карбі- 391000000
ду кремнію); .2.1.20.2. полісілазани (для виробництва нітриду крем- 391000000
нію); .2.1.20.3. полікарбосілазани (для виробництва керамі- 391000000
ки з кремнієвими, вуглецевими чи азотними
компонентами) .2.2. Фторомістні речовини
1.2.2.1. Необроблені сполуки фтору:
1.2.2.1.1. сополімери вініліденфториду, які містять 39046900075 відсотків чи більше бета-кристалічної
структури, одержаної без витягування; .2.2.1.2. фтористі поліаміди, які містять 30 відсот- 390469000
ків чи більше зв'язаного фтору; .2.2.1.3. фтористі фосфазенові еластоміри, які міс- 390469000
тять 30 відсотків чи більше зв'язаного
фтору .2.2.2. Ущільнення, прокладки, ущільнювальні мате- 391990900
ріали або трубчасті (порожнисті) ущільнення,
виготовлені більше ніж на 50 відсотків з ма-
теріалу, зазначеного у пунктах 1.2.2.1.2. та
1.2.2.1.3. і призначені для використання в
авіаційній промисловості чи аерокосмічній
техніці; .2.2.3. Ущільнення, прокладки, сідла клапанів, труб- 391990900
часті ущільнення чи діафрагми, виготовлені
з фтореластомерів, які містять щонайменше
один вініловий мономер і призначені для
авіаційної, аерокосмічної чи ракетної
техніки; .2.2.4. П'єзоелектричні полімери та сополімери, виго- 390799000
товлені з фтористого вінілідену у вигляді
плівки чи листа завтовшки більше 200 мкм
1.2.3. Електропровідні полімерні матеріали з пито-мою електричною провідністю вище 10 сіменс/м
чи поверхневим опором менше 10 Ом/кв.м, ви-
роблені на основі таких полімерів .2.3.1. Поліаніліну 390930000
1.2.3.2. Поліпіролу 391190900
1.2.3.3. Політіофену 391190900
1.2.3.4. Поліфенілен-вінілену 391190900
1.2.3.5. Політіофенілен-вінілену 391190900
1.2.4. Матеріали вуглецеві з поліакрилонітрилових 550130000волокон з характеристиками за сукупністю: 551521900
міцність під час розтягування більше
350 кгс/кв.мм;
модуль пружності більше 35000 кгс/кв. мм
1.2.5. Волокно, нитки, джгути органічні, тканини з 540239900них 550190000
550251110
550310110
550310900
551512900
1.2.6. Волокно та нитки комплексні "АРІМІД", ткани- 540239900ни з них 550310110
551512900
1.2.7. Волокнисті та ниткоподібні матеріали наоснові .2.7.1. Поліефірімідів, зазначених у пункті 1.2.1.13. 540249990
550190000
550390900
1.2.7.2. Матеріалів, зазначених у пункті 1.2.1. 540224990550190900
550390900
1.2.8. Каучуки фторсилаксанові, працездатні при 400299900температурах нижче 213 К (-60гр.C) або вище
473 К (200гр.C)
1.2.9. Герметики на основі рідкого тіоколу, праце- 400299900здатні при температурах нижче 213 К (-60гр.C)400599000
та вище 423 К (150 гр.C)
1.2.10. Герметики кремнійорганічні, працездатні при 400299900температурах нижче 213 К (-60гр.C) та вище 400599900
523 К (250гр.C)
1.3. Композиційні та керамічні матеріали
1.3.1. Ниткоподібні кристали та безперервні волокна 284920000карбіду кремнію
1.3.2. Ниткоподібні кристали та безперервні волокна 281820000оксиду алюмінію
1.3.3. Матеріали на керамічній основі, некомпозицій-ні керамічні матеріали, матеріали типу ком-
позит з керамічною матрицею, а також їх
напівфабрикати .3.3.1. Базові матеріали з простих або складних 285000900
боридів титану, які містять металеві доміш-
ки (крім спеціальних домішок), на рівні менше
5000 частинок на мільйон при середньому роз-
мірі частинки, рівному чи меншому 5 мкм
(при цьому не більше 10 відсотків частинок з
розміром більше 10 мкм) .3.3.2. Некомпозиційні керамічні матеріали у вигляді 285000900
сирих напівфабрикатів (крім абразивів) на
основі боридів титану з густиною 98 відсот-
ків чи більше від теоретичного значення
1.3.4. Тривимірно-армовані вуглець-вуглецеві мате- 380190000ріали типу КІМФ з підвищеною ерозійною стій-
кістю,яка характеризується швидкістю винесен-
ня маси менше 3 мм/с при температурі 3773 К
(3500гр.C) і вище та тиску 150 атм і вище
1.3.5. Об'ємно-армовані вуглець-вуглецеві матеріали 380190000типу "ЗОРЯ" з підвищеною ерозійною стійкістю,
яка характеризується швидкістю винесення ма-
си менше 0,05 мм/с при температурі 3773 К
(3500гр.C) і вище та тиску 150 атм і вище .3.6. Пінопласт з мікросферами для застосування 392190900
під водою на морських глибинах більше 1000 м
та густиною менше 561 кг/куб.м
Примітка. Пінопласт з мікросферами містить порожнистісфери з пластику чи скла, залиті гумовою
матрицею.
1.3.7. Бор кристалічний та аморфний з вмістом основ- 380450100ної речовини не менше 99,5 відсотка.
1.4. Рідини та мастильні матеріали
1.4.1. Гідравлічні рідини, що містять як основніскладові компоненти будь-які з таких речовин
чи матеріалів .4.1.1. Синтетичні вуглецеві масла чи кремній-вугле-- 381900000
цеві масла: 290919000
з точкою займання вище 477 К (204гр.C); 391000000
з точкою застигання 239 К (-34гр.C) або
нижче;
з термостабільністю 616 К (343гр.C)
Примітка. Зазначені у пункті 1.4.1.1. кремній-вуглеце-ві масла містять виключно кремній, водень та
вуглець.
1.4.1.2. Хлор-фторвуглеці: 381900000з точкою самозаймання вище 977 К (704гр.C); 382390900
з точкою застигання 219 К (-54гр.C);
з коефіцієнтом в'язкості 80 чи більше;
з точкою кипіння 473 К (200гр.C) чи більше
Примітка. Зазначені у пункті 1.4.1.2. хлор-фторвуглецімістять виключно хлор, фтор та вуглець. .4.2. Мастильні матеріали, що містять як основні
складові будь-які з таких речовин та ма-
теріалів .4.2.1. Феніленові чи акрилфеніленові ефіри чи тіо- 290930900
ефіри або їх суміші, які містять більше двох 293090800
ефірних чи тіоефірних функцій або сумішей .4.2.2. Фторовані рідини, що містять кремній і мають 391000000
кінематичну в'язкість менше 5000 кв.мм/с
(5000 сантістоксів) при температурі 298 К
(25гр.C)
1.4.3. Зволожувальні чи флотуючі рідини з показникомчистоти більше 99,8 відсотка, які містять
щонайменше 25 часток розміром 200 мкм чи
більше на 100 мл і виготовлені принаймні на
85 відсотків з таких речовин та матеріалів .4.3.1. Дібромтетрафторетану 290340800
1.4.3.2. Поліхлортрифторетилену (тільки маслянисті та 390469000воскоподібні модифікації) .4.3.3. Полібромтрифторетилену 390469000
1.5. Фармацевтичні препарати
1.5.1. Препарати групи холінестераз для визначення 382200000фосфороорганічних отруйних речовин
1.6. Електротехнічні матеріали
1.6.1. Епітаксійні структури кремнію на сапфірі 38100100для КМОП інтегральних схем .6.2. Арсенід галію монокристалічний нелегований в 284290900
зливках та пластинах діаметром 100 мм і біль- 381800900
ше з питомим опором більше 10 в ступ.(3) Ом.см
та щільністю дислокацій менше 10 в ступ.(2)-10
в ступ.(3) 1/кв.см для
виробництва надшвидкісних інтегральних схем .6.3. Епітаксійні структури германію на підкладці 381800900
1.6.4. Епітаксійні структури сполук А3В5 381800900
1.6.5. Монокристали потрійних сполук кадмій-ртуть- 381800900телур (КРТ) будь-якої чистоти, включно епі- 284290100
таксійні пластини 284290900
1.6.6. Порошки феритові марганець-цинкові 720529000811100100
1.6.7. Гірський кришталь першого сорту 710310000
1.6.8. Матеріали для оптичних датчиків
1.6.8.1. Елементарний телур (Те) чистотою рівною чи 280450900більшою 99,9995 відсотка .6.8.2. Монокристали телуриду кадмію (CdTe) будь- 381800900
якої чистоти, включно епітаксійних пластин .6.8.3. Заготовки оптичних волокон, спеціально при- 701990990
значених для виробництва волокон з високим
двопроменезаломленням, які використовуються
в оптоволоконних датчиках, зазначених у
пункті 6.1.2.5.
1.6.9. Оптичні матеріали
1.6.9.1. Селенід цинку (ZnSe) та сульфід цинку (ZnS) 284290100у вигляді пластин-підкладок, виготовлених 283020000
хімічним осадженням парів, об'ємом понад
100 куб.см чи діаметром понад 80 мм при тов-
щині рівній чи більшій 20 мм .6.9.2. Зливки електро-оптичних матеріалів:
1.6.9.2.1. арсенід титанату калію (КТА); 284290900
1.6.9.2.2. змішаний селенід срібла чи галію (Ag aSe2); 284290100
1.6.9.2.3. змішаний селенід талію чи миш'яку (Tl3AsSl3), 284290100також відомий як TAS .6.9.3. Нелінійні оптичні матеріали, які мають під- 702000900
датливість третього порядку (3) рівну чи
меншу 1 Вт/кв.м, час відгуку менше 1 мс .6.9.4. Пластинчаті підкладки карбіду кремнію чи ос- 284920000
аджених матеріалів берилію/берилію (Ве/Ве) 811219000
понад 300 мм в діаметрі чи довжини найбіль-
шої осі .6.9.5. Матеріали з малим оптичним поглинанням:
1.6.9.5.1. складні сполуки фтору, які містять інгра- 282690900дієнти з чистотою 99,999 відсотка чи більше; 702000900
Примітка. За пунктом 1.6.9.5.1. підлягають експортномуконтролю тільки фториди цирконію або алюмі-
нію та подібні сполуки.
1.6.9.5.2. об'ємне скло із сполук, зазначених у пункті 7001009101.6.9.5.1., які містять фтор 700100990
1.6.9.6. Скло, яке містить розплави кремнію, скло з 700100900фосфатів, фторфосфатів, фториду цирконію 702000900
(ZrF4) та фториду гафнію (HfF4) з концент-
рацією гідроксильних іонів (ОН-) менше 5
проміле, інтегральними рівнями чистоти ме-
талів менше 1 проміле, високою однорідністю
(варіацією показника заломлення менше
5*10 в ступ.(-6) .6.9.7. Синтетичний алмазний матеріал з поглинанням 710490000
менше 10 в ступ.(-5) см на довжині хвилі
понад 200 нм, 710510200
але не більше 14000 нм .6.9.8. Оптоволоконні заготовки, виготовлені з 701910590
об'ємних сполук фторидів, які містять
інгредієнти з чистотою 99,999 відсотка чи
більше, спеціально розроблені для виробницт-
ва фторидних волокон, зазначених у пункті
6.1.5.4. .6.10. Кристалічні основи лазерів у необробленому
вигляді: .6.10.1. Сапфір з імплантованим титаном 710310000
1.6.10.2. Олександрит 710310000
1.6.11. Матеріали резистів і підкладки, покритірезистами .6.11.1. Позитивні резисти із спектральною чут- 854140990
ливістю, оптимізованою на випромінювання з
довжиною хвилі менше 370 нм .6.11.2. Резисти, що використовуються для експонуван- 854140990
ня електронними та іонними пучками, з чут-
ливістю не гірше 0,01 мкКл/кв.мм .6.11.3. Резисти, що використовуються для експонуван- 854140990
ня рентгенівськими променями, з чутливістю
не гірше 2,5 мДж/кв.мм .6.11.4. Резисти, оптимізовані під технологію форму- 854140990
вання малюнку, із силіційованими резистами
включно
Примітка. Силіціювання - це процеси, які включаютьоксидування поверхні резисту для підвищення
якості мокрого та сухого проявлення.
1.6.12. Металоорганічні сполуки алюмінію, галію чи 293100900індію, які мають чистоту (металевої основи)
понад 99,999 відсотка .6.13. Гідриди фосфору, миш'яку чи сурми, які мають 285000100
чистоту понад 99,999 відсотка навіть після
розведення нейтральними газами
Примітка. Гідриди, що містять 20 або більше мольнихвідсотків інертних газів чи водню, не підля-
гають експортному контролю відповідно до
пункту 1.6.13.
1.6.14. Заготовки скла чи будь-яких інших матеріалів, 702000900оптимізованих для виробництва оптичних воло-
кон, зазначених у пункті 6.1.5.
1.6.15. Надпровідникові композитні матеріали зав-довжки понад 100 м чи масою понад 100 г .6.15.1. Багатожильні надпровідні композитні матеріа- 811299300
ли, які містять одну ніобієву нитку або 854419900
більше і мають такі ознаки:
укладені у матрицю не з міді і не на ос-
нові матеріалу, який містить мідь;
з площею поперечного перерізу меншою
0,28*10 в ступ.(-4) кв.мм (6 мкм діаметром
у разі, коли нитка має круглий переріз) .6.15.2. Надпровідникові композитні матеріали не із 811299300
ніобій-титану, що містять одну або більше 854419900
надпровідних ниток і мають такі ознаки:
критична температура при нульовій магніт-
ній індукції перевищує 9,85 К (-263,31гр.C),
але не нижче 24 К (-249,16гр.C); або
площа поперечного перерізу менше
0,28*10 в ступ.(-4) кв.мм; або
залишаються у стані надпровідності при
температурі 4,2 К (-268,96гр.C), при пере-
буванні у магнітному полі з магнітною
індукцією 12 Т
1.7. Функціональні вироби та вузли
1.7.1. Антифрикційні підшипники, системи підшипни-ків та їх компоненти
Примітка. Шарикопідшипники з допусками, встановленимивиготовлювачами відповідно до стандартів ICO
3290 клас 5 чи гірше, експортному контролю
не підлягають.
1.7.1.1. Шарикові чи твердороликові підшипники (крімконічних роликових підшипників), які мають
допуски, що встановлюються виробником відпо-
відно до стандартів ІСО клас 4 чи краще, та
будь-яку з таких характеристик: .7.1.1.1. кільця, шарики чи ролики з мідно-нікелево- 848210900
го сплаву або з берилію; 848250000
1.7.1.1.2. виготовлені для застосування при робочих 848210900температурах понад 573 К (300гр.C) або із 848250000
застосуванням спеціальних матеріалів чи
спеціального теплового оброблення; .7.1.1.3. з елементом мастила або компонентом, що 848210900
модифікує цей елемент, який спеціально 848250000
спроектований для підшипників, що працюють
при швидкостях, які відповідають значенню
КШО понад 2,3*10 в ступ.(6)
Примітки: 1. КШО - це добуток внутрішнього діаметра (ка-лібра) підшипника, який виміряний в мі-
ліметрах, на швидкість його обертання, яка
виміряна в оборотах за хвилину.
2. Робоча температура відповідає температурі
після зупинки газотурбінного двигуна.
1.7.1.2. Інші шарикові чи роликові підшипники (крім 848280000конічних роликових підшипників, які мають
допуски, що встановлюються виготівником від-
повідно до стандартів ІСО клас 2 чи краще .7.1.3. Конічні роликові підшипники, які мають будь-
яку з таких характеристик: .7.1.3.1. з елементом мастила або компонентом, що 848220000
модифікує цей елемент, який відповідно до
специфікації виготівника спеціально спроек-
тований для підшипників, що працюють при
швидкостях, які відповідають значенню КШО
понад 2,3*10 в ступ.(6); .7.1.3.2. виготовлені для використання при робочих 848220000
температурах нижче 219 К (-54гр.C) або вище
423 К (150гр.C) .7.1.4. Тонкостінні підшипники з газовим змащенням, 848330900
виготовлені для використання при робочих
температурах 561 К (288гр.C) чи вище та із
здатністю витримувати одиничне навантаження,
що перевищує 1 МПа .7.1.5. Активні магнітні підшипникові системи 848330100
1.7.1.6. Підшипники ковзання серійного виготовлення, 848330900що самоцентруються або встановлюються на
шийку валу, виготовлені для використання при
робочих температурах нижче 219 К (-54гр.C)
або вище 423 К (150гр.C)
1.7.2. Батареї
Примітка. Батареї об'ємом 26 куб.см і менше (наприклад,стандартні вугільні елементи) не підлягають
експортному контролю.
1.7.2.1. Первинні елементи і батареї з густиною енер- 850690900гії понад 350 Вт.г/кг, придатні за технічни-
ми умовами для роботи в діапазоні температур
від 243 К (-30гр.C) і нижче до 343 К (70гр.C)
і вище .7.2.2. Підзаряджувальні елементи і батареї з густи- 850619900
ною енергії понад 150 Вт.г/кг після 75
циклів заряду-розряду при струмі розряду, що
дорівнює С/5 г (тут С - номінальна ємність в
А.г), при роботі в діапазоні температур від
253 К (-20гр.C) і нижче до 333 К (60гр.C) і вище
Примітка. Густина енергії розраховується множеннямсередньої потужності у ватах (добуток се-
редньої напруги у вольтах на середній струм
в амперах) на тривалість циклу розрядження в
годинах, при якому напруга на розімкнутих
клемах падає до 75 відсотків номіналу, і
діленням цього добутку на загальну масу еле-
мента (чи батереї) в кілограмах. .7.2.3. Радіаційно стійкі батареї на фотоелектричних 850619900
елементах з питомою потужністю понад
160 Вт/кв.м при робочій температурі 301 К
(28гр.C) і вольфрамовому джерелі, нагрітому до
2800 К (2527гр.C) створює енергетичну освітле-
ність 1 кВт/кв.м, здатні за технічними умо-
вами для космічного використання
1.7.3. Накопичувачі енергії
1.7.3.1. Накопичувачі енергії з частотою повторення 850619900менше 10 Гц (одноразові накопичувачі), які 850780900
мають номінальну напругу не менше 5 кВ, гус-
тину енергії не менше 250 Дж/кг та загальну
енергію не менше 25 кДж .7.3.2. Накопичувачі енергії з частотою повторення 850619900
10 Гц і більше (багаторазові накопичувачі), 850780900
що мають номінальну напругу не менше 5 кВ,
густину енергії не менше 50 Дж/кг, загальну
енергію не менше 100 Дж та кількість циклів
заряду-розряду не менше 10000 .7.3.3. Схеми чи системи для накопичення електро- 850780900
магнітної енергії, які містять компоненти з 854380900
надпровідних матеріалів, спеціально спроек-
тованих для роботи при температурах нижче
критичної температури хоча б з однією з над-
провідних складових, що мають робочі резо-
нансні частоти понад 1 МГц, густину енергії,
що накопичується, не менше 1 МДж/куб.м і час
розряду менше 1 мс
1.7.4. Надпровідні електромагніти або соленоїди, 850519900спеціально спроектовані на повний заряд або
розряд менше ніж за хвилину, що мають макси-
мальну енергію у розрядці, поділену на три-
валість розряду понад 500 кДж/хв., внутріш-
ній діаметр струмопровідних обмоток понад
250 мм та номінальну магнітну індукцію понад
8 Т або сумарну густину струму в обмотці
більше 300 А/кв.мм
Примітка. Не підлягяють експортному контролю за пунк-том 1.7.4. надпровідникові електромагніти чи
соленоїди, спеціально спроектовані для медич-
ної апаратури магніторезонансної темографії.
1.7.5. Рентгенівські системи з короткоімпульсним 902219000розрядом, які мають пікову потужність, що
перевищує 500 Мвт, вихідну напругу, що пере-
вищує 500 кВ, і ширину імпульсу меншу 0,2 мкс
1.8. Технологія виробництва металевих сплавів,порошків для металевих сплавів та сплавлених
матеріалів
1.8.1. Технологія виробництва алюмінідів нікелю або 490199000титану у вигляді сировини чи напівфабрикатів 490600000
1.8.1.1. Алюмінідів нікелю з вмістом алюмінію 10 абобільше відсотків (за масою); .8.1.2. Алюмінідів титану з вмістом алюмінію 12 або
більше відсотків (за масою) .8.2. Технологія виробництва металевих сплавів ме- 490199000
тодом порошкової металургії або введених 490600000
гранул матеріалів,зазначених у пункті 1.1.8.,
включаючи: .8.2.1. Нікелеві сплави:
з межею тривалої міцності 550 МПа
(55 кгс/кв.мм) при температурі 923 К
(650гр.C) за 10000 год. і більше; або
з малоцикловою витривалістю при макси-
мальній напрузі 700 МПа (70 кгс/кв.мм) на
базі 10000 циклів і більше при температурі
823 К (550гр.C) .8.2.2. Ніобієві сплави :
з межею тривалої міцності 400 МПа
(40 кгс/кв.мм) при температурі 1073 К
(800гр.C) за 10000 год. і більше; або
з малоцикловою витривалістю при макси-
мальній напрузі 700 МПа (70 кгс/кв.мм) на
базі 10000 циклів і більше при температурі
973 К (700гр.C) .8.2.3. Титанові сплави:
з межею тривалої міцності 200 МПа
(20 кгс/кв.мм) при температурі 723 К
(450гр.C) за 10000 год. і більше; або
з малоцикловою витривалістю при макси-
мальній напрузі 400 МПа (40 кгс/кв.мм) на
базі 10000 циклів і більше при температурі
723 К (450гр.C) .8.2.4. Алюмінієві сплави з межею тривалої міцності:
240 МПа (24 кгс/кв.мм) і більше при темпе-
ратурі 473 К (450гр.C);
415 МПа (41,5 кгс/кв.мм) і більше при тем-
пературі 298 К (25гр.C) .8.2.5. Магнієві сплави з межею тривалої міцності
240 МПа (24 кгс/кв.мм) і більше з швидкістю
корозії менше 1 мм за рік у 3-відсотковому
водному розчині хлориду натрію
1.8.3. Технологія виробництва титанових сплавів 490199000(включно вторинних) з межею тривалої міцнос- 490600000
ті понад 1200 МПа (120 кгс/кв.мм) і межею
повзучості понад 150 МПа (15 кгс/кв.мм) при
температурі 873 К (600гр.C)
1.8.4. Технологія виробництва алюміній-літієвих 490199000сплавів (включно тих, що містять скандій) з 490600000
вмістом літію понад 6 відсотків, скандію по-
над 3 відсотків, а саме : .8.4.1. Системи алюміній-магній-літій (скандій), які
мають у сукупності такі характеристики:
густина менше 2,47 г/куб.см;
модуль пружності понад 78000 МПа
(7800 кгс/кв.мм);
питома міцність понад 19 км .8.4.2. Системи алюміній-мідь-магній-літій (скандій),
які мають у сукупності такі характеристики:
густина менше 2,56 г/куб.см;
модуль пружності понад 80000 МПа
(8000 кгс/кв.мм);
питома міцність понад 19 км .8.4.3. Системи алюміній-мідь-літій (скандій), мають
у сукупності такі характеристики:
густина менше 2,6 г/куб.см;
модуль пружності понад 80000 МПа
(8000 кгс/кв.мм);
питома міцність понад 22 км .8.4.4. Системи алюміній-літій (скандій), що мають у
сукупності такі характеристики:
густина менше 2,4 г/куб.см;
модуль пружності понад 80000 МПа
(8000 кгс/кв.мм);
питома міцність понад 20 км
1.8.5. Технологія виробництва деформованих магніє- 490199000вих сплавів (у тому числі гранульованих) з 490600000
межею тривалості міцності понад 350 МПа
(35 кгс/кв.мм)
1.8.6. Технологія виробництва ливарних магнієвих 490199000сплавів з межею тривалості міцності понад 490600000
280 МПа (28 кгс/кв.мм) при робочій темпера-
турі понад 523 К (250гр.C) .8.7. Технологія виробництва урано-титанових спла- 490199000
вів або вольфрамових сплавів з матрицею на 490600000
основі заліза, нікелю чи міді:
з густиною понад 17,5 г/куб.см;
з межею пружності понад 1250 МПа;
з межею міцності на розрив понад 1270 МПа;
з відносним подовженням понад 8 відсотків
1.8.8. Технологія виробництва порошків, металевих 490199000сплавів або гранул, що вводяться для ма- 490600000
теріалів, зазначених у пунктах 1.1.1. -
1.1.2., одержаних у середовищі, що контро-
люється, за допомогою одного з процесів:
розпиленням у вакуумі;
газоструминним розпиленням;
відцентровим розпиленням;
спінінгуванням;
розплавленням з обертанням та кристаліза-
цією;
екстракцією розплаву;
механічним легуванням
та виготовлених з будь-якої системи .8.8.1. Нікелевих сплавів (Ni-Al-X, Ni-X-Al), призна-
чених для використання у складі частин або
компонентів турбін двигунів, а саме менше
ніж трьома неметалевими частками (запровад-
жені у процесі виробництва), більшими за
100 мкм в 10 частках сплаву .8.8.2. Ніобієвих сплавів (Nb-Al-X або Nb-X-Al,
Nb-Si-X або Nb-Ti-X, або Nb-X-Ti) .8.8.3. Титанових сплавів (Ti-Al-X або Ni-X-Al)
1.8.8.4. Алюмінієвих сплавів (Al-Mg-X або Al-X-Mg,Al-Zn-X або Al-X-Zn, Al-Fe-X або Al-X-Fe) .8.8.5. Магнієвих сплавів (Mg-Al-X або Mg-X-Al)
Примітка. Х — показник рівності вмісту у сплаві одногоабо більше складових елементів (домішок).
1.8.9. Технологія виробництва сплавлених матеріалів 490199000у вигляді нездріблених гранул стружки або 490600000
тонких стержнів, виготовлених у середовищі,
що контролюється, методом спінінгування,
розплавлення з обертанням або екстракцією
розплаву, які використовуються під час ви-
робництва порошку для металевих сплавів або
гранул, що вводяться, зазначених у пункті
1.1.8.
1.8.10. Технологія виробництва магнітних матеріалів 490199000усіх типів і будь-якої форми 490600000
1.8.10.1. Технологія виробництва магнітних матеріалівз початковою відносною проникливістю 120000
і більше і завтовшки 0,05 мм або менше .8.10.2. Технологія виробництва магнітострикційних
сплавів:
з магнітострикційним насиченням понад
5*10 в ступ.(-4);
з коефіцієнтом магнітомеханічного зчеплен-
ня понад 0,8 .8.10.3. Технологія виробництва магнітного сплаву у
вигляді аморфної стружки з вмістом мінімум
75 відсотків (за масою) заліза, кобальту або
нікелю, магнітною індукцією насичення не
менше 1,6 Т, товщиною стружки не більше
0,02 мм та питомим електричним опором не
менше 2*10 в ступ.(-4) Ом/см
1.9. Технологія виробництва полімерів, пластичних мас,хімічних волокон та ниток, каучуків та виробів з них
1.9.1. Технологія виробництва полімерів 490199000490600000
1.9.1.1. Технологія виробництва бісмалеіміду
1.9.1.2. Технологія виробництва ароматичних поліімід-них матеріалів з термостійкістю понад 723 К
(450гр.C) .9.1.3. Технологія виробництва ароматичних поліхінок-
салінів і матеріалів на їх основі .9.1.4. Технологія виробництва ароматичних поліефіра-
мідів, які мають температуру склування понад
503 К (230гр.C) .9.1.5. Технологія виробництва ароматичних поліамідів
Примітка. Технологія виробництва неплавких порошківдля формотворення під тиском або підготовки
форм із матеріалів, зазначених у пунктах
1.9.1.1., 1.9.1.3., 1.9.1.5., 1.9.1.6.,
1.9.1.13., експортному контролю не підлягає.
1.9.1.6. Технологія виробництва виробів з нефторова-них полімерних речовин, зазначених у пунктах
1.2.1.5. - 1.2.1.10., 1.2.1.13., у вигляді
плівки, листа, стрічки або смужки:
завтовшки понад 0,254 мм;
покритих вуглецем, графітом, металами або
магнітними речовинами .9.1.7. Технологія виробництва термопластичних рідко-
кристалічних сополімерів, що мають температу-
ру теплової деформації понад 523 К (250гр.C),
виміряну під час навантаження 1,82 н/кв.мм,
і створених сполученням:
пара-фенілену, пара-пара-біфенілену або
2,6 нафталіну;
метилу, третинного бутилу або феніл-замі-
щеного фенілену, біфенілену або нафталіну
з будь-якою з таких кислот:
терефталевою кислотою;
6-гідрокси-2 нафтойною кислотою;
4-гідроксибензойною кислотою
1.9.1.8. Технологія виробництва поліаріленових ефір-них кетонів:
поліефіроефірокетону;
поліефірокетон-кетону;
поліефірокетону;
поліефірокетон ефірокетон-кетону .9.1.9. Технологія виробництва поліаріленових ке-
тонів .9.1.10. Технологія виробництва поліаріленових су-
льфідів, де аріленова група є біфеніленом,
трифеніленом або їх комбінації .9.1.11. Технологія виробництва полібіфеніленефір-
сульфону .9.1.12. Технологія виробництва матеріалів-напівфабри-
катів (а саме полімерних або металоорганіч-
них матеріалів спеціального призначення):
полідіорганосіланів (для виробництва кар-
біду кремнію);
полісілазанів (для виробництва кераміки з
кремнієвими, вуглецевими або азотними
компонентами) .9.1.13. Технологія виробництва полібензотіазолів або
полібензоксозолів
1.9.2. Технологія виробництва речовин, що містять 490199000фтор 490600000
1.9.2.1. Технологія виробництва необроблених сполукфтору:
сополімерів фтористого вінілідену, які
містять 75 відсотків або більше бетакрис-
талічної структури, одержаної без витягу-
вання;
фтористих поліімідів, які містять 30
відсотків і більше зв'язаного фтору;
фтористих фосфазенових еластомерів, що
містять 30 відсотків або більше зв'язаного
фтору .9.2.2. Технологія виробництва фтористих еластомерних
сполучень, які містять хоча б один дивініл-
ефірний мономер .9.2.3. Технологія виробництва ущільнень, прокладок
сідел клапанів, трубчастих ущільнень або
діафрагм з фтореластомерів, що містять хоча
б один вініловий мономер, спеціально призна-
чений для авіаційної та аерокосмічної техні-
ки, і зазначені у пункті 1.2.2.3. .9.2.4. Технологія виробництва п'єзоелектричних по-
лімерів і сополімерів, виготовлених з фто-
ристого вінілідену у вигляді плівки або лис-
та завтовшки понад 200 мкм
1.9.3. Технологія виробництва електропровідних по- 490199000лімерних матеріалів з питомою електричною 490600000
провідністю понад 10 сіменс/м або поверхне-
вим опором менше 10 Ом/кв.м, виконаних на
основі таких полімерів:
поліаніліну;
поліпіролу;
політеофену;
поліфенілен-вінілену;
політіофінілен-вінілену;
технологія для нанесення, експлуатації або
відновлення (ремонту) матеріалів, зазначе-
них у пункті 1.2.3. .9.4. Технологія виробництва ароматичних поліа- 490199000
мідних волокон 490600000
1.9.5. Технологія виробництва волокнистих або нитко- 490199000подібних матеріалів на основі: 490600000
поліефірімідів, зазначених у пункті
1.2.1.13.;
матеріалів, зазначених у пунктах
1.2.1.15.-1.2.1.19.
1.9.6. Технологія виробництва фторсилаксанових 490199000каучуків, працездатних при температурах ниж- 490600000
че 213 К (-60 гр.C) і понад 473 К (200гр.C)
1.9.7. Технологія виробництва герметиків на основі 490199000рідкого тіоколу, працездатних при температу- 490600000
рах нижче 213 К (-60гр.C) і понад 423 К (150гр.C)
1.9.8. Технологія виробництва кремнійорганічних 490199000герметиків, працездатних при температурах 490600000
213 К (-60гр.C) і понад 523 К (250гр.C)
1.9.9. Технологія виробництва органічних полімерних 490199000фотоприймачів для просторово-часових модуля- 490600000
торів світла
1.9.10. Технологія виробництва діпараксілілену (моно- 490199000меру Д-2) 490600000
1.10. Технологія виробництва композиційнихта керамічних матеріалів
1.10.1. Технологія виробництва матеріалів на кера- 490199000мічній основі, некомпозиційних керамічних 490600000
матеріалів, матеріалів типу композит з ке-
рамічною матрицею, а також їх напівфабри-
катів .10.1.1. Основних матеріалів з простих або складних
боридів титану, які мають металеві домішки
(крім спеціальних домішок) на рівні менше
5000 часток на мільйон, при середньому
розмірі частки, рівному або меншому 5 мкм
(при цьому не більше 10 відсотків часток
розміром понад 10 мкм) .10.1.2. Некомпозиційних керамічних матеріалів у виг-
ляді сирих напівфабрикатів (крім абразивів)
на основі боридів титану з густиною 98
відсотків або більше від теоретичного зна-
чення .10.1.3. Технологія для відновлення композиційних
структур, шаруватих структур або матеріалів,
зазначених у пункті 1.3.3.
1.10.2. Технологія виробництва тривимірно-армованих 490199000вуглець-вуглецевих матеріалів типу КІМФ з 490600000
підвищеною ерозійною стійкістю, яка характе-
ризується швидкістю винесення маси менше
3 мм/с при температурі 3773 К (3500гр.C) і
більше та тиску 150 атм і більше
1.10.3. Технологія виробництва об'ємно-армованих 490199000вуглець-вуглецевих матеріалів типу "ЗОРЯ" з 490600000
підвищеною ерозійною стійкістю, що характе-
ризується швидкістю винесення маси менше
0,05 мм/с при температурі 3773 К (3500гр.C) і
більше та тиску 150 атм і більше
1.10.4. Технологія виробництва жаростійких вуглеце- 490199000вих матеріалів на робочі температури понад 490600000
2025 К (1750гр.C) з межею міцності понад
300 МПа (30 кгс/кв.мм) (для застосування у
вуглець-вуглецевих матеріалах) і понад
200 МПа (20 кгс/кв.мм) (для застосування у
вуглець-керамічних матеріалах)
1.10.5. Технологія виробництва теплоізоляційних 490199000термостабільних (десятки тисяч годин у ді- 490600000
апазоні температур до 1025 К (750гр.C) еко-
номічно чистих матеріалів типу КГ-3 на ос-
нові графіту з густиною 0,2 г/куб.м і ко-
ефіцієнтом теплопровідності 0,1 Вт/(м.К)
1.10.6. Технологія виробництва базових матеріалів 490199000або некомпозиційних керамічних матеріалів 490600000
1.10.6.1. Технологія виробництва базових матеріалів ізсумарними металевими домішками (включаючи
ті, що вносяться навмисно):
менше 1000 частинок на мільйон для комп-
лексних сполук та одиничних карбідів;
менше 5000 частинок на мільйон для комп-
лексних сполук або одиничних карбідів при
середньому розмірі частинки, рівному чи
меншому 5 мкм (при цьому не більше 10 від-
сотків частинок з розмірами понад 10 мкм);
містять пластинки із співвідношенням дов-
жини до товщини, що перевищує значення 5;
короткі стержні (вуса) із співвідношенням
довжини до діаметра понад 10 для діаметрів
стержнів менше 2 мкм;
довгі або рублені волокна з діаметром мен-
шим 10 мкм, з таких матеріалів:
одиночних або комплексних оксидів цир-
конію і комплексних оксидів кремнію або
алюмінію;
одиночних нітридів бору (з кубічними
формами кристалів);
одиночних або комплексних карбідів
кремнію або бору;
одиночних або комплексних нітридів кремнію
Примітка. Для цирконію зазначені межі розмірів части-нок відповідно дорівнюють 1 мкм і 5 мкм.
1.10.6.2. Технологія виробництва некомпозиційних ке-рамічних матеріалів (крім абразивів), зазна-
чених у пункті 1.10.6.1.
1.10.7. Технологія виробництва пінопласту з мікро- 490199000сферами для використання під водою на морсь- 490600000
ких глибинах понад 1000 м і з густиною менше
561 кгс/куб.м
1.10.8. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва або використання пінопласту з мікрос- 852433100
ферами для застосування під водою на морсь- 852490910
ких глибинах понад 1000 м і густиною менше 852490990
561 кг/куб.м
1.11. Технологія виробництва рідин тамастильних матеріалів
1.11.1. Технологія виробництва гідравлічних рідин, 490199000які містять як основні складові будь-які з 490600000
таких речовин або матеріалів .11.1.1. Синтетичні вуглеводневі мастила або кремній-
вуглецеві мастила з точкою займання понад
427 К (204гр.C),точкою застигання 239 К (-34гр.C)
або нижче, коефіцієнтом в'язкості 75 обо
більше, термостабільністю при 616 К (343гр.C)
Примітка. Зазначені у пункті 1.11.1.1. кремній-вугле-водневі мастила містять виключно кремній,
водень і вуглець.
1.11.1.2. Хлоро-фторвуглеці з температурою самозайман-ня понад 977 К (704гр.C) з точкою застигання
219 К (-54гр.C), коефіцієнтом в'язкості 80 або
більше і точкою кипіння 473 К (200гр.C) або
більше
Примітка. Зазначені у пункті 1.11.1.2. хлоро-фтор-вуглеці містять виключно хлор,фтор і вуглець.
1.11.2. Технологія виробництва мастильних матеріалів, 490199000що містять як основні складові такі речовини 490600000
і матеріали .11.2.1. Феніленові або алкілфеніленові ефіри або
тіоефіри або їх суміші, які містять більш
ніж дві ефірні або тіоефірні функції або
суміші .11.2.2. Фторовані рідини, які містять кремній і ха-
рактеризуються кінематичною в'язкістю менше
5000 кв.мм/с (5000 сантістоксів) при темпе-
ратурі 298 К (25гр.C)
1.11.3. Технологія виробництва зволожувальних і фто- 490199000рованих рідин з показником чистоти понад 490600000
99,8 відсотка, що містять менше ніж 25 час-
тинок розміром 200 мкм або більше на 100 мл,
і виготовлених щонайменше на 85 відсотків з
таких речовин і матеріалів .11.3.1. Дібромтетрафторетану
1.11.3.2. Поліхлортрифторетилену (тількі маслянисті івоскоподібні модифікації) .11.3.3. Полібромтрифторетилену
1.12. Технологія виробництва фармацевтичнихпрепаратів та токсичних речовин
1.12.1. Технологія виробництва поліанатоксинів 490199000490600000
1.12.2. Технологія виробництва вакцини інактивованої, 490199000концентрованої, очищеної для профілактики 490600000
венесуельського енцефаліту на основі
оригінального штаму СМ-27
1.12.3. Технологія виробництва дивакцини інактивова- 490199000ної культуральної, очищеної для профілактики 490600000
східного і західного енцефаліту коней
1.12.4. Технологія виробництва препаратів групи 490199000холінестераз для визначення фосфорорганічних 490600000
ОР та інформація з використання препаратів
1.12.5. Технологія одержання і використання імуно- 490199000глабулінів полігрупових люмінесціючих ри- 490600000
кетсіозних, які дають змогу проводити інди-
кацію рикетсій групи висипного тифу, кліщо-
вої плямистої лихоманки та курикетсіозу під
час імунофлуоресцентного аналізу
1.12.6. Діагностикум, технологія одержання та вико- 490199000ристання культурального, полівалентного 490600000
діагностикуму геморагічної лихоманки з нир-
ковим синдромом для непрямого методу імуно-
флюоресценсії
1.12.7. Гібридомна технологія одержання імунодіа- 490199000гностикуму моноклонального люмінесціюючого 490600000
до вірусу кліщового енцефаліту та інформація
про використання діагностикуму
1.12.8. Інформація про синтез і оцінка фізико-хіміч- 490199000них токсикологічних характеристик нейроток- 490600000
сикантів надвисокої токсичності з середньою
летальною дозою менше 0,1 мк/кг з метою по-
шуку нейротоксикантів високої ефективності
1.13. Технологія виробництва електротехнічних матеріалів
1.13.1. Технологія виготовлення і нанесення радіо- 490199000поглинаючих покриттів типу ФП-1 і ФП-3 з 490600000
коефіцієнтом відбиття менше 15 відсотків при
температурі до 623 К (350гр.C)
1.13.2. Технологія виробництва багатошарових струк- 490199000тур кадмій-ртуть-телур (КРТ) з використанням 490600000
вакуумного синтезу
1.13.3. Технологія виробництва матеріалів для оптич- 490199000них датчиків 490600000
1.13.3.1. Технологія виробництва елементарного телуру(Те) чистотою рівною чи більшою 99,9995
відсотка .13.3.2. Технологія виробництва монокристалів телуриду
кадмію (CdTe) будь-якої чистоти, включаючи
епітаксійні пластини .13.3.3. Технологія виробництва заготовок оптичних
волокон, спеціально призначених для вироб-
ництва волокон з високим двопроменезаломлен-
ням, які використовуються в оптоволоконних
датчиках, зазначених у пункті 6.1.2.5.
1.13.4. Технологія виробництва оптичних матеріалів 490199000490600000
1.13.4.1. Технологія виробництва селеніду цинку (ZnSe)та сульфіду цинку (ZnS) у вигляді пластин-
підкладок, виготовлених хімічним осадженням
парів, об'ємом понад 100 куб.см чи діаметром
понад 80 мм при товщині рівній чи більшій
20 мм .13.4.2. Технологія виробництва зливків електрооптич-
них матеріалів:
арсеніду титанату калію (КТА);
змішаного селеніду срібла чи галію
(Ag aSe2);
змішаного селеніду талію чи миш'яку
(Tl3AsSl3), також відомого як TAS .13.4.3. Технологія виробництва нелінійних оптичних
матеріалів, які мають піддатливість третього
порядку (3) рівну чи меншу 1 Вт/кв.м, час
відгуку менше 1 мс .13.4.4. Технологія виробництва пластинчатих підкладок
карбіду кремнію чи осаджених матеріалів бе-
рилію/берилію (Ве/Ве) понад 300 мм в діамет-
рі чи довжини найбільшої осі .13.4.5. Технологія виробництва матеріалів з малим
оптичним поглинанням: .13.4.5.1технологія виробництва складних сполук фтору,
які містять інградієнти з чистотою 99,999
відсотка чи більше
Примітка. За пунктом 1.13.4.5.1. підлягають експортно-му контролю тільки фториди цирконію або
алюмінію та подібні сполуки.
1.13.4.5.2технологія виробництва об'ємного скла ізсполук, зазначених у пункті 1.13.4.5.1., які
містять фтор .13.4.6. Технологія виробництва скла, яке містить
розплави кремнію та скла з фосфатів, фтор-
фосфатів, фториду цирконію (ZrF4) та фториду
гафнію (HfF4) з концентрацією гідроксильних
іонів (ОН-) менше 5 проміле, інтегральними
рівнями чистоти металів менше 1 проміле, ви-
сокою однорідністю (варіацією показника за-
ломлення менше 5*10 в ступ.(-6) .13.4.7. Технологія виробництва синтетичного алмазного
матеріалу з поглинанням менше 10 в ступ.(-5)
см на довжині хвилі понад 200 нм, але не більше
14000 нм .13.4.8. Технологія виробництва оптоволоконних заго-
товок, виготовлених з об'ємних сполук фто-
ридів, які містять інгредієнти з чистотою
99,999 відсотка або краще, спеціально роз-
роблені для виробництва фторидних волокон,
зазначених у пункті 6.1.5.4.
1.13.5. Технологія виробництва матеріалів для крис- 490199000талічних основ лазерів: 490600000
сапфіру з імплантованим титаном;
олександриту
1.13.6. Технологія виробництва матеріалів резистів і 490199000підкладок, які покриті резистами 490600000
1.13.6.1. Технологія виробництва позитивних резистівіз спектральною чутливістю, оптимізованою на
випромінювання з довжиною хвилі менше 370 нм .13.6.2. Технологія виробництва резистів, що ви-
користовуються для експонування електронними
та іонними пучками, з чутливістю не гірше
0,01 мкКл/кв.мм .13.6.3. Технологія виробництва резистів, що ви-
користовуються для експонування рентгенівсь-
кими променями, з чутливістю не гірше
2,5 мДж/кв.мм .13.6.4. Технологія виробництва резистів, що оп-
тимізовані під технологію формування малюнку,
із силіційованими резистами включно
1.13.7. Технологія виробництва металоорганічних спо- 490199000лук алюмінію, галію чи індію, які мають чис- 490600000
тоту (металевої основи) понад 99,999 відсот-
ка
1.13.8. Технологія виробництва гідридів фосфору, 490199000миш'яку чи сурми, які мають чистоту понад 490600000
99,999 відсотка навіть після розведення
нейтральними газами
Примітка. Технологія виробництва гідридів, що містять20 або більше мольних відсотків інертних
газів чи водню, не підлягає експортному
контролю відповідно до пункту 1.13.8.
1.13.9. Технологія виробництва заготовок скла чи 490199000будь-яких інших матеріалів,оптимізованих для 490600000
виробництва оптичних волокон, зазначених у
пункті 6.1.5.
1.13.10. Технологія нанесення покриттів на оптичні 490199000волокна, спеціально призначені для підводно- 490600000
го використання
1.13.11. Технологія виробництва надпровідних компо- 490199000зитних матеріалів довжиною понад 100 м або 490600000
масою понад 100 г .13.11.1.Технологія виробництва багатожильних над-
провідних композитних матеріалів, які
містять одну ніобієву нитку або більше:
покладених у матрицю не з міді і не на ос-
нові матеріалу, який містить мідь;
з площею поперечного перерізу менше
0,28*10 в ступ.(-4) кв.мм (6 мкм з діаметром
у разі, коли нитка має круглий перетин) .13.11.2.Технологія виробництва надпровідних компо-
зитних матеріалів не з ніобій-титану, які
складені з однієї і більше надпровідних ни-
ток:
з критичною температурою при нульовій
магнітній індукції,яка не перевищує 9,85 К
(-263,31гр.C),але не нижчою 24 К (-249,16гр.C);
з площею поперечного перетину менше
0,28*10 в ступ.(-4) кв.мм;
які залишаються у стані надпровідності при
температурі 4,2 К (-268,96 гр.C), при пере-
буванні у магнітному полі з магнітною
індукцією 12 Т
1.13.12. Інформація про результати випробувань та роз- 490199000роблень високотемпературних надпровідників з 490600000
критичним магнітним полем, з магнітною
індукцією понад 150 Т і критичним струмом
понад 1000 МА/кв.м при температурі 77 К
(-196гр.C) для техніки магнітного прискорення
об'єктів
1.13.13. Інформація про конструкційні і технологічні 490199000рішення у галузі створення імпульсних джерел 490600000
елекроенергії на основі формуючих ліній з
потужністю, що перевищує 100 ТВт при енер-
гії, яка перевищує 5 МДж .13.14. Інформація про конструкційні і технологічні 490199000
рішення у галузі створення імпульсних джерел 490600000
електроенергії на основі уніполярних генера-
торів, призначених для повільного відбору
потужності (понад 1 с) із запасом енергії по-
над 100 МДж та швидкого відбору потужності
(менше ніж 1 мс) із запасом енергії 1 МДж
1.14. Технологія виробництва функціональнихвиробів та вузлів
1.14.1 Конструкція і технологія виробництва анти-фрикційних підшипників або систем підшипни-
ків та їх компонентів
Примітка. Експортний контроль не поширюється наконструкцію і технологію виробництва шарико-
підшипників з допусками, встановленими ви-
робниками відповідно до стандартів ІСО 3290
клас 5 або гірше.
1.14.1.1 Конструкція і технологія виробництва куль- 490199000кових або роликових підшипників (крім ко- 490600000
нічних роликових підшипників), що мають до-
пуски, які встановлює виробник відповідно до
стандарту ІСО, і будь-яку з таких характерис-
тик:
кільця, шарики або ролики з мідно-нікельово-
го сплаву або берилію;
виготовлені для застосування при рабочих
температурах понад 573 К (300гр.C) або із зас-
тосуванням спеціальних матеріалів чи
спеціального теплового оброблення;
з елементами змащення або компонентом, що
модифікує цей елемент, який згідно із спе-
цифікацією виробника спеціально спроектова-
ний для підшипників, які працюють при швид-
костях, що відповідають значенню КСВ понад
2,3*10 в ступ.(6) .14.1.2. Конструкція і технологія виробництва інших 490199000
кулькових або роликових підшипників (крім 490600000
конічних роликових підшипників), що мають
допуски, які встановлює виробник відповідно
до стандарту ІСО клас 2 або краще (чи
національними еквівалентами)
1.14.1.3. Конструкція і технологія виробництва коніч- 490199000них роликових підшипників, які мають будь- 490600000
яку з таких характеристик:
з елементами змащення або компонентом, що
модифікує цей елемент, який згідно із спе-
цифікацією виробника спеціально спроекто-
ваний для підшипників, які працюють при
швидкостях, що відповідають значенню КСВ
понад 2,3*10 в ступ.(6);
виготовлені для застосування при робочих
температурах нижче 219 К (-54гр.C) або вище
423 К (150гр.C) .14.1.4. Конструкція і технологія виробництва тонко- 490199000
стінних підшипників з газовим змащенням, ви- 490600000
готовлених для застосування при робочих тем-
пературах 561 К (288гр.C) чи вище та із здат-
ністю витримувати одиничне навантаження, що
перевищує 1 МПа .14.1.5. Конструкція і технологія виробництва актив- 490199000
них магнітних підшипникових систем 490600000
1.14.1.6. Конструкція і технологія виробництва під- 490199000шипників ковзання серійного виготовлення, що 490600000
самоцентруються або встановлюються на шийку
валу, виготовлених для використання при ро-
бочих температурах нижче 219 К (-54гр.C) або
понад 423 К (150гр.C) .14.1.7. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування чи ви- 852422100
робництва підшипників, зазначених у пункті 852433100
1.7.1. 852490910
852490990
1.14.2. Конструкція і технологія виробництва батарей
Примітка. Експортний контроль не поширюється на конст-рукцію і технологію виробництва батарей
об'ємом 26 куб.см і менше (наприклад, стан-
дартні вугільні елементи), зазначених у
пункті 1.14.2.
1.14.2.1. Конструкція і технологія виробництва первин- 490199000них елементів та батарей з густиною енергії 490600000
понад 350 Вт.г/кг, придатних за технічними
умовами для роботи в діапазоні температур
від 243 К (-30гр.C) і нижче до 343 К (70гр.C) і
вище .14.2.2. Конструкція і технологія виробництва підза- 490199000
ряджуваних елементів і батарей з густиною 490600000
енергії понад 150 Вт.г/кг після 75 циклів
заряду - розряду при струмі розряду, що до-
рівнює С/5г (тут С - номінальна ємність в
А.г), при роботі в діапазоні температур від
253 К (-20гр.C) і нижче до 333 К (60гр.C) і вище .14.2.3. Конструкція і технологія виробництва радіа- 490199000
ційно стійких батарей на фотоелектричних 490600000
елементах з питомою потужністю понад
160 Вт/кв.м при робочій температурі 301 К
(28гр.C) і вольфрамовому джерелі, нагрітому до
2800 К (2527гр.C), створює енергетичну освітле-
ність 1 кВт/кв.м, здатних за технічними умо-
вами для космічного використання .14.2.4. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування батарей, зазначених у 852422100
пункті 1.7.2. 852433100
852490910
852490990
1.14.3. Конструкція і технологія виробництва накопи-чувачів енергії .14.3.1. Конструкція і технологія виробництва накопи- 490199000
чувачів енергії з частотою повторення менше 490600000
10 Гц (одноразових накопичувачів), які мають
номінальну напругу не менше 5 кВ, густину
енергії не менше 250 Дж/кг та загальну
енергію не менше 25 кДж .14.3.2. Конструкція і технологія виробництва накопи- 490199000
чувачів енергії з частотою повторення менше 490600000
10 Гц і більше (багаторазових накопичувачів),
що мають номінальну напругу не менше 5 кВ,
густину енергії не менше 50 Дж/кг, загальну
енергію не менше 100 Дж та кількість циклів
заряду-розряду не менше 10000 .14.3.3. Конструкція і технологія виробництва схем 490199000
або систем для накопичення електромагнітної 490600000
енергії, які містять компоненти з понадпро-
відних матеріалів, спеціально спроектованих
для роботи при температурах нижче критичної
температури хоча б з однією з надпровідних
складових, що мають робочі резонансні часто-
ти понад 1 МГц, густину енергії, що накопи-
чується, не менше 1 МДж/куб.м і час розряду
менше 1 мс .14.3.4. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування накопичувачів енергії, 852422100
зазначених у пункті 1.7.3. 852433100
852490910
852490990
1.14.4. Конструкція і технологія виробництва над- 490199000провідних електромагнітів або соленоїдів, 490600000
спеціально спроектованих на повний заряд або
розряд менше ніж за хвилину, що мають макси-
мальну енергію в розряді, поділену на три-
валість розряду понад 500 кДж/хв., внутріш-
ній діаметр струмопровідних обмоток понад
250 мм і номінальну магнітну індукцію понад
8 Т або сумарну густину струму в обмотці
більше 300 А/кв.мм
Примітка. Експортний контроль не поширюється на конст-рукцію і технологію виробництва надпровід-
них електромагнітів або соленоїдів, спе-
ціально спроектованих для медичної апаратури
магніторезонансної томографії.
1.14.5. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не для проектування надпровідних електро- 852422100
магнітів або соленоїдів, зазначених у пункті 852433100
1.7.4. 852490910
852490990
1.14.6. Конструкція і технологія виробництва рентге- 490199000нівських систем з короткоімпульсним розря- 490600000
дом, які мають пікову потужність, що переви-
щує 500 МВт, вихідну напругу, що перевищує
500 кВ, і ширину імпульсу менше 0,2 мкс
1.14.7. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не для проектування рентгенівських систем з 852422100
короткоімпульсним розрядом, зазначених у 852433100
пункті 1.7.5. 852490910
852490990
Розділ 2. ОБРОБЛЕННЯ МАТЕРІАЛІВ
2.1. Виробниче обладнання, оснащення і пристрої
2.1.1. Інструмент, прес-форми, матриці або арматурадля надпластичного деформування (НД) чи тер-
модифузійного зрощення (ДЗ) та суміжного ме-
тоду оброблення (СДДЗ) титану, алюмінію або
їх сплавів, спеціально призначених для ви-
робництва .1.1.1. Корпусів літаків або аерокосмічних конструк- 820730100
цій .1.1.2. Двигунів для літаків або аерокосмічних апа- 820730100
ратів .1.1.3. Компонентів, спеціально призначених для 820730100
конструкцій чи двигунів,зазначених у пунктах
2.1.1.1. і 2.1.1.2.
2.1.2. Універсальні верстати (без програмного керу-вання) для одержання оптично якісної по-
верхні .1.2.1. Токарні верстати, які використовують одну 845899900
точку фрезерування і мають такі характерис-
тики:
точність положення супорта менше 0,0005 мм
на 300 мм переміщення;
повторюваність двонапрямного положення су-
порта менше 0,00025 мм на 300 мм перемі-
щення;
биття та ексцентриситет шпінделя менше
0,0004 мм за індикатором загального зчиту-
вання;
кутова девіація руху супорта (рискання,тан-
гаж та обертання навколо поздовжньої осі)
менше 2 дугових секунд за індикатором за-
гального зчитування на повному переміщенні;
перпендикулярність супорта менше 0,0001 мм
на 300 мм переміщення; .1.2.2. Верстати з летючою фрезою,які мають биття та 845969
ексцентриситет менше 0,0004 мм за індикатором
загального зчитування, кутову девіацію руху
супорта (рискання,тангаж та обертання навко-
ло поздовжньої осі) менше 2 дугових секунд
за індикатором загального зчитування на пов-
ному переміщенні
2.1.3. Верстати з ЧПК або верстати з ручним керуван-ням (включаючи спеціально спроектовані ком-
поненти, елементи керування або пристрої для
них), спеціально спроектовані для фрезеруван-
ня, фінішного оброблення, полірування або
хонінгування загартованих (Rc=40 або більше)
конічних чи циліндричних шестерень .1.3.1. Загартованих конічних шестерень з якістю 846140310
після фінішного оброблення кращою ніж клас 4 846140390
за стандартом ІСО 1328 .1.3.2. Загартованих циліндричних чи одно- або дво- 846140710
заходових черв'ячних шестерень з модулем 846140790
більше 1,250 мм і з лицьовою шириною, що до-
рівнює 15 відсоткам модуля або більше, з
якістю після фінішного оброблення краще ніж
клас 3 за стандартом ІСО 1328
2.1.4. Обладнання, спеціально спроектоване для реа-лізації процесу та керування процесом нане-
сення неорганічного покриття, захисних шарів
та поверхневого модифікування, а також спе-
ціально спроектовані засоби автоматизованого
регулювання, маніпулятори та компоненти ке-
рування .1.4.1. Забезпечене програмно-керованим запам'ятову- 845690000
вальним пристроєм виробниче обладнання для
нанесення твердого покриття з пароподібних
хімічних сполук з такими двома характеристи-
ками:
процес модифікований для одного з таких
методів:
пульсуючого осадження;
керованого термоядерного розкладу;
осадження, підсиленого плазмою або за
допомогою плазми;
використовується будь-який з таких засобів:
з впровадженням високого вакууму (рівним
або меншим 0,01 Па) для ущільнення
обертанням;
з впровадженням засобів контролю за тов-
щиною шару покриття .1.4.2. Забезпечене програмно-керованим запам'ятову- 845610000
вальним пристроєм виробниче обладнання для
іонної імплантації, яке має одну з таких ха-
рактеристик:
силу струму променя 5 мА і більше;
прискорююча напруга понад 200 КеВ;
спеціально спроектовані та оптимізовані
для роботи з прискорюючими напругами ниж-
че 10 КеВ;
мають здатність керованого запису (імплан-
тації в межах заданої області);
придатні для імплантації високоенергетич-
ного кисню в нагрітий метал напівпровід-
никової підложки .1.4.3. Забезпечене програмно-керованим запам'ятову- 845610000
вальним пристроєм виробниче електронно-про-
меневе устаткування для нанесення покриття
методом фізичного осадження парів, яке
включає:
системи електроживлення з розрахунковою
потужністю понад 80 кВт;
лазерну систему керування рівнем рідини у
ванні, яка точно регулює швидкість пода-
вання вихідної речовини; або
керований комп'ютером покажчик (монітор)
швидкості, який працює на принципі фото-
люмінесценції іонізованих атомів у потоці
пару, необхідний для нормування швидкості
осадження покриття, що містить два або
більше елементів .1.4.4. Забезпечене програмно-керованим запам'ятову- 845690000
вальним пристроєм виробниче обладнання для
плазмового напилення, що має одну з таких
характеристик:
працює при зменшеному тиску атмосфери, що
контролюється (рівної або менше 10 кПа,
вимірюваної вище або в середині вихідного
перерізу сопла плазмового пальника) у ва-
куумній камері, здатній забезпечити зни-
ження до 0,01 Па перед початком процесу
напилення;
має у своєму складі засоби контролю за
товщиною шару покриття .1.4.5. Виробничі установки для металізації напилен- 845690000
ням, які мають програмно-керований запам'ято-
вувальний пристрій та здатні забезпечити
щільність струму 0,1 мА/кв.мм або більше з
продуктивністю напилення 15 мкм/год або
більше .1.4.6. Виробничі установки для катодно-дугового на- 851580900
пилення, які мають програмно-керований за-
пам'ятовувальний пристрій та систему електро-
магнітів для керування щільністю струму дуги
на катоді .1.4.7. Виробничі установки для іонної металізації, 845610000
які мають програмно-керований запам'ятову-
вальний пристрій та здатні проводити вимірю-
вання товщини підшарку покриття та керування
продуктивністю або оптичних характеристик
Примітка. Вимоги за пунктом 2.1.4.7. не поширюються настандартні виробничі установки для покриття,
що наноситься іонною металізацією на різаль-
ний інструмент металообробних верстатів.
2.1.4.8. Виробничі установки для сухого травлення 845690000анізотропною плазмою, які мають програмно-
керований запам'ятовувальний пристрій:
з покасетним обробленням пластин та заван-
таженням через шлюзи, які мають одну з та-
ких ознак:
магнітний захист;
електронно-циклотронний резонанс;
спеціально спроектовані для обладнання,за-
значеного в пункті 3.4.3., що має одну з
таких ознак:
магнітний захист;
електронно-циклотронний резонанс .1.4.9. Виробничі установки для хімічного парофазно- 845690000
го осадження покриття плазмовою стимуляцією,
які мають програмно-керований запам'ятову-
вальний пристрій:
з покасетним обробленням пластин та заван-
таженням через шлюзи, які мають одну з та-
ких ознак:
магнітний захист;
електронно-циклотронний резонанс;
спеціально спроектовані для обладнання,
зазначеного в пункті 3.4.3., що мають одну
з таких ознак:
магнітний захист;
електронно-циклотронний резонанс .1.5. Спеціально розроблене обладнання,інструменти
або пристрої для виробництва чи вимірювання
параметрів лопаток газових турбін, литих ло-
патей або країв кожухів .1.5.1. Автоматичне вимірювальне обладнання, в якому 908180100
використовуються немеханічні методи вимірю-
вання товщини стінки несучих профілів лопатей .1.5.2. Інструменти, контрольне та вимірювальне об- 845610000
ладнання для лазерного, водострумного або 845630000
електроерозійного електротехнічного сверд-
лування отворів (порожнин):
глибиною у 4 рази більшою їх діаметра,
діаметром менше 0,76 мм і кутами нахилу,
що дорівнюють або менше 25о;
глибиною у 5 разів більшою їх діаметра,
діаметром менше 0,4 мм і кутами нахилу,
що дорівнюють або менше 25о
Примітка. Кут нахилу вимірюється від поверхні, яка об-дувається потоком тангенційно в точці, де
вісь отвору перетинається з цією поверхнею.
2.1.5.3. Керамічні стержні (ядра, сердечники) або 690390900патрони (вкладиші) .1.5.4. Керамічні стержні (ядра, сердечники) вироб- 690390900
ничого обладнання та інструментів .1.5.5. Керамічні сердечники для вилужувального об- 690390900
ладнання .1.5.6. Керамічні патрони (оболонки) для обладнання 690390900
для виготовлення воскових моделей .1.5.7. Керамічні патрони (вкладиші,оболонки) облад- 690390900
нання для обпалювання або випалювання (впа-
лювання)
2.1.6. Системи для контролю в реальному масштабі 903180100часу, прилади (включаючи датчики) або облад-
нання з ЧПК, спеціально розроблені для ви-
робництва газотурбінних двигунів, техно-
логічно з'єднаних агрегатів чи компонентів,
зазначених у пункті 9.1.8.
2.1.7. Обладнання, спеціально розроблене для вироб- 845961ництва та випробування (перевірки) кріплення 845969
лопаток газових турбін, розроблених для 902410
функціонування при швидкостях на кінцях ло-
паток, що перевищують 335 м/с, і спеціально
розроблені пристрої або деталі для них
2.1.8. Інструменти, штампи і затискні пристрої для 851580100з'єднання в твердому стані (термодифузійного 851590000
зрощення) елементів газотурбінних двигунів
із суперсплавів і титану
2.1.9. Інструменти (оснащення) для виробництва ме- 846299100тодом порошкової металургії та гранульованої
технології елементів роторів турбін двигунів,
здатних функціонувати на рівні 60 відсотків
або більше граничної міцності на розтягуван-
ня та температурі металу 873 К (600гр.C) чи
більше
2.1.10. Обладнання для розроблення і виробництва на-копичувачів на магнітних та оптичних дисках .1.10.1. Обладнання, спеціально спроектоване для на- 845610000
несення магнітного покриття на жорсткі (не 845690000
гнучкі) магнітні або магнітооптичні носії,
зазначені в пункті 4.1.2.5.1.:
Примітка. Вимоги за пунктом 2.1.10.1. не поширюютьсяна обладнання для напилення загального приз-
начення. .1.10.2. Обладнання, яке має програмно-керований за- 847199900
пам'ятовувальний пристрій і спеціально спро-
ектоване для забезпечення якості, сортування
за якістю, прогонів або тестування жорстких
магнітних носіїв,зазначених у пункті 4.1.2.5. .1.10.3. Обладнання, спеціально спроектоване для ви- 903140000
робництва або юстирування головок чи головок,
складених з диском, пристосоване до твердих
магнітних та магнітнооптичних накопичува-
чів, зазначених у пункті 4.1.2.5., а також
їх електромеханічних або оптичних вузлів.
2.1.11. Обладнання для неруйнівного контролю, яке 902219000здатне знаходити дефекти в трьох вимірах, 902229000
застосовуючи методи ультразвукової або рент- 903180390
генівської томографії
2.2. Програмне забезпечення і технологія виробничих процесів
2.2.1. Виробничі процеси металообробки
2.2.1.1. Технологія проектування верстатів (інстру- 490199000менту), прес-форм або затискних пристроїв, 490600000
спеціально спроектованих для таких процесів:
надпластичного деформування;
термодифузійного зрощування;
гідравлічного пресування прямої дії .2.1.2. Технічні дані, які включають параметри або 490199000
методи реалізації процесу і використані для 490600000
керування: .2.1.2.1. надпластичним деформуванням алюмінієвих, ти-
танових сплавів або суперсплавів, включаючи
підготовку поверхні, ступінь деформації,
температуру та тиск;
Примітка. До суперсплавів належать сплави на основі ні-келю, кобальту або заліза, які зберігають ви-
соку міцність при температурах понад 922 К
(649гр.C) у важких умовах функціонування та
навколишнього природного середовища.
2.2.1.2.2. термодифузійним зрощуванням суперсплавів чититанових сплавів, включаючи:
підготовку поверхні;
температуру;
тиск; .2.1.2.3. гідравлічним пресуванням прямої дії алюмі-
нієвих або титанових сплавів, включаючи:
тиск;
час циклу; .2.1.2.4. гарячою ізостатичною деформацією алюмінієвих
і титанових сплавів або суперсплавів, вклю-
чаючи:
температуру;
тиск;
час циклу
2.2.2. Конструкція і технологія виробництва гідрав- 490199000лічних витяжних формувальних машин і матриць 490600000
для виготовлення легких корпусних конструкцій
2.2.3. Конструкція і технологія виготовлення універ-сальних верстатів (без програмного керування)
для придбання оптичних якісних поверхонь .2.3.1. Токарних верстатів, які використовують єдину 490199000
точку фрезерування і мають такі характе- 490600000
ристики:
точність положення супорта менше 0,0005 мм
на 300 мм пересування;
повторення двонапрямного положення супорта
менше 0,0005 мм на 300 мм пересування;
биття та ексцентриситет шпінделя менше
0,0004 мм за показниками індикатора загаль-
ного зчитування;
кутова девіація руху супорта (рискання,
тангаж і обертання навколо поздовжньої осі)
менше 2 дугових секунд за показниками інди-
катора загального зчитування на повному
пересуванні;
перпендикулярність супорта менше 0,01 мм на
300 мм пересування .2.3.2. Верстатів з летючою фрезою, які мають биття 490199000
та ексцентриситет менше 0,0004 мм за показ- 490600000
никами індикатора загального зчитування та
кутову девіацію руху супорта (рискання,тан-
гаж і обертання навколо поздовжньої осі)
менше 2 дугових секунд за показниками інди-
катора загального зчитування на повному пе-
ресуванні
2.2.4. Конструкція і технологія виробництва верста- 490199000тів з ЧПК або верстатів з ручним керуванням, 490600000
включаючи спеціально спроектовані компоненти,
елементи керування та пристрої для них, спе-
ціально спроектованих для фрезерування, фі-
нішного оброблення, полірування та хонінгу-
вання загартованих (Rc=40 чи більше) коніч-
них або циліндричних шестерень згідно з
пунктом 2.1.3.
2.2.5. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва чи застосування програмно-керованих 852423100
верстатів, зазначених у пункті 2.1.3. 852490910
852490990
2.2.6. Конструкція і технологія виробництва облад-нання, спеціально спроектованого для реалі-
зації та керування процесом нанесення неор-
ганічного покриття, захисних шарів, поверх-
невого модифікування, а також спеціально
спроектованих засобів автоматизованого регу-
лювання, приладів, маніпуляторів і компонен-
тів керування .2.6.1. Конструкція і технологія виробництва при- 490199000
ладів, обладнаних програмно-керованим за- 490600000
пам'ятовувальним пристроєм, для нанесення
твердого покриття з кулястих хімічних сполук,
зазначених у пункті 2.1.4.1. .2.6.2. Програмне забезпечення,спеціально розроблене 852421100
або модифіковане для проектування,виробницт- 852422100
ва чи використання приладів для нанесення 852423100
покриття з пароподібних хімічних сполук, 852490910
зазначених у пункті 2.1.4.1. 852490990
2.2.6.3. Конструкція і технологія виробництва прила- 490199000дів, обладнаних програмно-керованим за- 490600000
пам'ятовувальним пристроєм, для іонної
імплантації, зазначених у пункті 2.1.4.2. .2.6.4. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва чи використання приладів для іонної 852423100
імплантації, зазначених у пункті 2.1.4.2. 852490910
852490990
2.2.6.5. Конструкція і технологія виробництва елект- 490199000ронно-променевих приладів, які обладнані 490600000
програмно-керованим запам'ятовувальним прист-
роєм, електронно-променевих пристроїв для на-
несення покриття методом фізичного осадження
парів, зазначених у пункті 2.1.4.3. .2.6.6. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва чи використання електронно-променевих 852423100
приладів для нанесення покриття методом фі- 852490910
зичного осадження парів, зазначених у пункті 852490990
2.1.4.3. .2.6.7. Конструкція і технологія виробництва прила- 490199000
дів, обладнаних програмно-керованим за- 490600000
пам'ятовувальним пристроєм, для плазмового
напилення, зазначених у пункті 2.1.4.4. .2.6.8. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва чи використання приладів для плазмо- 852423100
вого напилення, зазначених у пункті 2.1.4.4. 852490910
852490990
2.2.6.9. Конструкція і технологія виробництва прила- 490199000дів для металізації напиленням, обладнаних 490600000
програмно-керованим запам'ятовувальним прист-
роєм і здатних забезпечити щільність струму
0,1 мА/мм або більше з продуктивністю напи-
лення 15 мкм за годину або більше .2.6.10. Програмне забезпечення, спеціально створене 852421100
або модифіковане для розроблення,виробництва 852422100
чи використання приладів металізації напи- 852423100
ленням, зазначених у пункті 2.1.4.5. 852490910
852490990
2.2.6.11. Конструкція і технологія виробництва прила- 490199000дів, обладнаних програмно-керованим за- 490600000
пам'ятовувальним пристроєм, для катодно-ду-
гового напилення, що мають систему електро-
магнітів для керування щільністю струму дуги
на катоді .2.6.12. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва чи використання приладів для катодно- 852423100
дугового напилення, зазначених у пункті 852490910
2.1.4.6. 852490990
2.2.6.13. Конструкція і технологія виробництва прила- 490199000дів, обладнаних програмно-керованим за- 490600000
пам'ятовувальним пристроєм, для іонної ме-
талізації, зазначених у пункті 2.1.4.7.
Примітка. Експортний контроль не поширюється на конст-рукції та технології виробництва стандарт-
них приладів для покриття, створених іонною
металізацією на різальному інструменті ме-
талообробних верстатів. .2.6.14. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва чи використання приладів для іонної 852423100
металізації, зазначених у пункті 2.1.4.7. 852490910
852490990
2.2.6.15. Конструкція і технологія виробництва прист- 490199000роїв, обладнаних програмно-керованим за- 490600000
пам'ятовувальним пристроєм, для сухого трав-
лення анізотропною плазмою, зазначених у
пунктах 2.1.4.8. .2.6.16. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва чи використання пристроїв для сухого 852423100
травлення анізотропною плазмою, зазначених у 852490910
пункті 2.1.4.8. 852490990
2.2.6.17. Конструкція і технологія виробництва прист- 490199000роїв, обладнаних програмно-керованим за- 490600000
пам'ятовувальним пристроєм, для хімічного
парофазового осадження покриття плазмовою
стимуляцією, зазначених у пункті 2.1.4.9. .2.6.18. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва чи застосування пристроїв для хіміч- 852423100
ного парофазового осадження покриття, зазна- 852490910
чених у пунктах 2.1.4.9. 852490990
2.2.7. Процеси нанесення покриття та модифікаціїповерхні .2.7.1. Технології нанесення "твердого" покриття із 490199000
пароподібних хімічних сполук: 490600000
Примітки: 1. Нанесення "твердого" покриття з пароподібниххімічних сполук - це процес нанесення суто
зовнішнього покриття з модифікацією поверх-
ні, що покривається, коли метал, сплав,
композит, діелектрик чи кераміка нано-
сяться на нагрітий виріб. Газоподібні
продукти (пари, реактанти) розкладаються
або з'єднуються на поверхні виробу, внаслі-
док чого на ній створюються бажані елементи,
сплави або компаунди. Енергія для такого
розкладання або хімічної реакції може бути
забезпечена нагріванням виробу, світінням
плазмового розряду або променем лазера.
2. Нанесення "твердого" покриття осадження хі-
мічних сполук з парової фази включає такі
процеси:
безпорошкове нанесення покриття прямим
газовим потоком,
пульсуюче хімічне осадження парів,
кероване термічне нанесення покриття з
ядерним дробленням, а також із застосу-
ванням потужного потоку плазми чи ре-
алізації хімічного осадження парів з її
участю.
3. Порошкове нанесення означає занурення виробу
в порошок з кількох складових.
4. Газоподібні продукти (пари, реактанти), що
використовуються в безпорошковому процесі,
застосовують з кількома базовими реакціями
і параметрами, такими, як порошкова цемента-
ція, крім випадку, коли на виріб наноситься
покриття без контакту із сумішшю порошка.
2.2.7.1.1. технологія нанесення алюмінідів на внутрішніповерхні виробів із суперсплавів; .2.7.1.2. технологія нанесення силіцидів на:
2.2.7.1.2.1. кераміку та скло з малим коефіцієнтом розши-рення; .2.7.1.2.2. вуглець-вуглецеві композиційні матеріали;
Примітка. Скло з малим коефіцієнтом розширення, зазна-чене в пунктах 2.2.7.1.2.1., 2.2.7.1.3.,
2.2.7.1.4.1., 2.2.7.2.1.10., 2.2.7.2.2.1.,
2.2.7.2.3.1., 2.2.7.2.3.3., 2.2.7.6.6.2.,
2.2.7.6.7.1., 2.2,7.6.8.1., визначається
як скло, що має коефіцієнт температурного
розширення в 1*10 в ступ.(-7) К в ступ.(-1)
чи менше, виміряний при 293К (20гр.C).
2.2.7.1.3. технологія нанесення карбідів на кераміку таскло з малим коефіцієнтом розширення; .2.7.1.4. технологія нанесення діелектричних шарів
покриття на: .2.7.1.4.1. кераміку та скло з малим коефіцієнтом
розширення; .2.7.1.4.2. кераміку та металеві матричні композити;
2.2.7.1.4.3. карбід, цементований вольфрамом;
Примітка. Карбід, цементований вольфрамом, зазначенийу пунктах 2.2.7.1.4.3., 2.2.7.1.5.2.,
2.2.7.1.7.1., 2.2.7.2.1.7., 2.2.7.2.1.9.,
2.2.7.2.1.10., 2.2.7.2.2.1., 2.2.7.2.3.1.,
2.2.7.6.8.4., 2.2.7.6.16.1., 2.2.7.6.17.1.,
2.2.7.7.3.2., 2.2.7.7.4., не включає мате-
ріали, які застосовують для різання та фор-
мування металу, складені з карбіду вольфра-
му (кобальт, нікель), карбіду титану (ко-
бальт, нікель), хрому карбідонікель-хрому
та хрому карбіду нікелю.
2.2.7.1.4.4. молібден та його сплави;
2.2.7.1.4.5. берилій та його сплави;
2.2.7.1.4.6. матеріали вікон датчиків;
Примітки: 1. Матеріали вікон датчиків, зазначених у пунк-тах 2.2.7.1.4.6., 2.2.7.2.1.10., 2.2.7.2.2.1.,
2.2.7.2.3.1., 2.2.7.2.3.2., такі:
алюмін (окис алюмінію), кремній, германій,
сульфід цинку, селенід цинку,арсенід галію;
галогеніди металів: йодистий калій, фто-
ристий калій;
матеріали вікон датчиків діаметром понад
40 мм з бромистого талію та хлоробромистого
талію.
2. Діелектричні шарові покриття, зазначені у
пунктах 2.2.7.1.4.6., 2.2.7.2.1.10.,
2.2.7.2.2.1., 2.2.7.2.3.1., 2.2.7.6.8.,
визначаються як багатошарові ізолюючі ма-
теріали, в яких інтерференційні властивості
конструкції сполучаються з різними індекса-
ми перевідбиття, що використовуються для
відбиття, передачі чи поглинання різних
діапазонів довжини хвиль. Діелектричні шари
визначаються за кількістю більше ніж чотири
чи за якістю як композит: діелектрик/метал.
2.2.7.1.5. технологія нанесення карбідів та їх сумішейна: .2.7.1.5.1. кераміку та металеві матричні композити;
2.2.7.1.5.2. карбід, цементований вольфрамом;
2.2.7.1.5.3. карбід кремнію
Примітка. Суміші, зазначені у пунктах 2.2.7.1.5.,2.2.7.2.1.1. - 2.2.7.2.1.9., 2.2.7.3.1.,
2.2.7.3.2., 2.2.7.4.1., 2.2.7.4.2.,
2.2.7.4.7., 2.2.7.5.3., 2.2.7.6.1.-
2.2.7.6.7., 2.2.7.6.15. - 2.2.7.6.17,
включають інфільтруючий матеріал, композиції,
які вирівнюють температуру процесу, присадки,
багаторівневі матеріали та реалізуються одним
чи кількома процесами нанесення покриття. .2.7.1.6. технологія нанесення тугоплавких металів та
їх сплавів на кераміку та металеві матричні
композити;
Примітка. Тугоплавкі метали, зазначені у пунктах2.2.7.2.6., 2.2.7.2.1.8., 2.2.7.3.3.2.,
2.2.7.3.6., 2.2.7.4.8.1., 2.2.7.4.9.1.,
2.2.7.4.10.1., 2.2.7.6.14.2., 2.2.7.6.15.,
складаються з таких металів та їх сплавів:
ніобію (колумбію - в США), молібдену, воль-
фраму,танталу.
2.2.7.1.7. технологія нанесення вольфраму та йогосуміші на: .2.7.1.7.1. карбід, цементований вольфрамом;
2.2.7.1.7.2. карбід кремнію
2.2.7.2. Технологія нанесення покриття методом фізич- 490199000ного осадження парів термовипаровуванням: 490600000
Примітки: 1. Фізичне осадження парів випаровуванням (тер-мовипаровуванням) - це процес суто зов-
нішнього покриття у вакуумі з тиском, меншим
0,1 Па, коли джерело теплової енергії вико-
ристовується для перетворення у пар матеріа-
лу, що наноситься. Внаслідок цього процесу
конденсат або покриття осідає на відповідні
частини поверхні виробу. Гази,що утворюються
у вакуумній камері в процесі осадження, пог-
линаються у більшості модифікацій процесу
елементами складної суміші (компаундами)
покриття. Використання іонного чи електрон-
ного випромінювання або плазми для активіза-
ції чи участі у нанесенні покриття властиве
більшості модифікацій процесу фізичного осад-
ження парів термовипаровуванням.Застосування
моніторів для забезпечення вимірювання у ході
процесу оптичних характеристик або товщини
покриття може бути реалізоване у майбутньому
для процесів такого типу.
2. Іонне плакування - спеціальна модифікація
генерального процесу фізичного осадження па-
рів термовипаровуванням, в якій плазмове чи
іонне джерело використовується для іонізації
матеріалу покриття, що наноситься, а негатив-
ний заряд виробу сприяє осіданню складових
покриття з плазми. Введення активних реаген-
тів, випаровування твердих матеріалів у ка-
мері, а також використання моніторів, які
забезпечують вимірювання (у процесі нанесен-
ня покриття) оптичних характеристик і товщи-
ни покриття, властиві звичайним модифікаціям
процесу фізичного осадження парів термовипа-
ровуванням.
2.2.7.2.1. технологія нанесення покриття методом елек-тронно-променевого фізичного осадження парів:
Примітка. Під час електронно-променевого фізичногоосадження використовується електронний про-
мінь для нагрівання та випаровування мате-
ріалу, який наноситься на виріб.
2.2.7.2.1.1. технологія нанесення сплавів силіцидів та їхсумішей на суперсплави; .2.7.2.1.2. технологія нанесення силіцидів та їх сумішей
на:
суперсплави;
кераміку та металеві матричні композити;
вуглець-вуглецеві композиційні матеріали;
2.2.7.2.1.3. технологія нанесення сплавів алюмінідів таїх сумішей на суперсплави; римітка. Термін "покриття сплавів на основі алюміні-
дів", використаний у пунктах 2.2.7.2.1.3.,
2.2.7.2.4.2., 2.2.7.4.6., включає одиничне
або багатошарове нанесення покриття, в якому
на елемент чи елементи осідає покриття рані-
ше або протягом процесу алітування, навіть
якщо на ці елементи були осаджені покриття
іншим процесом. Проте це виключає багатора-
зове використання однокрокового процесу
порошкового алітування для отримання сплавів
алюмінідів.
2.2.7.2.1.4. технологія нанесення MCrAlX та їх сумішей на:суперсплави;
корозійностійкі сталі;
Примітка. MCrAlX, зазначений у пунктах 2.2.7.2.1.4.,2.2.7.2.4.3., 2.2.7.4.1., 2.2.7.6.4., від-
повідає складній суміші покриття, де M - ек-
вівалентне кобальту, залізу, нікелю або їх
комбінації, а X - еквівалентне гафнію, ітрію,
кремнію, танталу в будь-якій кількості чи
іншим спеціально внесеним добавкам понад
0,01 відсотка за вагою у різних пропорціях і
комбінаціях, крім:
CoCrAlY- покриття, що містять менше 22 від-
сотків за вагою хрому, менше 7 відсотків за
вагою алюмінію та менше 2 відсотків за вагою
ітрію;
CoCrAlY- покриття, що містять 22-24 відсотки
за вагою хрому, 0,5-0,7 відсотка за вагою
ітрію;
NiCrAlY- покриття, що містять 21-23 відсотки
за вагою хрому, 10-12 відсотків за вагою
алюмінію та 0,9-1,1 відсотка за вагою ітрію. .2.7.2.1.5. технологія нанесення модифікованого оксиду
цирконію та сумішей на його основі на:
суперсплави;
корозійностійкі сталі; .2.7.2.1.6. технологія нанесення алюмінідів та їх сумі-
шей на суперсплави; .2.7.2.1.7. технологія нанесення карбідів та їх сумішей
на:
вуглець-вуглецеві композиційні матеріали;
кераміку та металеві матричні композити;
карбід , цементований вольфрамом;
карбід кремнію; .2.7.2.1.8. технологія нанесення тугоплавких металів та
їх сплавів на:
кераміку та металеві матричні композити;
вуглець-вуглецеві композиційні матеріали; .2.7.2.1.9. технологія нанесення вольфраму та його су-
міші на:
карбід , цементований вольфрамом;
карбід кремнію; .2.7.2.1.10. технологія нанесення діелектричного шарового
покриття на:
кераміку та скло з малим коефіцієнтом
розширення;
вуглець-вуглецеві композиційні матеріали;
кераміку та металеві матричні композити
карбід, цементований вольфрамом;
карбід кремнію;
молібден та його сплави;
берилій та його сплави;
матеріали вікон датчиків; .2.7.2.1.11. технологія нанесення боридів на титанові
сплави;
Примітка. Титанові сплави, зазначені у пунктах2.2.7.2.1.11., 2.2.7.2.1.12., 2.2.7.3.4.,
2.2.7.3.5., 2.2.7.4.3.2., 2.2.7.4.4.2.,
2.2.7.4.5.2., 2.2.7.4.6.2., 2.2.7.4.8.2.,
2.2.7.4.9.2., 2.2.7.4.10.2., 2.2.7.7.2.1.,
2.2.7.7.3.1., визначаються як аерокосмічні
сплави з найбільшим значенням міцності на
розрив у 900 МПа або більше, виміряним при
293 К (20гр.C).
2.2.7.2.1.12. технологія нанесення нітридів на титановісплави; .2.7.2.2. технологія нанесення покриття методом фізич-
ного осадження парів з іонізацією за допомо-
гою резистивного нагрівання (іонне покриття);
Примітка. Фізичне осадження з терморезистором викорис-товує електричний опір як джерело тепла, що
здатне забезпечити контрольований та рівно-
мірний (однорідний) потік парів матеріалу
покриття.
2.2.7.2.2.1. технологія нанесення діелектричного шаровогопокриття на:
кераміку та скло з малим коефіцієнтом роз-
ширення;
вуглець-вуглецеві композиційні матеріали;
кераміку та металеві матричні композити;
карбід, цементований вольфрамом;
карбід кремнію;
молібден та його сплави;
берилій та його сплави;
матеріали вікон датчиків; .2.7.2.3. технологія нанесення покриття методом фізич-
ного осадження парів з використанням лазер-
ного випаровування;
Примітка. Під час лазерного випаровування використо-вується імпульсний або безперервний лазерний
промінь для нагрівання матеріалу, який фор-
мує покриття.
2.2.7.2.3.1. технологія нанесення діелектричного шаровогопокриття на:
кераміку та скло з малим коефіцієнтом
розширення;
вуглець-вуглецеві композиційні матеріали;
кераміку та металеві матричні композити;
карбід, цементований вольфрамом;
карбід кремнію;
молібден та його сплави;
берилій та його сплави;
матеріали вікон датчиків; .2.7.2.3.2. технологія нанесення алмазоподібного вуглецю
на матеріали вікон датчиків; .2.7.2.3.3. технологія нанесення силіцидів на кераміку та
скло з малим коефіцієнтом розширення; .2.7.2.4. технологія нанесення покриття методом фі-
зичного осадження парів із застосуванням ка-
тодно-дугового розряду;
Примітка. Під час процесу покриття із застосуваннямкатодної дуги використовується витрачений
катод як матеріал, що формує покриття, і має
сталий розряд дуги на поверхні катоду після
миттєвого контакту з заземленим пусковим
пристроєм (трігером). Контрольована дугова
ерозія поверхні катода приводить до створен-
ня високоіонізованої плазми. Анод може бути
або конічним і розміщеним на периферії като-
да крізь ізолятор, або сама камера може вико-
нувати роль анода. Для нелінійного керування
нанесенням ізоляції використовуються вироби
з регулюванням їх положення. Це визначення
не включає нанесення покриття безладною
(довільною) катодною дугою з фіксованим по-
ложенням виробу.
2.2.7.2.4.1. технологія нанесення сплавів силіцидів насуперсплави; .2.7.2.4.2. технологія нанесення сплавів алюмінію на
суперсплави; .2.7.2.4.3. технологія нанесення MCrAlX на суперсплави;
2.2.7.2.4.4. технологія нанесення боридів на:полімери;
органічні матричні композити;
Примітка. Зазначені у пунктах 2.2.7.2.4.4.,2.2.7.2.4.5., 2.2.7.2.4.6. полімери містять:
поліамід, поліефір, полісульфід, полікарбо-
нати та поліуретани.
2.2.7.2.4.5. технологія нанесення карбідів на:полімери;
органічні матричні композити; .2.7.2.4.6. технологія нанесення нітридів на:
полімери;
органічні матричні композити .2.7.3. Технологія нанесення покриття методом цемен- 490199000
тування: 490600000
Примітки: 1. Технологія для однокрокового порошкового це-ментування твердих профілів крил експортному
контролю не підлягає.
2. Порошкове цементування - модифікація методу
нанесення покриття на поверхню або процес
нанесення суто зовнішнього покриття, коли
виріб занурено в пудру - суміш декількох
компонентів (в пакет), яка складається з:
металевих порошків, які входять до складу
покриття (звичайний алюміній,хром,кремній
або їх комбінації);
активатора (у більшості випадків гало-
генідна сіль);
інертної пудри,найчастіше оксиду алюмінію.
Виріб і порошок містяться у середені реторти
(камери), яка нагрівається від 1030 К (757гр.C)
до 1375 К (1102гр.C) на час, достатній для на-
несення покриття.
2.2.7.3.1. технологія нанесення силіцидів та їх сумішейна: .2.7.3.1.1. вуглець-вуглецеві композиційні матеріали;
2.2.7.3.1.2. кераміку та металеві матричні композити;
2.2.7.3.2. технологія нанесення карбідів та їх сумішейна: .2.7.3.2.1. вуглець-вуглецеві композиційні матеріали;
2.2.7.3.2.2. кераміку та металеві матричні композити;
2.2.7.3.3. технологія нанесення силіцидів на :
2.2.7.3.3.1. титанові сплави;
2.2.7.3.3.2. тугоплавкі метали та їх сплави;
2.2.7.3.4. технологія нанесення алюмінідів на титановісплави; .2.7.3.5. технологія нанесення сплавів алюмінідів на
титанові сплави; .2.7.3.6. технологія нанесення оксидів на тугоплавкі
метали та їх сплави .2.7.4. Технологія нанесення покриття методом плаз- 490199000
мового напилення: 490600000
Примітки: 1. Плазмове напилення - процес нанесення сутозовнішнього покриття, коли плазмова гармата
(пальник напорошення), в якій створюється та
спрямовується плазма, і яка приймає пудру та
пруток (дріт) з матеріалу покриття, розплав-
ляє їх і направляє на виріб, де формується
інтегрально зв'язане покриття.
Плазмове напилення може бути побудоване на
напиленні плазмою низького тиску або висо-
кошвидкісною плазмою, яка реалізується під
водою.
2. Низький тиск означає тиск нижчий від атмос-
ферного.
3. Високошвидкісна плазма визначається швидкістю
газу на зрізі сопла (пальника напилення), що
перевищує 750 м/с, розрахованій при темпера-
турі 293 К (20гр.C) і тиску 0,1 МПа.
2.2.7.4.1. технологія нанесення MCrAlX та їх сумішей на:
2.2.7.4.1.1. суперсплави;
2.2.7.4.1.2. алюмінієві сплави;
2.2.7.4.1.3. корозійностійкі сталі;
Примітка. Термін "алюмінієві сплави", використаний упунктах 2.2.7.4.1.2.,2.2.7.4.2.2., 2.2.7.4.7.,
відповідає сплавам з найбільшим значенням
міцності на розрив у 190 МПа чи більше, вимі-
ряним при температурі 293 К (20гр.C).
2.2.7.4.2. технологія нанесення модифікованого оксидуцирконію і його сумішей на: .2.7.4.2.1. суперсплави;
2.2.7.4.2.2. алюмінієві сплави;
2.2.7.4.2.3. корозійностійкі сталі;
Примітка. Зазначений в пунктах 2.2.7.4.2., 2.2.7.6.5.модифікований оксид цирконію відповідає до-
бавкам оксидів інших металів (таких, як
кальцій, магній, ітрій, гафрій рідкіснозе-
мельних оксидів тощо) в оксид цирконію
відповідно до умов стабільності визначених
кристалографічних фаз і фази зміщення. Тер-
мостійкі покриття з оксиду цирконію, мо-
дифіковані кальцієм або оксидом магнію мето-
дом змішування чи розплавлення, експортному
контролю не підлягають.
2.2.7.4.3. технологія нанесення ерозійностійкого нікель-графіту на: .2.7.4.3.1. суперсплави;
2.2.7.4.3.2. титанові сплави;
2.2.7.4.4. технологія нанесення ерозійностійкого нікель-хром-алюміній-бетоніта на: .2.7.4.4.1. суперсплави;
2.2.7.4.4.2. титанові сплави;
2.2.7.4.5. технологія нанесення ерозійностійкого алюмінійкремній-поліефіру на: .2.7.4.5.1. суперсплави;
2.2.7.4.5.2. титанові сплави
2.2.7.4.6. технологія нанесення сплавів алюмінідів на:
2.2.7.4.6.1. суперсплави;
2.2.7.4.6.2. титанові сплави;
2.2.7.4.7. технологія нанесення силіцидів та їх сумі-шей на алюмінієві сплави; .2.7.4.8. технологія нанесення алюмінідів на:
2.2.7.4.8.1. тугоплавкі метали та їх сплави;
2.2.7.4.8.2. титанові сплави;
2.2.7.4.9. технологія нанесення силіцидів на:
2.2.7.4.9.1. тугоплавкі метали та їх сплави;
2.2.7.4.9.2. титанові сплави;
2.2.7.4.10. технологія нанесення карбідів на:
2.2.7.4.10.1. тугоплавкі метали та їх сплави;
2.2.7.4.10.2. титанові сплави;
2.2.7.5. Технологія нанесення покриття методом осад- 490199000ження суспензії: 490600000
Примітка. Осадження суспензії - це процес нанесенняпокриття з модифікацією поверхні, що покри-
вається, або суто зовнішнього покриття, коли
металева чи керамічна пудра з органічним
зв'язуючим, суспензованим у рідині, з'єдну-
ються з виробом напиленням, зануренням або
фарбуванням з наступним повітряним чи пічним
осушенням і тепловим обробленням для досяг-
нення необхідних властивостей покриття.
2.2.7.5.1. технологія нанесення легкоплавких силіцидівна тугоплавкі метали та їх сплави; .2.7.5.2. технологія нанесення легкоплавких алюміні-
дів (крім матеріалів для теплостійких еле-
ментів) на тугоплавкі метали та їх сплави; .2.7.5.3. технологія нанесення силіцидів та їх сумішей
на: .2.7.5.3.1. вуглець-вуглецеві композиційні матеріали;
2.2.7.5.3.2. керамічні та металеві матричні композити;
2.2.7.5.4. технологія нанесення карбідів та їх сумішейна :
вуглець-вуглецеві композиційні матеріали;
керамічні та металеві матричні композити;
2.2.7.6. Технологія нанесення покриття методом 490199000металізації розпилення: 490600000
Примітки: 1. Металізація розпиленням - це процес нанесен-ня суто зовнішнього покриття, що базується
на феномені передачі кількості руху, коли
позитивні іони прискорюються в електричному
полі у напрямку до поверхні мішені (ма-
теріалу покриття). Кінетична енергія ударів
іонів достатня для утворення на поверхні мі-
шені атомів матеріалу покриття з відповідним
розміщенням їх на виробі.
2. Враховуються лише тріодна, магнетронна чи
реактивна металізація розпиленням, які зас-
тосовуються для збільшення адгезії матеріалу
покриття та швидкості його нанесення, а та-
кож радіочастотне підсилення напилення, що
використовується під час нанесення пароутво-
рюючих неметалевих матеріалів покрить.
3. Низькоенергетичні іонні промені ( менше
5 кеВ) можуть бути використані для приско-
рення (активізації) процесу нанесення пок-
риття.
2.2.7.6.1. технологія нанесення сплавів силіцидів таїх сумішей на суперсплави; .2.7.6.2. технологія нанесення сплавів алюмінідів та
їх сумішей на: .2.7.6.2.1. суперсплави;
2.2.7.6.2.2. титанові сплави;
2.2.7.6.3. технологія нанесення покриття на основіалюмінідів, модифікованих благородними ме-
талами, на суперсплави
Примітка. Термін "покриття на основі алюмінідів з мо-дифікацією благородними металами" містить
багатокрокове нанесення покриття, при якому
благородний метал або благородні метали нано-
сяться раніше будь-яким іншим процесом до
застосування методу нанесення алюмініду.
2.2.7.6.4. технологія нанесення MCrAlX та їх сумішей насуперсплави .2.7.6.5. технологія нанесення модифікованого оксиду
цирконію та його суміші на суперсплави .2.7.6.6. технологія нанесення платини та її суміші на:
2.2.7.6.6.1. суперсплави;
2.2.7.6.6.2. кераміку та скло з малим коефіцієнтомрозширення; .2.7.6.7. технологія нанесення силіцидів та їх сумішей
на: .2.7.6.7.1. кераміку та скло з малим коефіцієнтом
розширення; .2.7.6.7.2. вуглець-вуглецеві композиційні матеріали;
2.2.7.6.7.3. кераміку та металеві матричні композити;
2.2.7.6.8. технологія нанесення діелектричного шаровогопокриття на: .2.7.6.8.1. кераміку та скло з малим коефіцієнтом роз-
ширення; .2.7.6.8.2. вуглець-вуглецеві композиційні матеріали;
2.2.7.6.8.3. кераміку та металеві матричні композити;
2.2.7.6.8.4. карбід, цементований вольфрамом;
2.2.7.6.8.5. карбід кремнію;
2.2.7.6.8.6. молібден та його сплави;
2.2.7.6.8.7. берилій та його сплави;
2.2.7.6.8.8. матеріали вікон датчиків;
2.2.7.6.9. технологія нанесення боридів на титановісплави; .2.7.6.10. технологія нанесення нітридів на титанові
сплави; .2.7.6.11. технологія нанесення оксидів на:
2.2.7.6.11.1. титанові сплави;
2.2.7.6.11.2. тугоплавкі метали та їх сплави;
2.2.7.6.12. технологія нанесення силіцидів на:
2.2.7.6.12.1. титанові сплави;
2.2.7.6.12.2. тугоплавкі метали та їх сплави;
2.2.7.6.13. технологія нанесення алюмінідів на:
2.2.7.6.13.1. титанові сплави;
2.2.7.6.13.2. тугоплавкі метали та їх сплави;
2.2.7.6.14. технологія нанесення карбідів на:
2.2.7.6.14.1. титанові сплави;
2.2.7.6.14.2. тугоплавкі метали та їх сплави;
2.2.7.6.15. технологія нанесення тугоплавких металів таїх сумішей на: .2.7.6.15.1. вуглець-вуглецеві композиційні матеріали;
2.2.7.6.15.2. кераміку та металеві матричні композити;
2.2.7.6.16. технологія нанесення карбідів та їх сумішейна: .2.7.6.16.1. карбід, цементований вольфрамом;
2.2.7.6.16.2. карбід кремнію;
2.2.7.6.17. технологія нанесення вольфраму та його сумі-шей на: .2.7.6.17.1. карбід, цементований вольфрамом;
2.2.7.6.17.2. карбід кремнію
2.2.7.7. Технологія нанесення покриття методом іон- 490199000ної імплантації: 490600000
Примітка. Іонна імплантація - процес нанесення пок-риття з модифікацією поверхні виробу, в яко-
му матеріал (сплав) іонізується, приско-
рюється системою, що володіє градієнтом по-
тенціалу, і насичується (імплантується) на
ділянку поверхні виробу.
До процесів з іонним насиченням належать
і процеси, в яких іонне насичення мимоволі
виконується з випаровуванням електронним
променем або металізацією розпиленням.
2.2.7.7.1. технологія нанесення добавок хрому, танта-лу чи ніобію (колумбію) на жароміцні сталі; .2.7.7.2. технологія нанесення боридів на:
2.2.7.7.2.1. титанові сплави;
2.2.7.7.2.2. берилій та його сплави;
2.2.7.7.3. технологія нанесення нітридів на:
2.2.7.7.3.1. титанові сплави;
2.2.7.7.3.2. карбід, цементований вольфрамом;
2.2.7.7.4. технологія нанесення карбідів на карбіди,цементовані вольфрамом
2.2.8. Конструкція і технологія виробництва спе-ціально розробленого обладнання, інстру-
ментів або пристроїв для виробництва чи
вимірювання параметрів лопаток газових
турбін, литих лопатей або кромок кожухів: .2.8.1. Конструкція і технологія виробництва авто- 490199000
матичного вимірювального обладнання, в якому 490600000
використовуються немеханічні методи вимірю-
вання товщини стін несучих профілів лопаток .2.8.2. Програмне забезпечення, спеціально розроб- 852421100
лене для проектування, виробництва або ви- 852422100
користання автоматичного вимірювального об- 852423100
ладнання, зазначеного у пункті 2.1.5.1. 852490910
852490990
2.2.8.3. Конструкція і технологія виробництва інст- 490199000рументів, фіксаційного та вимірювального об- 490600000
ладнання для лазерного, водоструминного або
електроерозійного електротехнічного сверд-
лування отворів (порожнин), зазначених у
пункті 2.1.5.2. .2.8.4. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування, виробництва або вико- 852422100
ристання інструментів, фіксаційного та вимі- 852423100
рювального обладнання для лазерного, водо- 852490910
струминного або електроерозійного електро- 852490990
технічного свердлування отворів (порожнин),
зазначених у пункті 2.1.5.2. .2.8.5. Конструкція і технологія виробництва ке- 490199000
рамічних стержнів (ядер, осердя) виробничо- 490600000
го обладнання або патронів (укладок) .2.8.6. Конструкція і технологія виробництва кера- 490199000
мічних стержнів (ядер, осердя) виробничого 490600000
обладнання або інструментів .2.8.7. Конструкція і технологія виробництва ке- 490199000
рамічних осердь для вилужування обладнання 490600000
2.2.8.8. Конструкція і технологія виробництва кера- 490199000мічних патронів (оболонок) обладнання для 490600000
виготовлення воскових моделей .2.8.9. Конструкція і технологія виробництва кера- 490199000
мічних патронів (укладок, оболонок) вироб- 490600000
ництва для обпалювання або випалювання
(впалювання) .2.9. Конструкція і технологія виробництва систем 490199000
для контролю у реальному масштабі з ЧПК, 490600000
спеціально розроблених для виробництва
газотурбінних двигунів, технологічно об'єд-
наних агрегатів або компонентів, зазначених
у пункті 9.1.8.
2.2.10. Програмне забезпечення, спеціально розроб- 852421100лене для проектування, виробництва чи вико- 852422100
ристання систем контролю приладами або об- 852423100
ладнанням з ЧПК, зазначених у пункті 2.1.6. 852490910
852490990
2.2.11. Конструкція і технологія виробництва облад- 490199000нання, спеціально розробленого для вироб- 490600000
ництва, випробувань або перевірки кріплень
лопаток газових турбін, розроблених для функ-
ціонування при швидкостях на кінцях лопаток,
які перевищують 335 м/с, і спеціально розроб-
лені пристрої або деталі до них
2.2.12. Програмне забезпечення, спеціально розроб- 852421100лене для проектування, виробництва чи вико- 852422100
ристання обладнання для виробництва та випро- 852423100
бування кріплень лопаток газових турбін, 852490910
зазначених у пункті 2.1.7. 852490990
2.2.13. Конструкція і технологія виробництва інст- 490199000рументів, штампів і затискних пристроїв для 490600000
з'єднання в твердому стані (термодифузійним
зрощуванням) елементів газотурбінних дви-
гунів із суперсплавів і титану
2.2.14. Програмне забезпечення для проектування та 852421100виробництва інструментів, штампів і затиск- 852422100
них пристроїв, зазначених у пункті 2.1.8. 852423100
852490910
852490990
2.2.15. Конструкція і технологія виробництва ін- 490199000струментів (обладнання) для виробництва ме- 490600000
тодом порошкової металургії та гранульної
технології елементів роторів турбін дви-
гунів, здатних функціонувати при напрузі на
рівні 60 відсотків або більше граничної
міцності на разтягування та температурі ме-
талу 873 К (600гр.C) чи більше
2.2.16. Програмне забезпечення для проектування, 852421100виробництва та використання інструментів 852422100
(оснащення), зазначених у пункті 2.1.9. 852423100
852490910
852490990
2.2.17. Конструкція і технологія виробництва облад-нання для розроблення та виробництва накопи-
чувачів на магнітних і оптичних дисках .2.17.1. Конструкція і технологія виробництва об- 490199000
ладнання, спеціально спроектованого для на- 490600000
несення магнітного покриття на магнітні,
оптичні або магнітооптичні носії, зазначені
у пункті 4.1.2.5.1.
Примітка. Вимоги за пунктом 2.2.17.1. не поширюютьсяна конструкції та технології обладнання для
напилення загального призначення.
2.2.17.2. Конструкція і технологія виробництва облад- 490199000нання, яке має програмно-керований за- 490600000
пам'ятовувальний пристрій, спеціально спро-
ектований для забезпечення якості, сортуван-
ня за якістю, прогонів або тестування твер-
дотільних магнітних носіїв, зазначених у
пункті 4.1.2.5.2. .2.17.3. Конструкція і технологія виробництва об- 490199000
ладнання, спеціально спроектованого для ви- 490600000
робництва або юстирування голівок чи голі-
вок складених з диском, стосовно підлеглих
експортному контролю твердотільних магнітних
та магнітооптичних накопичувачів, а також
електромеханічних або оптичних вузлів, заз-
начених у пункті 4.1.2.5.
2.2.18. Програмне забезпечення, спеціально розроб- 852421100лене або модифіковане для проектування, ви- 852422100
робництва чи використання обладнання для 852423100
розроблення та виробництва накопичувачів на 852490910
магнітних та оптичних дисках, зазначених у 852490990
пункті 2.1.10.
2.2.19. Конструкція і технологія для виробництва 490199000обладнання для неруйнівного контролю, здатне 490600000
знаходити дефекти в трьох вимірах, викорис-
товуючи методи ультразвукової або рент-
генівської томографії та спеціально створене
для композитних матеріалів
2.2.20. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не або модифіковане для проектування вироб- 852422100
ництва чи використання в обладнанні для не- 852423100
руйнуючого контролю, зазначеного у пункті 852490100
2.1.11. 852490900
Розділ 3. ЕЛЕКТРОНІКА
3.1. Вироби, обладнання і компоненти
3.1.1. Інтегральні схеми
Примітки: 1. Необхідність експортного контролю на готовіпластини або напівфабрикати, на яких відтво-
рена конкретна функція, оцінюється за пара-
метрами, зазначеними в пункті 3.1.1.
2. Поняття "інтегральні схеми" включає такі
типи:
твердотільні інтегральні схеми;
гібридні інтегральні схеми;
багатокристалічні інтегральні схеми;
плівкові інтегральні схеми, а також ці
схеми з інтегральними схемами типу
"кремній на сапфіри";
оптичні інтегральні схеми.
3.1.1.1. Мікропроцесорні мікросхеми, мікрокомп'ютернімікросхеми і мікросхеми мікроконтролерів,
які мають одну з таких характеристик:
Примітки: 1. Експортний контроль за пунктом 3.1.1.1. непоширюється на кремнієві мікрокомп'ютерні
мікросхеми та мікросхеми мікроконтролерів,
які мають довжину операнду (даних) 8 біт і
менше.
2. Пункт 3.1.1.1. містить цифрові сигнальні
процесори, цифрові матричні процесори і
цифрові співпроцесори.
3.1.1.1.1. розрядність зовнішньої шини даних перевищує 85421187032 біта або розрядність доступу до арифметич-
но-логічного пристрою перевищує 32 біта; .1.1.1.2. тактова частота перевищує 40 МГц; 8542
3.1.1.1.3. зовнішня шина даних має розрядність 32 бітаі більше,а продуктивність дорівнює 12,5 млн.
команд за секунду і більше; 854211870
Примітка. Якщо продуктивність не визначена, слід ко-ристуватися величиною, зворотною середній
тривалості команди (в мікросекундах).
3.1.1.1.4. процесор паралельного типу, оснащений для 854211760зовнішнього підключення більше ніж однією
шиною даних або команд чи послідовним пор-
том зв'зку з пропускною здатністю понад
2,4 Мбайт/с .1.1.2. Інтегральні схеми пам'яті:
3.1.1.2.1. електрично перепрограмовані напівпостійні 854211720запам'ятовувальні пристрої з довільною ви-
біркою з ємністю пам'яті,що перевищує 1 Мбіт
на один корпус або 256 Кбіт на один корпус,
і які мають максимальний час доступу 80 нс .1.1.2.2. статичні запам'ятовувальні пристрої з довіль- 854211550
ною вибіркою з ємністю пам'яті, що перевищує
1 Мбіт на один корпус або 256 Кбіт на один
корпус, і які мають максимальний час доступу
25 нс .1.1.2.3. інтегральні схеми пам'яті, виготовлені на 854211760
основі складного напівпровідника .1.1.3. Електроннооптичні або оптичні інтегральні 85429
схеми для обробки сигналів, які мають:
один внутрішній лазерний діод або більше;
один внутрішній світлочутливий елемент або
більше;
оптичні хвильоводи .1.1.4. Програмовані у користувача базові матричні 854211300
кристали,які мають одну з таких характеристик:
еквівалентна кількість вентилів більше
30000 (в переліку на двовходові);
типовий час затримки поширення сигналу
в базовому вентилі менше 0,4 нс .1.1.5. Програмовані у користувача логічні матриці, 854211910
які мають хоча б одну з таких характеристик:
еквівалентна кількість вентилів більше
5000 (в переліку на двовходові);
частота перемикання перевищує 100 МГц .1.1.6. Інтегральні схеми для нейронних мереж 854219
3.1.1.7. Замовні інтегральні схеми, які мають одну з 854219таких характеристик:
кількість виводів більше 144;
типовий час затримки поширення сигналу
в базовому вентилі менше 0,4 нс;
робоча частота більше 3 ГГц .1.1.8. Цифрові інтегральні схеми, що відрізняються 854211990
від зазначених у пунктах 3.1.1.1. - 3.1.1.7.,
створені на основі будь-якого складного
напівпровідника і мають хоча б одну з таких
характеристик:
еквівалентна кількість вентилів більше 300
(в переліку на двовходові);
частота перемикання понад 1,2 ГГц
3.1.2. Прилади мікрохвильового та міліметровогодіапазону .1.2.1. Електронні вакуумні лампи та катоди:
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.1.2.1. непоширюється на лампи, призначені для роботи
у стандартному діапазоні частот цивільної
комунікації, з частотами, які не перевищують
31 ГГц. .1.2.1.1. Лампи біжучої хвилі імпульсної або безперерв- 854049000
ної дії:
які працюють на частотах більше 31 ГГц;
які мають елемент підігріву катоду з
часом від включення до виходу лампи на
номінальту радіочастотну потужність менше
3 с;
із сполученими резонаторами або їх модифі-
каціями;
із спіраллю або її модифікацією, які мають
одну з таких ознак:
миттєва ширина смуги частот дорівнює
пів-октави та більше і добуток номіналь-
ної середньої вихідної потужності (в
кіловатах) на максимальну робочу частоту
(в ГГц) перевищує 0,2;
миттєва ширина смуги частот дорівнює
меньше пів-октави і, добуток номінальної
середньої вихідної потужності (в кілова-
тах) на максимальну робочу частоту
(в ГГц) перевищує 0,4;
за технічними умовами придатні для кос-
мічного використання; .1.2.1.2. НВЧ-прилади-підсилювачі магнетронного типу з 854041000
коефіцієнтом підсилення більше 17 дБ .1.2.1.3. Інтегровані катоди для електронних ламп, які 854049000
мають одну з таких ознак:
час від вмикання до виходу на номінальну
емісію менше 3 с;
щільність току при безперевній емісії та
штатних умовах функціонування більше
5А/кв.см .1.2.2. Інтегральні схеми або модулі мікрохвильового 854049000
діапазону, які містять твердотільні інтег-
ральні схеми і працюють на частотах понад
31 ГГц римітка. Експортний контроль за пунктом 3.1.2.2. не
поширюється на схеми та модулі для
устаткування, розробленого для роботи в
стандартному діапазоні частот мереж зв'язку
цивільного призначення, з частотами, які не
перевищують 31 ГГц.
3.1.2.3. Мікрохвильові транзистори, призначені для 854049000роботи на частотах, які перевищують 31 ГГц .1.2.4 Мікрохвильові твердотільні підсилювачі які: 854049000
працюють на частотах більше 10,5 ГГц і мають
ширину робочої смуги частот понад пів-
октави;
працюють на частотах понад 31 ГГц
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.1.2.4. непоширюється на підсилювачі:
спеціально спроектовані для медичних цілей;
спеціально спроектовані для простих навча-
льних приладів;
які мають вихідну потужність не більше
10 Вт і спеціально спроектовані для:
промислових або цивільних систем захисту
периметра, виявлення сторонніх осіб,
охоронної сигналізації;
автодорожніх або промислових систем
керування рухом та систем обчислення;
систем виявлення екологічного
забруднення повітря або води.
3.1.2.5. Смугові або загороджувальні фільтри з елек- 854049000тронним чи магнітним налагодженням, які
мають понад 5 налагоджувальних резонаторів,
що забезпечують налагодження в смузі частот
з відношенням максимальної та мінімальної
частот 1,5/1 менше за 10 мкс, причому смуга
частот пропускання становить понад 0,5
відсотка резонансної частоти або смуга
подавлення становить менше 0,5 відсотка
резонансної частоти .1.2.6. Мікрохвильові збірки, здатні працювати на 854049000
частотах, які перевищують 31 ГГц .1.2.7. Гнучкі хвильоводи, спроектовані для викорис- 852910700
тання на частотах більше 40 ГГц
3.1.3. Прилади на акустичних хвилях та спеціальноспроектовані для них компоненти .1.3.1 Прилади на поверхневих акустичних хвилях і 854160000
акустичних хвилях в тонкій підложці (тобто
прилади для оброблення сигналів, що
використовують пружні хвилі в матеріалі),
які мають одну з таких ознак:
несуча частота перевищує 1 ГГц;
несуча частота 1 ГГц і менше, частотне по-
давлення бокових пелюстків діаграми напрям-
ку перевищує 55 дБ, добуток максимального
часу затримки (в мкс) на ширину смуги
частот (в МГц) більше 100 або затримка
поширення перевищує 10 мкс
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.1.3.1. непоширюється на прилади, спеціально спроекто-
вані для побутової електроніки або розваг.
3.1.3.2. Прилади на об'ємних акустичних хвилях (тобто 854160000прилади для оброблення сигналів, які викорис-
товують пружні хвилі в матеріалі), забезпечу-
ють безпосереднє оброблення сигналів на час-
тотах більше 1 ГГц
3.1.3.3. Акустооптичні прилади оброблення сигналів, 854160000які використовують взаємодію між акустичними
хвилями (об'ємними чи поверхневими) і світло-
вими хвилями, що забезпечує безпосереднє об-
роблення сигналів або зображення, включаючи
аналіз спектру, кореляцію або згортку
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.1.3.3. непоширюється на прилади, спеціально спроекто-
вані для цивільного телебачення, відео або
широкомовної апаратури з амплітудною чи час-
тотною модуляцією.
3.1.4. Електронні прилади або схеми, які містять 854280000елементи, виготовлені з надпровідних ма-
теріалів, спеціально спроектовані для роботи
при температурах нижче критичної хоча б для
однієї з надпровідних складових і які мають
одну з таких ознак:
наявність електромагнітного підсилення на
частотах, рівних або нижче 31 ГГц,з рівнем
шумів нижче 0,5 дБ або на частотах вище
31 ГГц;
наявність струмових перемикачів для цифро-
вих схем, які використовують надпровіднико-
ві вентилі, де добуток часу затримки на
вентиль (у секундах) на розсіювання потуж-
ності на вентиль (у ватах) нижче 10 в ступ.
(-14) Дж;
забезпечення селекції частоти на всіх діа-
пазонах частот з використанням резонансних
контурів з добротністю більше 10000
3.1.5. Обертові перетворювачі абсолютного кутового 854390900положення вала в код, які мають роздільність
краще 1/265000 від повного діапазону
(18 біт) або точність краще +(-) 2,5 кут.с .1.6. Записувальна апаратура
3.1.6.1. Накопичувачі на магнітній плівці для аналого- 852039900вої апаратури, включаючи накопичувачі з мож-
ливістю запису цифрових сигналів (тобто, що
використовують модуль цифрового запису висо-
кої щільності),які мають одну з таких ознак:
смуга частот перевищує 4 МГц на електрон-
ний канал або доріжку;
смуга частот перевищує 2 МГц на електрон-
ний канал або доріжку при кількості дорі-
жок більше 42;
помилка розузгодження змінної шкали менше
+(-) 0,1 мкс .1.6.2. Цифрові відеомагнітофони, які мають макси- 852110
мальну роздільну здатність цифрового інтер- 852190000
фейсу більше 180 Мбіт/с, крім спеціально
спроектованих для телевізійного запису за
стандартами або рекомендаціями для цивільно-
го телебачення .1.6.3. Накопичувачі на магнітній плівці для цифро- 852110
вої апаратури, які мають одну з таких ознак:
максимальна перепускна здатність цифрового
інтерфейсу більше 60 Мбіт/с та використан-
ня методів спірального сканування;
максимальна перепускна здатність цифрово-
го інтерфейсу більше 120 Мбіт/с і викорис-
тання фіксованих магнітних голівок;
за технічними умовами придатні для косміч-
ного використання
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.1.6.3. непоширюється на аналогові накопичувачі на
магнітній плівці, оснащені електронікою для
перетворення в цифровий запис високої щіль-
ності та призначені для запису тільки цифро-
вих даних. .1.6.4. Апаратура з максимальною пропускною здат- 852190000
ністю цифрового інтерфейсу більше 60 Мбіт/с,
спроектована для перетворення цифрових ві-
деомагнітофонів у пристрої запису даних циф-
рової апаратури
3.1.7. Збірки синтезаторів частоти, які мають час 854380900перемикання з однієї заданої частоти на іншу
менше 1 мс
3.1.8. Аналізатори сигналів: 854380900здатні аналізувати частоти, що перевищують
31 ГГц;
динамічні аналізатори сигналів із смугою
пропускної здатності в реальному масштабі
часу, яка перевищує 25,6 кГц, крім тих,
які використовують фільтри із смугою
пропускання фіксованих частин (відомі
також як октавні або дрібнооктавні
фільтри)
3.1.9. Генератори сигналів синтезованих частот, які 854320000формують вихідні частоти з керуванням за па-
раметрами точності, короткочасної та довго-
часної стабільності, на основі або за допо-
могою внутрішньої еталонної частоти і які
мають одну з таких ознак:
максимальна синтезована частота перевищує
31 ГГц;
час перемикання частоти з однієї заданої
частоти на іншу менше 1 мс;
фазовий шум однієї бокової смуги (ОБС) кра-
ще -(126+20lg(F)-20lg(f) в одиницях дБ/Гц,
де F - зміщення робочої частоти в Гц, а
f - робоча частота в МГц римітка. Експортний контроль за пунктом 3.1.7.2. не
поширюється на апаратуру, в якій вихідна
частота створюється шляхом додавання або
віднімання частот з двох і більше кварцових
генераторів чи шляхом додавання або відні-
мання з наступним множенням результуючої
частоти.
3.1.10. Мережеві аналізатори з максимальною робочою 854380900частотою, яка перевищує 31 ГГц
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.1.10. непоширюється на мережеві аналізатори з коли-
ванням частоти, робоча частота яких не пере-
вищує 40 ГГц і які мають шини даних для
інтерфейсу дистанційного керування.
3.1.11. Приймачі-тестери мікрохвильового діапазону, 852790990які мають максимальну робочу частоту більше
31 ГГц і здатні одночасно вимірювати амплі-
туду та фазу
3.1.12. Атомні еталони частоти, які мають одну з та-ких ознак: .1.12.1. довгочасова стабільність (старіння) менше 854320000
(краще) 1 *10 в ступ.(-11)/міс; .1.12.2 за технічними умовами придатні для космічно- 854320000
го використання
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.1.12.1. непоширюється на рубідієві еталони, не призна-
чені для космічного використання.
3.1.13. Емулятори мікросхем, зазначених у пункті 8543809003.1.1.1. або 3.1.1.6. римітка. Експортний контроль за пунктом 3.1.13. не
поширюється на емулятори, спроектовані під
сімейство, яке має хоча б один прилад, що не
підлягає експортному контролю за пунктами
3.1.1.1. або 3.1.1.6.
3.1.14. Установки для епітаксійного вирощування, ос-нащені програмно-керованим запам'ятовуваль-
ним пристроєм .1.14.1. Установки для епітаксійного вирощування, 841989900
здатні витримувати товщину епітаксійного
шару з відхиленням не більше 2,5 відсотка
протягом не менше 75 мм вздовж пластини .1.14.2. Установки хімічного осаджування металоорга- 841989900
нічної пари, спеціально призначені для виро-
щування кристалів складних напіпровідників
за допомогою хімічних реакцій матеріалів,
зазначених у пунктах 1.6.11.- 1.6.12. .1.14.3. Установки молекулярно-променевої епітаксії, 841780100
які використовують газові джерела
3.1.15. Багатофункціональні іонно-променеві системи, 845610000які фокусуються, оснащені програмно-керова-
ним запам'ятовувальним пристроєм, спеціально
спроектованим для виробництва, ремонту, ана-
лізу фізичної топології та тестування масок
або напівпровідникових приладів і які мають
одну з таких ознак:
точність керування положенням пучка на мі-
шені 0,25 мкм або краще;
роздільна здатність цифро-аналогового пе-
ретворення більше 12 біт
3.1.16. Багатокамерний центр обробки напівпровідни- 845610000кових пластин з автоматичним завантаженням 845690000
та програмно-керованим запам'ятовувальним
пристроєм, що має пристрої для завантаження
та вивантаження пластин, до яких повинні
бути приєднані більше ніж дві установки тех-
нологічного оброблення напіпровідників, що
утворюють комплексну вакуумну систему для
послідовного багатопозиційного оброблення
пластин
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.1.16. непоширюється на автоматичні робототехнічні
системи оброблення пластин, які не призначе-
ні для роботи у вакуумі.
3.1.17. Установки літографії, оснащені програмно-керованим запам'ятовувальним пристроєм .1.17.1. Установки багаторазового суміщення та експо- 900922900
нування для обробки пластин методами фотооп-
тичної або рентгенівської літографії, які
мають одну з таких ознак:
наявність джерела освітлення з довжиною
хвилі коротше 400 нм;
цифрова апертура більше 0,40;
точність сполуки +(-) 0,2 мкм (3 сигма) або
краще
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.1.17.1. непоширюється на установки багаторазового сумі-
щення та експонування, які мають довжину
хвилі джерела освітлення 436 нм або більше,
цифрову апертуру 0,38 або менше, діаметр
зображення 22 мм та менше.
3.1.17.2. Установки, спеціально спроектовані для вироб- 845610000ництва масок або оброблення напіпровіднико-
вих приладів з використанням фокусованого
електронного пучка, що відхиляється, які
мають одну з таких ознак:
розмір плями менше 0,2 мкм;
здатність виробляти структуру з мінімальни-
ми розмірами менше 1 мкм;
точність суміщення краще +(-)0,2 мкм (3 сигма)
3.1.18. Маски або фотошаблони
3.1.18.1. Маски або фотошаблони для інтегральних схем, 901090000зазначених у пункті 3.1.1. .1.18.2. Багатошарові маски, оснащені фазозсувним 901090000
шаром
3.1.19. Апаратура для випробувань, оснащена програм-но-керованим запам'ятовувальним пристроєм,
спеціально спроектованим для випробувань
напівпровідникових приладів і безкорпусних
кристалів .1.19.1. Апаратура для виміру параметрів матриці 903180390
розсіювання на частотах більше 31 ГГц .1.19.2. Апаратура для випробувань інтегральних схем 903180390
та їх збірок, здатна виконувати функціо-
нальне тестування (за таблицями істинності)
з частотою тестування рядків більше 40 МГц
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.1.19.2. непоширюється на апаратуру, спеціально спроек-
товану для випробувань:
збірок або класу збірок для побутової
електроніки або розваг;
електронних компонентів, збірок або інтег-
ральних схем, які не підлягають експорт-
ному контролю.
3.1.19.3. Апаратура для випробувань мікрохвильових 903180390інтегральних схем на частотах, що перевищу-
ють 31 ГГц римітка. Експортний контроль за пунктом 3.1.19.3. не
поширюється на апаратуру, спеціально спроек-
товану для випробувань мікрохвильових інтег-
ральних схем, для устаткування, за технічни-
ми умовами, призначеного або придатного для
роботи в стандартному цивільному діапазоні
на частотах, які не перевищують 31 ГГц.
3.1.19.4. Електронно-променеві системи, спроектовані 903180390для роботи при енергії нижче 3 кеВ або ла-
зерні променеві системи для безконтактного
зондування заживлених напівпровідникових
приладів, які мають одночасно стробоскопіч-
ний режим і затінення променя або детекторне
стробування і електронний спектрометр для
вимірювання напруги менше 0,5 В
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.1.19.4. непоширюється на скануючі електронні мікроско-
пи, крім тих, які спеціально спроектовані та
оснащені для безконтактного зондування за-
живлених напівпровідникових приладів.
3.2. Програмне забезпечення і технологія
Примітки: 1. Експортний контроль за пунктами 3.2.1. -3.2.5. не поширюється на конструкцію і тех-
нологію виробництва:
мікрохвильових транзисторів, що працюють
на частотах нижче 31 ГГц;
інтегральних схем, зазначених у пункті
3.1.1., які використовують проектні норми
1 мкм та вище і не мають багатошарових
структур.
2. Не контролюється експорт багатошарової техно-
логії приладів, які містять максимум два ме-
талевих прошарки і два прошарки полікремнію.
3.2.1. Конструкція і технологія виробництва інтег-ральних схем .2.1.1. Конструкція і технологія виробництва мікро- 490199000
процесорних мікросхем, мікрокомп'ютерних мік- 490600000
росхем та мікросхем мікроконтролерів, які
мають одну з таких характеристик:
розрядність зовнішньої шини даних переви-
щує 32 біти або розрядність доступу до
арифметико-логічного пристрою перевищує
32 біти;
тактова частота перевищує 40 МГц;
зовнішня шина даних має розрядність 32 бі-
ти і більше, а продуктивність дорівнює
12,5 млн. команд за секунду і більше;
процесор паралельного типу, оснащений для
зовнішнього підключення більше ніж однієї
шини даних чи команд або послідовним пор-
том зв'язку з пропускною здатністю більше
2,4 Мбайт/сек.
Примітки: 1. Експортний контроль за пунктом 3.2.1.1. непоширюється на конструцію і технологію ви-
робництва кремнієвих мікрокомп'ютерних
мікросхем і мікросхем мікроконтролерів, які
мають довжину операнду (даних) 8 біт і менше.
2. Експортний контроль за пунктом 3.2.1.1. не
поширюється на конструцію і технологію ви-
робництва цифрових сигнальних процесорів,
цифрових матричних процесорів та цифрових
співпроцесорів.
3.2.1.2. Конструкція і технологія виробництва інтег- 490199000ральних схем пам'яті: 490600000
3.2.1.2.1. конструкція і технологія виробництва напів-постійних запам'ятовувальних пристроїв, які
електрично перепрограмовуються, з ємністю
пам'яті понад 256 Кбіт на один корпус і ма-
ють максимальний час доступу менше 80 нс або
ємність пам'яті понад 1 Кбіт на один корпус; .2.1.2.2. конструкція і технологія виробництва статич-
них запам'ятовувальних пристроїв з довільною
вибіркою з ємністю пам'яті, що перевищує
1 Мбіт на один корпус або перевищує 256 кбіт
на один корпус, і які мають максимальний час
доступу менше 25 нс; .2.1.2.3. конструкція і технологія виробництва інтег-
ральних схем пам'яті, виготовлених на основі
складного напівпровідника .2.1.3. Конструкція і технологія виробництва елек- 490199000
тронно-оптичних або оптичних інтегральних 490600000
схем для оброблення сигналів, які мають:
один внутрішній лазерний діод або більше;
один внутрішній світлочутливий елемент або
більше;
оптичні хвильоводи .2.1.4. Конструкція і технологія виробництва базових 490199000
матричних кристалів, які програмуються у ко- 490600000
ристувача і мають одну з таких характеристик:
еквівалентну кількість вентилів більше
30000 (в перерахунку на двовходові);
типовий час затримки поширення сигналу в
базовому вентилі менше 0,4 нс .2.1.5. Конструкція і технологія виробництва логіч- 490199000
них матриць, які програмуються у користувача 490600000
і мають одну з таких характеристик:
еквівалентна кількість вентилів більше
30000 (в перерахунку на двовходові);
частота перемикання перевищує 100 МГц .2.1.6. Конструкція і технологія виробництва інтег- 490199000
ральних схем нейтронних мереж 490600000
3.2.1.7. Конструкція і технологія виробництва інтег- 490199000ральних схем, які виготовляються на замовлен- 490600000
ня і мають одну з таких характеристик:
кількість виводів більше 144;
типовий час затримки поширення сигналу в
базовому вентилі менше 0,4 нс;
робоча частота більше 3 ГГц .2.1.8. Конструкція і технологія виробництва цифро- 490199000
вих інтегральних схем, що відрізняються від 490600000
зазначених у пунктах 3.1.1.1. - 3.1.1.7.,
створених на основі будь-якого складного
напівпровідника і мають одну з таких харак-
теристик:
еквівалентна кількість вентилів більше 300
(в перерахунку на двовходові);
частота перемикання перевищує 1,2 ГГц
3.2.2. Конструкція і технологія виробництва приладівмікрохвильового або міліметрового діапазону .2.2.1. Конструкція і технологія виробництва елект- 490199000
ронних вакуумних ламп і катодів: 490600000
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.2.2.1. непоширюється на конструкцію і технологію ви-
робництва ламп, призначених для роботи в
стандартному діапазоні цивільної телекомуні-
кації з частотами, що не перевищують 31 ГГц.
3.2.2.1.1. конструкція і технологія виробництва лампбігучої хвилі імпульсної та безперервної
дії, які мають одну з таких характеристик:
працюють на частотах більше 31 ГГц;
містять елемент підігрівання катоду з ча-
сом вимикання до виходу лампи на номіналь-
ну радіочастотну потужність менше 3 с;
містять сполучені резонатори або їх мо-
дифікації;
містять спіраль або її модифікації, які
мають одну з таких ознак:
миттєва ширина смуги частот дорівнює
пів-октави чи більше і добуток номіналь-
ної середньої вихідної потужності (в
кВт) на максимальну робочу частоту (в
ГГц) перевищує 0,2;
миттєва ширина смуги частот дорівнює
менше ніж пів-октави та добуток номі-
нальної середньої вихідної потужності (в
кВт) і максимальної робочої частоти (в
ГГц) перевищує 0,4;
за технічними умовами придатні для кос-
мічного використання; .2.2.1.2. конструкція і технологія виробництва НВЧ-
приладів - підсилювачів магнетронного типу з
коефіцієнтом підсилення більше 17 дБ; .2.2.1.3. конструкція і технологія виробництва ім-
пресійованих катодів для електронних ламп,
які мають одну з таких ознак:
час від включення до виходу на номінальну
емісію менше 3 с;
щільність току під час безперервної емісії
та штатних умов функціонування більше
5 А/кв.см .2.2.2. Програмне забезпечення, спеціально розроб- 852421100
лене для проектування чи виробництва елект- 852422100
ронних вакуумних ламп та катодів, зазначених 852423100
у пункті 3.1.2.1. 852490910
852490990
3.2.2.3. Конструкція і технологія виробництва ін- 490199000тегральних схем або модулів мікрохвильового 490600000
діапазону, які мають твердотільні інтегральні
схеми і працюють на частотах понад 31 МГц римітка. Експортний контроль за пунктом 3.2.2.3. не
поширюється на конструкцію і технологію ви-
робництва схем і модулів для устаткування,
розробленого або пристосованого для роботи в
стандартному діапазоні частот цивільної те-
лекомунікації з частотами, що не перевищують
31 ГГц.
3.2.2.4. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не для проектування чи виробництва інтег- 852422100
ральних схем та модулів мікрохвильового ді- 852423100
апазону, зазначених у пункті 3.1.2.2. 852490910
852490990
3.2.2.5. Конструкція і технологія виробництва мікро- 490199000рохвильових транзисторів,призначених для ро- 490600000
боти на частотах, що не перевищують 31 ГГц .2.2.6. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування чи виробництва мікро- 852422100
хвильових транзисторів, призначених для ро- 852423100
боти на частотах, що не перевищують 31 ГГц 852490910
852490990
3.2.2.7. Конструкція і технологія виробництва мікро- 490199000хвильових твердотільних підсилювачів, які: 490600000
працюють на частотах більше 10,5 ГГц і ма-
ють ширину робочої смуги частот більше ніж
пів-октави;
працюють на частотах більше 31 ГГц
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.2.2.7. непоширюється на конструкцію і технологію ви-
робництва підсилювачів:
спеціально розроблених для медичних потреб;
спеціально спроектованих для простих нав-
чальних приладів;
з вихідною потужністю до 10 Вт і спеціально
спроектованих для:
промислових або цивільних систем захисту
периметра, виявлення сторонніх осіб або
захисної сигналізації;
автодорожніх або промислових систем ке-
рування рухом та систем підрахування;
систем виявлення екологічного забруднен-
ня повітря або води.
3.2.2.8. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не для проектування чи виробництва мікро- 852422100
хвильових твердотільних підсилювачів, заз- 852423100
начених у пункті 3.1.2.4. 852490910
852490990
3.2.2.9. Конструкція і технологія виробництва смуго- 490199000вих або загороджувальних фільтрів з елект- 490600000
ронним або магнітним налагодженням, які ма-
ють більше 5 налагоджувальних резонаторів,що
забезпечують налагодження в смузі частот з
відношенням максимальної та мінімальної час-
тот 1,5 менше 10 мкс,причому смуга пропускан-
ня становить більше 0,5 відсотка резонансної
частоти або смуга подавлення становить менше
0,5 відсотка резонансної частоти; .2.2.10. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування чи виробництва смугових 852422100
або загороджувальних фільтрів, зазначених 852423100
у пункті 3.1.2.5. 852490910
852490990
3.2.2.11. Конструкція і технологія виробництва мікро- 490199000хвильових збірок, здатних працювати на 490600000
частотах, що перевищують 31 ГГц .2.2.12. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування чи виробництва мікро- 852422100
хвильових збірок, здатних працювати на часто- 852423100
тах, що перевищують 31 ГГц 852490910
852490990
3.2.2.13. Конструкція і технологія виробництва гнучких 490199000хвильоводів, спроектованих для використання 490600000
на частотах більше 40 ГГц .2.2.14. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування чи виробництва гнучких 852422100
хвильоводів, спроектованих для використання 852423100
на частотах більше 40 ГГц 852490910
852490990
3.2.3. Конструкція і технологія виробництва прила-дів на акустичних хвилях і спеціально спро-
ектованих для них компонентів .2.3.1. Конструкція і технологія виробництва прила- 490199000
дів на поверхневих акустичних хвилях в тон- 490600000
кій підложці (тобто приладів для оброблення
сигналів, що використовують пружні хвилі в
матеріалі), які мають одну з таких ознак:
несуча частота перевищує 1 ГГц;
несуча частота 1 ГГц і менше, частотне
приглушення бокових пелюстків діаграми
направленості перевищує 55 дБ, добуток
максимального часу затримки (в мкс) і сму-
ги частот (в МГЦ) більше 100 або затримка
поширення перевищує 10 мкс
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.2.3.1. непоширюється на конструкцію і технологію ви-
робництва приладів, спеціально спроектованих
для побутової електроніки і розваг.
3.2.3.2. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не для проектування чи виробництва приладів 852422100
на поверхневих акустичних хвилях у тонкій 852423100
підложці, зазначених у пункті 3.1.3.1. 852490910
852490990
3.2.3.3. Конструкція і технологія виробництва прила- 490199000дів на об'ємних акустичних хвилях (тобто 490600000
приладів для оброблення сигналів, що вико-
ристовують пружні хвилі в матеріалі), які
забезпечують безпосереднє оброблення сиг-
налів на частотах більше 1 ГГц .2.3.4. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування чи виробництва при- 852422100
ладів на об'ємних акустичних хвилях, зазна- 852423100
чених у пункті 3.1.3.2. 852490910
852490990
3.2.3.5. Конструкція і технологія виробництва акус- 490199000тичних приладів оброблення сигналів, що ви- 490600000
користовують взаємодію між акустичними
(об'ємними чи поверхневими) і світловими
хвилями, яка забезпечує безпосереднє оброб-
лення сигналів або зображення, включаючи
аналіз спектра, кореляцію або згортку
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.2.3.5. непоширюється на конструкцію і технологію ви-
робництва приладів, спеціально спроектованих
для цивільного телебачення, відео або
широкомовної апаратури з амплітудною чи час-
тотною модуляцією.
3.2.3.6. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не для проектування чи виробництва акустич- 852422100
них приладів оброблення сигналів, зазначених 852423100
у пункті 3.1.3.3. 852490910
852490990
3.2.4. Конструкція і технологія виробництва елект-ронних приладів або схем, що містять елемен-
ти, виготовлені з надпровідних матеріалів,
спеціально спроектованих для роботи при тем-
пературі нижче критичної, хоча б однієї з
надпровідних складових, які мають одну з та-
ких ознак:
наявність електромагнітного підсилення на 490199000
частотах рівних або нижче 31 ГГц з рівнем 490600000
шумів нижче 0,5 дБ чи на частотах більше
31 ГГц;
наявність струмових перемикачів для цифро- 490199000
вих схем, що використовують надпровідні 490600000
вентилі, в яких добуток часу затримки вен-
тиля (у секундах) на потужності розсіюван-
ня на вентиль (у ватах) нижче 10 в ступ.
(-14) Дж;
забезпечення селекції частоти на всіх діа- 490199000
пазонах частот з використанням резонансних 490600000
контурів з добротністю більше 10000
3.2.5. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не для проектування чи виробництва електрон- 852422100
них приладів або схем, які мають елементи, 852423100
виготовлені з надпровідних матеріалів, заз- 852490910
начених у пункті 3.1.4. 852490990
3.2.6. Конструкція і технологія виробництва оберто-вих перетворювачів абсолютного кутового по-
ложення валу в код, які мають одну з таких
ознак:
спроможність краще 1/265000 від повного 490199000
діапазону (18 біт); 490600000
точність краще +(-) 2,5 кут.с 490199000
490600000
3.2.7. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не для проектування чи виробництва обертових 852422100
перетворювачів абсолютного кутового положен- 852423100
ня валу в код, зазначених у пункті 3.1.5. 852490910
852490990
3.2.8. Конструкція і технологія виробництва вакуум- 490199000них мікроелектронних приладів 490600000
3.2.9. Конструкція і технологія виробництва напів- 490199000провідникових приладів з гетероструктурою, 490600000
наприклад транзисторів з високою рухомістю
електронів (ВРЕТ), біполярних транзисторів
на гетероструктурі (ГБТ), приладів на ефекті
потенційної ями або приладів на надгратках
3.2.10. Конструкція і технологія виробництва елект- 490199000ронних приладів з надпровідністю 490600000
3.2.11. Конструкція і технологія виробництва запи-сувальної апаратури .2.11.1. Конструкція і технологія виробництва накопи- 490199000
чувачів на магнітній плівці для аналогової 490600000
апаратури, включаючи накопичувачі з можли-
вістю запису цифрових сигналів (тобто ті, що
використовують модуль цифрового запису висо-
кої щільності), які мають одну з таких ознак:
смуга частот перевищує 4 МГц на електрон-
ний канал або доріжку;
смуга частот перевищує 2 МГц на електронний
канал або доріжку при кількості доріжок
більше 42;
похибка погодження змінної шкали менше
+(-) 0,1 мкс .2.11.2. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування чи виробництва накопичу- 852422100
вачів на магнітній плівці для аналогової 852423100
апаратури, зазначених у пункті 3.1.6.1. 852490910
852490990
3.2.11.3. Конструкція і технологія виробництва цифрових 490199000відеомагнітофонів,які мають максимальну про- 490600000
пускну здатність цифрового інтерфейсу більше
180 Мбіт/с, крім спеціально спроектованих
для телевізійного запису за стандартами або
рекомендаціями для цивільного телебачення .2.11.4. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування чи виробництва цифрових 852422100
відеомагнітофонів, зазначених у пункті 852423100
3.1.6.2. 852490910
852490990
3.2.11.5. Конструкція і технологія виробництва нако-пичувачів на магнітній плівці для цифрової
апаратури, які мають одну з таких ознак: .2.11.5.1.максимальна пропускна здатність цифрового 490199000
інтерфейсу більше 60 Мбіт/с і використання 490600000
методів спірального сканування; .2.11.5.2.максимальна пропускна здатність цифрового 490199000
інтерфейсу більше 120 Мбіт/с і використання 490600000
фіксованих магнітних головок; .2.11.5.3.за технічних умов здатні для космічного зас- 490199000
тосування 490600000
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.2.11.5.3.не поширюється на конструкцію і технологію
виробництва аналогових накопичувачів на маг-
нітній плівці, оснащених електронікою для
перетворення в цифровий запис високої щіль-
ності й призначених для запису тільки цифро-
вих даних.
3.2.11.6. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не для проектування чи виробництва накопичу- 852422100
вачів на магнітній плівці для цифрової апа- 852423100
ратури, зазначених у пункті 3.1.6.3. 852490910
852490990
3.2.11.7. Конструкція і технологія виробництва апара- 490199000тури з максимальною пропускною здатністю циф- 490600000
рового інтерфейсу більше 60 Мбіт/с, спроек-
тованої для переробки цифрових відеомагніто-
фонів в устаткування запису даних цифрової
апаратури .2.11.8. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування чи виробництва апаратури, 852422100
зазначеної у пункті 3.1.6.4. 852423100
852490910
852490990
3.2.12. Конструкція і технологія виробництва збірок 490199000синтезаторів частоти, які мають час переми- 490600000
кання з однієї заданої частоти на іншу менше
1 мс
3.2.13. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не для проектування чи виробництва збірок 852422100
синтезаторів частоти, зазначених у пункті 852423100
3.1.7. 852490910
852490990
3.2.14. Конструкція і технологія виробництва аналі- 490199000заторів сигналів: 490600000
спроможних аналізувати частоти, що пере-
вищують 31 ГГц;
динамічних аналізаторів сигналів із смугою
частот пропускання в реальному масштабі
часу, що перевищує 25,6 кГц, крім тих, які
використовують фільтри із смугою пропус-
кання фіксованих частин ( відомі також як
октавні або дрібнооктавні фільтри)
3.2.15. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не для проектування чи виробництва аналіза- 852422100
торів сигналів, зазначених у пункті 3.1.8. 852423100
852490910
852490990
3.2.16. Конструкція і технологія виробництва генера-торів сигналів синтезованих частот, що фор-
мують вихідні частоти, з керуванням за пара-
метрами точності, короткочасною і довгочас-
ною стабільністю на основі або з допомогою
внутрішньої еталонної частоти,які мають одну
з таких ознак:
максимальна синтезована частота, що пере-
вищує 31 ГГц;
час перемикання частоти з однієї на іншу
менше 1 мс;
фазовий шум однієї бокової смуги (ОБС)
краще -(126+20lg(F)-20lg(f) в одиницях
дБ/Гц, де F - зміщення робочої частоти в
Гц, а f - робоча частота в МГц
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.2.16. непоширюється на конструкцію і технологію ви-
робництва апаратури, в якій вихідна частота
створюється шляхом додавання чи віднімання
частот з двох і більше кварцових генераторів
або шляхом додавання чи віднімання частот з
наступним множенням результуючої частоти.
3.2.17. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не для проектування чи виробництва генерато- 852422100
рів сигналів синтезованих частот, зазначених 852423100
у пункті 3.1.9. 852490910
852490990
3.2.18. Конструкція і технологія виробництва аналі- 490199000заторів мереж з максимальною робочою часто- 490600000
тою, що перевищує 31 ГГц
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.2.18. непоширюється на конструкцію і технологію ви-
робництва аналізаторів мереж з коливанням
частоти, робоча частота яких не перевищує
40 ГГц і які не мають шини даних для інтер-
фейсу дистанційного керування.
3.2.19. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не для проектування чи виробництва аналі- 852422100
заторів мереж, зазначених у пункті 3.1.10. 852423100
852490910
852490990
3.2.20. Конструкція і технологія виробництва прий- 490199000мачів-тестерів мікрохвильового діапазону, 490600000
що мають максимальну робочу частоту більше
31 ГГц і здатні одночасно вимірювати амплі-
туду і фазу
3.2.21. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не для проектування чи виробництва прий- 852422100
мачів-тестерів мікрохвильового діапазону, 852423100
зазначених у пункті 3.1.11. 852490910
852490990
3.2.22. Конструкція і технологія виробництва атомних 490199000еталонів частоти, які мають одну з таких 490600000
ознак: .2.22.1. довгострокова стабільність (старіння) мен-
ше (краще) 10 в ступ.(-11) місяця; .2.22.2. за технічними умовами придатні для косміч-
ного використання
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.2.22.1. непоширюється на конструкцію і технологію ви-
робництва рубідієвих еталонів, не призначе-
них для космічного використання.
3.2.23. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не для проектування чи виробництва рубі- 852422100
дієвих еталонів частоти, зазначених у пункті 852423100
3.1.12. 852490910
852490990
3.2.24. Конструкція і технологія виробництва емуля- 490199000торів мікросхем, зазначених у пункті 3.1.1.1. 490600000
або 3.1.1.6.
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.2.24. непоширюється на конструкцію і технологію ви-
робництва емуляторів, спроектованих під
сімейство, яке має хоча б один прилад, на
який не поширюється експортний контроль за
пунктом 3.1.1.1. або 3.1.1.6.
3.2.25. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не для проектування чи виробництва емуля- 852422100
торів мікросхем, зазначених у пункті 3.1.13. 852423100
852490910
852490990
3.2.26. Конструкція і технологія виробництва устано-вок, які мають програмно-керований запам'ято-
вувальний пристрій, та установок для
епітаксійного вирощування .2.26.1. Конструкція і технологія виробництва устано- 490199000
вок для епітаксійного вирощування, здатних 490600000
витримувати товщину епітаксійного шару з
відхиленням не більше +(-) 2,5 відсотка протя-
гом не менше 75 мм вздовж пластини .2.26.2. Конструкція і технологія виробництва устано- 490199000
вок химічного осадження металоорганічної па- 490600000
ри, спеціально призначених для вирощування
кристалів складних напівпровідників з допо-
могою хімічних реакцій матеріалів, зазначе-
них у пункті 1.6.11. або 1.6.12. .2.26.3. Конструкція і технологія виробництва устано- 490199000
вок молекулярно-променевої епітаксії, що 490600000
використовують газові джерела
3.2.27. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не для проектування, виробництва чи викорис- 852422100
тання установок для епітаксійного вирощуван- 852423100
ня, зазначених у пункті 3.1.14. 852490910
852490990
3.2.28. Конструкція і технологія виробництва багато-функціональних фокусованих іонно-променевих 490199000
систем, що мають програмно-керований за- 490600000
пам'ятовувальний пристрій, спеціально спро-
ектований для виробництва, ремонту, аналізу
фізичної топології та тестування масок або
напівпровідникових приладів, які мають одну
з таких ознак:
точність керування положенням пучка на мі-
шені 0,25 мкм або краще;
роздільна здатність цифроаналогового пе-
ретворення більше 12 біт
3.2.29. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не для проектування, виробництва чи викорис- 852422100
тання багатофункціональних фокусованих іон- 852423100
но-променевих систем, зазначених у пункті 852490910
3.1.15. 852490990
3.2.30. Конструкція і технологія виробництва багато- 490199000камерного центру оброблення напівпровіднико- 490600000
вих пластин з автоматичним завантаженням і
програмно-керованим запам'ятовувальним прист-
роєм, що мають пристрій для навантаження та
вивантаження пластин, до якого повинні бути
приєднані більше ніж дві установки техно-
логічної обробки напівпровідників, що утво-
рюють комплексну вакуумну систему для послі-
довного багатопозиційного оброблення пластин
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.2.30. непоширюється на конструкцію і технологію ви-
робництва автоматичних робототехнічних сис-
тем обробки пластин, не призначених для ро-
боти у вакуумі.
3.2.31. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не для проектування, виробництва чи викорис- 852422100
тання багатокамерного центру оброблення 852423100
напівпровідникових пластин, зазначених у 852490910
пункті 3.1.16. 852490990
3.2.32. Конструкція і технологія виробництва устано-вок літографії, які мають програмно-керова-
ний запам'ятовувальний пристрій .2.32.1. Конструкція і технологія виробництва устано- 490199000
вок багаторазового суміщення та експонування 490600000
для оброблення пластин методами фотооптичної
або рентгенівської літографії, які мають од-
ну з таких ознак:
наявність джерела освітлення з довжиною
хвилі 400 нм;
цифрової апертури більше 0,40;
точність суміщення +(-) 0,20 мкм (3 сигма)
або вище;
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.2.32.1. непоширюється на конструкцію і технологію ви-
робництва установок багаторазового суміщення
та експонування, які мають довжину хвилі
джерела освітлення 436 нм або більше, цифро-
ву апертуру 0,38 або менше, діаметр зобра-
ження 22 мм і менше.
3.2.32.2. Конструкція і технологія виробництва устано- 490199000вок, спеціально спроектованих для виробницт- 490600000
ва масок чи оброблення напівпровідникових
приладів з використанням фокусованого елект-
ронного пучка, що відхиляється, іонного або
лазерного пучка,які мають одну з таких ознак:
розмір плями менше 0,2 мкм;
спроможність виробляти структуру з міні-
мальними розмірами менше 1 мкм;
точність сполуки краще +(-)0,20 мкм (3 сигма)
3.2.33. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не для проектування, виробництва чи викорис- 852422100
тання установок літографії, зазначених у 852423100
пункті 3.1.17. 852490910
852490990
3.2.34. Технологія виробництва масок або фотошабло- 490199000нів 490600000
3.2.34.1. Технологія виробництва масок або фотошабло-нів для інтегральних схем, зазначених у
пункті 3.1.1. .2.34.2. Технологія виробництва багатошарових масок,
оснащених фазозсувним шаром
3.2.35. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не для проектування, виробництва чи викорис- 852422100
тання масок або фотошаблонів, зазначених у 852423100
пункті 3.1.18. 852490910
852490990
3.2.36. Інформація про засоби оптимізації процесів 490199000сполучення прихованих локальних шарів і то- 490600000
пології інтегральних схем з високою точністю
(краще +(-) 0,20 мкм)
3.2.37. Конструкція і технологія виробництва випро-бувальної апаратури, оснащеної програмно-ке-
рованим запам'ятовувальним пристроєм, спе-
ціально спроектованої для випробування на-
півпровідникових приладів і безкорпусних
кристалів: .2.37.1. Апаратури для вимірювання параметрів матриці 490199000
розсіювання на частотах більше 31 ГГц; 490600000
3.2.37.2. Апаратури для випробування інтегральних схем 490199000та їх збірок, здатної виконувати функціональ- 490600000
не тестування (за таблицями істинності) з
частотою тестування рядків більше 40 МГц
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.2.37.2. непоширюється на конструкцію і технологію ви-
робництва апаратури, спеціально спроектова-
ної для випробувань:
збірок або класів збірок для побутової
електроніки або розваг;
електронних компонентів, збірок або інтег-
ральних схем, які не підлягають експорному
контролю.
3.2.37.3. Апаратури для випробувань мікрохвильових ін- 490199000тегральних схем на частотах 31 ГГц 490600000
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.2.37.3. непоширюється на конструкцію і технологію ви-
робництва апаратури, спеціально спроектова-
ної для випробувань мікрохвильових інтег-
ральних схем, для обладнання, призначеного
або придатного за технічними умовами до ро-
боти в стандартному цивільному діапазоні на
частотах, що не перевищують 31 ГГц.
3.2.37.4. Електронно-променевих систем, спроектованих 490199000для роботи нижче 3 кеВ, чи лазерних промене- 490600000
вих систем для безконтактного зондування за-
живлених напівпровідникових приладів, які
мають одночасно стробоскопічний режим із
затіненням променя або детекторним стробу-
ванням та електронний спектрометр для
вимірювання напруги менше 0,5 В
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.2.37.4. непоширюється на конструкцію і технологію ви-
робництва скануючих електронних мікроскопів,
крім спеціально спроектованих та оснащених
для безконтактного зондування заживлених
напівпровідникових приладів. .2.38. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування чи виробництва апаратури 852422100
випробувань напівпровідникових приладів і 852423100
безкорпусних кристалів, зазначених у пункті 852490910
3.1.19. 852490990
3.2.39. Програмне забезпечення систем автоматизова- 852421100ного проектування (САПР) напівпровідникових 852422100
приладів або інтегральних схем, які мають 852423100
одну з таких ознак: 852490910
є правила проектування або правила пере- 852490990
вірки (верифікація) схем;
забезпечується моделювання схем за їх
фізичною топологією;
є імітатори літографічних процесів для
проектування
Примітки: 1. Імітатор літографічних процесів - це пакетпрограмного забезпечення, який використо-
вується на етапі проектування для визначення
послідовності операцій літографії, травлення
та осадження з метою втілення структур на
фотошаблонах в конкретні топологічні струк-
тури провідників, діелектриків або
напівпровідників.
2. Експортний контроль за пунктом 3.2.39. не
поширюється на програмне забезпечення,
спеціально створене для опису принципових
схем, логічного моделювання, розкладки та
маршрутизації, створення магнітних плівок
для верифікації, топології або формування
малюнку. Бібліотеки, проектні атрибути і су-
путні дані для проектування напівпровіднико-
вих приладів або інтегральних схем розгляда-
ються як технологія.
Розділ 4. КОМП'ЮТЕРИ
4.1. Вироби, обладнання і компоненти
Примітки: 1. Комп'ютери, супутнє обладнання або програм-не забезпечення, що використовуються у мере-
жах зв'язку або обчислювальних мережах,конт-
ролюються з урахуванням критеріїв, зазначе-
них у частині 1 розділу 5. При цьому:
блоки управління,які безпосередньо з'єдну-
ють між собою магістралі або канали цент-
рального процесора, оперативної пам'яті
або контролери дисків не розглядаються як
телекомунікаційне обладнання, зазначене у
розділі 5;
програмне забезпечення, яке забезпечує
маршрутизацію чи комутацію даних або па-
кетів вибору маршрутів передачі даних, або
програмне забезпечення, спеціально призна-
чене для комутації пакетів, контролюється
відповідно до вимог розділу 5.
2. Комп'ютери, супутнє обладнання або програмне
забезпечення, що виконують функції криптог-
рафії, криптоаналізу чи інших видів захисту
інформації у мережах зв'язку або в обчислю-
вальних мережах, або такі, що обмежують
електромагнітну сумісність, контролюються з
урахуванням критеріїв, зазначених у частині
2 розділу 5.
4.1.1. Гібридні комп'ютери, їх збірки, супутнє об-ладнання і спеціально створені для них ком-
поненти .1.1.1. * Гібридні комп'ютери та їх збірки,які містять 847110
у своєму складі цифрові комп'ютери,зазначені
у пункті 4.1.2;
4.1.1.2. * Гібридні комп'ютери та їх збірки,які містять 847110у своєму складі аналого-цифрові або цифро-
аналогові перетворювачі, що мають такі ха-
рактеристики:
32 канали і більше;
розподільна здатність 14 біт (плюс знако-
вий біт) або вище з швидкістю перетворень
200000 за секунду чи вище
4.1.2. Цифрові комп'ютери,їх збірки, супутнє облад-нання до них і спеціально створені для них
компоненти:
Примітки: 1. Пункт 4.1.2. включає векторні процесори,матричні процесори, процесори цифрових сиг-
налів, логічні процесори та обладнання для
поліпшення якості зображення або оброблення
сигналів.
2. Статус контролю цифрових комп'ютерів та су-
путнього обладнання, зазначеного у цьому
пункті, визначається на підставі оцінки ро-
бочих характеристик інших виробів чи облад-
нання у разі, коли:
цифрові комп'ютери або супутнє обладнання
мають суттєве значення для роботи інших
виробів чи обладнання;
цифрові комп'ютери або супутнє обладнання,
не є основним елементом інших виробів,
систем або обладнання і:
———————————— Продукція, імпорт якої здійснюється за дозволом Комісії.статус контролю за обладнанням, спеціаль-
но призначеним для оброблення сигналів
або поліпшення якості зображення і зазна-
ченим у пункті 4.1.2.7. або спеціально
спроектованим для іншого обладнання з
функціями, обмеженими функціональним
призначенням іншого обладнання, визна-
чається на підставі оцінки робочих ха-
рактеристик іншого обладнання, якщо
навіть перше відповідає критерію основ-
ного елемента;
статус контролю цифрових комп'ютерів або
супутнього обладнання, призначених для
телекомунікаційних систем і технічних
засобів захисту інформації, визначається
з урахуванням критеріїв, зазначених у
розділі 5.
3. Установлений режим контролю не поширюється
на цифрові комп'ютери і супутнє обладнання,
зазначене у цьому пункті у разі, коли:
за своєю будовою і характером роботи вони
можуть бути використані тільки у медицині;
ця продукція не має режиму програмування
користувачем, крім такого, при якому за-
безпечується можливість введення відправ-
них або модифікованих програм, що постача-
ються їх первісним виробником;
спільна теоретична продуктивність будь-
якого цифрового комп'ютера, не розроблено-
го і не модифікованого для застосування в
медицині, але яка має суттєве значення для
цього використання, не перевищує 20 міль-
йонів теоретичних операцій за секунду (ме-
гатопсів).
4.1.2.1. Цифрові комп'ютери,а також збірки, спроекто- 8471вані для комбінованого розпізнавання, ро- (крім
зуміння та інтерпретації зображень або мови 847110)
4.1.2.2. Цифрові комп'ютери, а також збірки та су- 8471путнє обладнання, спроектовані або модифіко- (крім
вані для забезпечення відмовостійкості 847110)
(стійкості до внутрішніх несправностей)
Примітка. Стосовно пункту 4.1.2.2. цифрові комп'ютериі супутнє обладнання не вважаються спроекто-
ваними або модифікованими для забезпечення
відмовостійкості,якщо у них використовуються:
алгоритми виявлення або виправлення поми-
лок,які зберігаються в оперативній пам'яті;
взаємозв'язок двох цифрових комп'ютерів
такий, що, у разі, коли відмовляє активний
центральний процесор, то очікувальний про-
цесор (який одночасно відстежує дії цент-
рального процесора) може забезпечити про-
довження функціонування системи;
взаємозв'язок двох центральних процесорів
через канали передачі даних або з викорис-
танням пам'яті загального призначення та-
кий, що забезпечує можливість одному з них
виконувати іншу роботу, поки другий не
відмовить, тоді перший центральний проце-
сор бере його роботу на себе, щоб продов-
жити функціонування системи; або
синхронізація двох центральних процесорів,
виконана через програмне забезпечення та-
ким чином, що перший центральний процесор
розпізнає, коли відмовляє другий централь-
ний процесор, і бере на себе виконання зав-
дання процесора, який відмовив. .1.2.3. * Цифрові комп'ютери, які мають сукупну теоре- 8471
тичну продуктивність понад 12,5 мегатопсів; (крім
847110)
4.1.2.4. * Збірки цифрових комп'ютерів, спеціально 8471спроектовані або модифіковані для підвищення (крім
продуктивності обчислювальних систем шляхом 847110)
об'єднання обчислювальних елементів таким чи-
ном, що теоретична продуктивність перевищує
межу, зазначену в пункті 4.1.2.3.:
Примітки: 1. Дія цього пункту поширюється лише на збіркита запрограмовані взаємозв'зки, які не пере-
вищують меж, зазначених у пункті 4.1.2.3.,
при постачанні їх у вигляді необ'єднаних
збірок. Це не поширюється на збірки, які за
своєю конструкцією придатні тільки для вико-
ристання як супутнє обладнання, на яке поши-
рюється встановлений режим контролю згідно з
пунктами 4.1.2.5. - 4.1.2.10.
2. Відповідно до цього пункту режим контролю не
поширюється на збірки, спеціально спроекто-
вані для продукції або цілого ряду продуктів,
які в своїй максимальній конфігурації не пе-
ревищують межі, зазначеної у пункті 4.1.2.3.
4.1.2.4.1. за проектом здатні до об'єднання в конфігура-ції з 16 та більше обчислювальних елементів; .1.2.4.2. із сумою максимальних швидкостей пересилання
даних по всіх каналах передачі даних, які є
у наявності для зв'язку з суміжними процесо-
рами, понад 40 Мбайт/с .1.2.5. Накопичувачі на дисках і твердотільні прила- 847193500
ди пам'яті:
———————————— Продукція, імпорт якої здійснюється за дозволом Комісії.
4.1.2.5.1. накопичувачі на магнітних, оптичних або маг-нітооптичних дисках з максимальною швидкістю
передачі інформації понад 25 Мбіт/с; .1.2.5.2. твердотільні прилади пам'яті, які не належать
до оперативної пам'яті (відомі також під
назвою твердотільні (жорсткі) диски або дис-
ки з довільним доступом) з максимальною
швидкістю передачі інформації, що перевищує
36 Мбіт/с .1.2.6. Пристрої керування введенням - виведенням, 847192900
спроектовані для використання з обладнанням,
на яке поширюється режим контролю згідно з
пунктом 4.1.2.5. .1.2.7. * Апаратура для оброблення сигналів чи поліп- 854380900
шення якості зображення, яка має сукупну те-
оретичну продуктивність понад 8,5 мегатопса .1.2.8. * Графічні акселератори або графічні співпро- 854380900
цесори, які перевищують швидкість обчислень
тривимірних векторів, що дорівнює 3000000
Примітка. До цього пункту не належать робочі станції,що створені або обмежені:
графічним мистецтвом (наприклад полігра-
фією, книгодрукуванням);
відображенням двовимірних векторів.
4.1.2.9. Кольорові дісплеї або монітори, які мають 852810690розподільну здатність більше 12 елементів на
міліметр в напрямі максимальної щільності
пікселів
Примітка. На дісплеї та монітори, які не спроектованіспеціально для комп'ютерів, дія пункту
————————————— Продукція, імпорт якої здійснюється за дозволом Комісії.4.1.2.9. не поширюється.
4.1.2.10.* Продукція, що містить у своєму складі тер- 852520900мінальний інтерфейс, що перевищує межі,
встановлені пунктом 5.1.2.3.
Примітка. У цьому пункті до поняття "термінальнийінтерфейс" належать інтерфейси локальних ме-
реж, модеми та інші інтерфейси зв'язку (сти-
ки). Інтерфейси локальних обчислювальних ме-
реж оцінюються як контролери доступу до ме-
режі.
4.1.2.11. * Вироби та обладнання, спеціально призначенідля забезпечення зовнішніх з'єднань цифрових
комп'ютерів або їх супутнє обладнання, що
дає змогу здійснити зв'язок з швидкістю пере-
дачі даних вище 80 Мбайт/с
Примітка. Дія цього пункту не поширюється на обладнаннявнутрішнього з'єднання (наприклад плати, шини
тощо) або обладнання пасивного з'єднання.
4.1.3. Комп'ютери, їх збірки, супутнє обладнання доних і спеціально створені для них компоненти: .1.3.1. * Систоличні матричні комп'ютери 8471
4.1.3.2. * Нейронні комп'ютери 8471
4.1.3.3. * Оптичні комп'ютери 8471
4.1.4. Комп'ютери, їх збірки, супутнє обладнання доних і спеціально створені для них компоненти: .1.4.1. * Спеціально розроблені та сертифіковані для 8471
роботи в межах інтервалу температур нижче
-45град.C або вище 85град.C
———————————— Продукція, імпорт якої здійснюється за дозволом Комісії.
Примітка. Ці вимоги не поширюються на комп'ютери,спеціально призначені для використання в
цивільному автомобілебудуванні або залізнич-
ному вагонобудуванні.
4.1.4.2. * Спеціально розроблені з підвищеною стійкістю 8471до радіації з параметрами вище зазначених:
загальна доза - 5.105 рад;
доза випромінювання, що викликає збій -
5.108 рад/с; або
одиночний збій - 1*10 в ступ.(7) помилка
/біт/день .1.4.3. * Спеціально розроблені таким чином, що мають 8471
характеристики або робочі функції, що пере-
вершують межі,зазначені у частині 2 розділу 5
Примітка. Обладнання для виробництва,випробування таперевірки комп'ютерів, зазначених у роз-
ділі 4, до режиму експортного контролю не на-
лежить.
4.2. Програмне забезпечення і технологія
4.2.1. Конструкція і технологія виробництва цифро-вих комп'ютерів, їх збірок і супутнього об-
ладнання, а також спеціально створеної для
них елементної бази .2.1.1. Конструкція і технологія виробництва цифро- 490199000
вих комп'ютерів, а також збірок, спроектова- 490600000
них для комбінованого розпізнавання, ро-
зуміння та інтерпретації зображень або мови .2.1.2. Конструкція і технологія виробництва цифро- 490199000
вих комп'ютерів, а також збірок, зазначених 490600000
у пункті 4.1.2.2., спроектованих або модифі-
———————————— Продукція, імпорт якої здійснюється за дозволом Комісії.кованих для забезпечення відмовостійкості .2.1.3. Конструкція і технологія виробництва цифро- 490199000
вих комп'ютерів, які мають сукупну теоретич- 490600000
ну продуктивність більше 12,5 мегатопса .2.1.4. Конструкція і технологія виробництва збірок 490199000
цифрових комп'ютерів, спеціально спроектова- 490600000
них або модифікованих для збільшення продук-
тивності шляхом об'єднання обчислювальних
елементів, зазначених у пунктах 4.1.2.4. .2.1.5. Конструкція і технологія виробництва нако- 490199000
пичувачів на дисках і твердотільних приладів 490600000
пам'яті .2.1.5.1. конструкція і технологія виробництва накопи-
чувачів на магнітних, оптичних або магніто-
оптичних дисках з максимальною швидкістю
передачі інформації, що перевищує 25 Мбіт/с; .2.1.5.2. конструкція і технологія виробництва твердо-
тільних приладів пам'яті, які не належать до
оперативної пам'яті (відомих також під назвою
твердотільних (жорстких) дисків або дисків з
довільним доступом) і мають максимальну швид-
кість передачі інформації понад 36 Мбіт/с .2.1.6. Конструкція і технологія виробництва прист- 490199000
роїв керування введенням-виведенням, спроек- 490600000
тованих для використання з обладнанням, заз-
наченим у пункті 4.1.2.5. .2.1.7. Конструкція і технологія виробництва апара- 490199000
тури для оброблення сигналів або поліпшен- 490600000
ня якості зображення, що має сукупну теоре-
тичну продуктивність понад 8,5 мегатопса .2.1.8. Конструкція і технологія виробництва графіч- 490199000
них акселераторів або графічних співпроцесо- 490600000
рів, які перевищують швидкість обчислення
тривимірних векторів, що дорівнює 3000000
Примітка. До цього пункту не належать конструкції татехнології виробництва робочих станцій, що
створені або обмежені:
графічним мистецтвом ( наприклад полігра-
фією, книгодрукуванням);
відображенням двовимірних векторів.
4.2.1.9. Конструкція і технологія виробництва кольо- 490199000рових дисплеїв або моніторів, які мають роз- 490600000
подільну здатність більше 12 елементів на
міліметр в напрямі максимальної щільності
пікселів
Примітка. На конструкцію і технологію виробництвакольорових дісплеїв та моніторів, не спроек-
тованих спеціально для комп'ютерів, дія
пункту 4.2.1.9. не поширюється.
4.2.1.10. Конструкція і технологія виробництва апа- 490199000ратури, що має термінальний інтерфейс, який 490600000
перевищує межі, встановлені пунктом 4.1.2.3.,
і на яку поширюється режим експортного конт-
ролю згідно з пунктом 4.1.2.10.
4.2.2. Програмне забезпечення, спеціально розроб- 852421100лене чи модифіковане для проектування, ви- 852422100
робництва або використання цифрових 852423100
комп'ютерів, збірок і супутнього обладнання, 852490910
зазначених у пункті 4.1.2. 852490990
4.2.3. Конструкція і технологія виробництва обчис-лювальних машин та спеціально спроектованого
супутнього обладнання, їх збірок та елемент-
ної бази .2.3.1. Конструкція і технологія виробництва систо- 490199000
личних матричних комп'ютерів 490600000
4.2.3.2. Конструкція і технологія виробництва нейрон- 490199000них комп'ютерів 490600000
4.2.3.3. Конструкція і технологія виробництва оптич- 490199000них комп'ютерів 490600000
4.2.4. Програмне забезпечення, спеціально розроб- 852421100лене або модифіковане для проектування, ви- 852422100
робництва чи використання комп'ютерів, їх 852423100
збірок і спеціально спроектованого супутньо- 852490910
го обладнання, зазначених у пункті 4.1.3. 852490990
4.2.5. Конструкція і технологія виробництва гібрид- 490199000них комп'ютерів,їх збірок, супутнього облад- 490600000
нання і спеціально створених до них компо-
нентів, на які поширюється режим експортного
контролю згідно з пунктом 4.1.1.
4.2.6 Конструкція і технологія виробництва 490199000комп'ютерів, їх збірок, супутнього обладнан- 490600000
ня і спеціально створених до них компо-
нентів, на які поширюється режим експортного
контролю згідно з пунктом 4.1.4.
4.2.7 Програмне забезпечення, спеціально розроб- 852421100лене або модифіковано для підтримки техно- 852422100
логій, на які поширюється режим експортного 852423100
контролю згідно з пунктами 4.2.5., 4.2.6. 852490910
852490990
4.2.8. Технологія виробництва обладнання, спроекто- 490199000ваного для багатопоточного оброблення даних 490600000
4.2.9. Технологія виробництва накопичувачів на 490199000жорстких магнітних дисках з максимальною 490600000
швидкістю передачі інформації більше 11 Мбіт/с
4.2.10. Програмне забезпечення, спеціально розроб- 852421100лене або модифіковане для підтримки техно- 852422100
логій, на які поширюється режим експортного 852423100
контролю згідно з пунктами 4.2.8. і 4.2.9. 852490910
852490990
4.2.11. Спеціальне програмне забезпечення
4.2.11.1. Програмне забезпечення для доказу корект- 852421100ності програми випробувань якості з викорис- 852422100
танням математичних і аналітичних методів, 852423100
розроблене або модифіковане під програми,які 852490910
мають більше 500000 команд у первісних кодах 852490990
4.2.11.2. Програмне забезпечення, яке дає змогу авто- 852421100матично генерувати первісні коди за даними, 852422100
що надходять у режимі "он-лайн" від 852423100
зовнішних датчиків, зазначених у позиціях 852490910
списку 852490990
4.2.11.3. Програмне забезпечення операційних систем, 852421100інструментарій розроблення програмного за- 852422100
безпечення та компілятори, спеціально спро- 852423100
ектовані для обладнання багатопоточного 852490910
оброблення даних у первісних кодах 852490990
4.2.11.4. Програмне забезпечення або експертні систе- 852421100ми для механізмів логічного виведення екс- 852422100
пертних систем, які одночасно мають обидві 852423100
ознаки: 852490910
правила, які залежать від часу; 852490990
примітиви для роботи з часовими характе-
ристиками правил та факторів
4.2.11.5. Операційні системи, спеціально спроектовані 852421100для обладнання, що обробляє інформацію в ре- 852422100
альному масштабі часу і гарантує повний час 852423100
оброблення переривання менше ніж за 20 мкс 852490910
852490990
Розділ 5. Частина 1. Засоби зв'язку
Примітки: 1. У цьому розділі визначається статус контролюза компонентами, лазерами, випробувальним та
виробничим обладнанням, програмним забезпе-
ченням і технологіями, спеціально призначе-
ними для використання у засобах зв'язку.
2. Цифрові комп'ютери, їх супутнє обладнання
або програмне забезпечення, яке є суттєвим
для використання і підтримки засобів зв'язку,
зазначених у цьому розділі, розглядаються як
спеціально призначені компоненти за умови,
що вони є стандартними моделями, які звичай-
но постачаються виробником. Це включає роз-
роблення,використання і рекламу комп'ютерних
засобів або систем.
5.1. Вироби, обладнання і компоненти
5.1.1. Засоби зв'язку будь-якого типу, що мають 8517одну з таких характеристик, властивостей або 852510900
якостей: 852520900
спеціально розроблені для захисту від 852692900
транзисторного ефекту або електромагнітно- 8527
го імпульсу, що виникають під час ядерного 854380900
вибуху;
спеціально розроблені з підвищеною стій-
кістю до гама, нейтронного або іонного
випромінювання;
спеціально розроблені для функціонування
за межами інтервалу температур від 219 К
(-54град.C) до 397 К (124град.C);
спеціально розроблені або модернізовані
захищеними від витоку інформації побічними
каналами електромагнітних випромінювань
та/або наводів
5.1.2. Телекомунікаційні системи передачі або спе-ціально розроблені засоби, компоненти та
допоміжне обладнання, які містять:
Примітка. До телекомунікаційних систем передачі, заз-начених у пункті 5.1.2., належать:
апаратура, що визначається за однією з та-
ких категорій або їх комбінацій:
радіоапаратура (наприклад передавачі,
приймачі та радіостанції);
кінцева апаратура ліній ;
апаратура проміжних підсилювачів;
ретрансляційна апаратура;
апаратура ретрансляції з відновленням
сигналу (регенерації);
трансляційні кодери (транскодери);
апаратура ущільнення (включно із статис-
тичним ущільненням);
модулятори/демодулятори (модеми);
трансмультиплексна апаратура ( МККТТ,
Рекомендація G.701);
апаратура цифрової комутації з вмонтова-
ним програмним керуванням;
міжмережні інтерфейси та мости;
апаратура доступу до телекомунікаційного
середовища (носіїв даних);
апаратура, розроблена для використання в
одноканальних чи багатоканальних лініях
зв'язку шляхом:
провідника (лінії);
коаксіального кабелю;
волоконно-оптичного кабелю;
електромагнітного випромінювання;
поширення акустичних хвиль під водою.
5.1.2.1. * Засоби зв'язку, які використовують цифрові 851740000методи оброблення сигналів, включаючи облад- 851781900
нання цифрового оброблення аналогових сиг- 851782000
налів, і призначені для функціонування при 852510900
швидкості цифрової передачі на верхній межі 852520900
ущільнення понад 34 Мбіт/с або із загальною 852692900
швидкістю цифрової передачі понад 90 Мбіт/с 854380900
Примітка. Вимоги за пунктом 5.1.2.1. не поширюютьсяна засоби, спеціально розроблені для супут-
никових систем цивільного призначення.
5.1.2.2. * Апаратура цифрової комутації з вмонтованим 851730000програмним управлінням та швидкістю цифрової 854380900
передачі понад 2 Мбіт/с на канал .1.2.3. Апаратура, яка містить:
5.1.2.3.1. модеми, які використовують смугу одного 851781900телефонного каналу з швидкістю цифрової 851782000
передачі понад 9600 біт/с; 852520900
5.1.2.3.2.* контролери каналу зв'язку з цифровим вихо- 852520900дом швидкості передачі на канал понад 854380900
64 Кбіт/с; .1.2.3.3.* контролери доступу до мережі чи зв'язане з 852520900
нею загальне середовище з швидкістю пере- 854380900
дачі понад 156 Мбіт/с
Примітка. Якщо засоби зв'язку, які не підлягають конт-ролю, містять контролери з параметрами, заз-
наченими у пунктах 5.1.2.3.2. та 5.1.2.3.3.,
їх переміщення здійснюється за дозволом
Комісії.
———————————— Продукція, імпорт якої здійснюється за дозволом Комісії.
5.1.2.4. * Апаратура, що використовує лазери і має однуз таких характеристик: .1.2.4.1. довжина хвилі оптичного випромінювання лазе- 852510900
ра понад 1000 нм; 852520900
5.1.2.4.2. використовує аналогові методи та смуги час- 852510900тот понад 34 МГц; 852520900
Примітка. Вимоги за пунктом 5.1.2.4.2. не поширюютьсяна комерційні телевізійні системи.
5.1.2.4.3. використовує методи когерентної оптичної 852510900передачі або когерентні методи оптичного де- 852520900
тектування (також іменовані оптичними гете-
родинними чи гомодинними методами); .1.2.4.4. використовує методи ущільнення з розділенням 852510900
за довжиною хвилі; або 852520900
5.1.2.4.5. здійснює оптичне підсилення 852510900852520900
5.1.2.5. * Радіоапаратура, яка функціонує на частотах 852510900вхідного чи вихідного сигналу понад 31 ГГц; 852520900
Примітка. Вимоги за пунктом 5.1.2.5. не поширюються нарадіоапаратуру, призначену або модифіковану
для роботи у будь-якому діапазоні частот
систем комерційного чи промислового телеба-
чення.
5.1.2.6. * Радіоапаратура, яка використовує:
5.1.2.6.1. квадратурну амплітудну модуляцію з кількістю 852510900рівнів понад 4, якщо загальна швидкість циф- 852520900
рової передачі перевищує 8,5 Мбіт/с; .1.2.6.2. квадратурну амплітудну модуляцію з кількістю 852510900
———————————— Продукція, імпорт якої здійснюється за дозволом Комісії.рівнів понад 16, якщо загальна швидкість пе- 852520900
редачі дорівнює або менше 8,5 Мбіт/с; або .1.2.6.3. інші методи цифрової модуляції, що мають 852510900
спектральну ефективність понад 3 біт/с/Гц 852520900
Примітки: 1. Вимоги за пунктом 5.1.2.6. не поширюються назасоби радіозв'язку, спеціально розроблені
для використання у будь-якій супутниковій
системі зв'язку цивільного призначення.
2. Експортний контроль за пунктом 5.1.2.6. не
поширюється на засоби радіорелейного зв'яз-
ку, призначені для використання у діапазоні
частот Міжнародного союзу електрозв'язку і
мають такі характеристики:
діапазон функціонування не перевищує
960 МГц або загальна швидкість цифрової
передачі не перевищує 8,5 Мбіт/с;
спектральна ефективність не перевищує
4 біт/с/Гц.
5.1.2.7. * Радіоапаратура, яка функціонує в діапазонічастот 1,5 - 87,5 МГц і має одну з таких ха-
рактеристик: .1.2.7.1. автоматичне прогнозування та вибір значень 852520900
частот для оптимізації загальної швидкості 854380900
цифрової передачі; .1.2.7.2. наявність лінійного підсилювача потужності, 852510900
здатного одночасно підтримувати кількість 852520900
сигналів з вихідною потужністю 1 кВт чи
більше в частотному діапазоні 1,5 - 30 МГц,
або 250 Вт чи більше в частотному діапазоні
30 - 87,5 МГц, понад межі миттєвої смуги
———————————— Продукція, імпорт якої здійснюється за дозволом Комісії.однієї октави чи більше і з вмістом гармонік
та спотворювань на виході не більше -80 дБ; .1.2.7.3. наявність адаптивних пристроїв, що забезпе- 852520900
чують подавлення сигналу завад більше ніж на
15 дБ .1.2.8. * Радіоапаратура, яка використовує методи роз-
ширення спектра або методи швидкого перена-
лагодження частоти (стрибкоподібної перебу-
дови частоти) і має одну з таких характерис-
тик: .1.2.8.1. наявність кодів розширення, що програмують- 852520900
ся користувачем; .1.2.8.2. загальна ширина смуги частот передачі, яка в 852520900
100 чи більше разів перевищує смугу частот
одного інформаційного каналу і становить
більше 50 кГц
Примітка. Вимоги за пунктом 5.1.2.8. не поширюються назасоби радіозв'язку, що функціонують при
вихідній потужності передавача 1 Вт чи менше
і засоби радіозв'язку, зазначені у пункті
5.1.2.8.2., що входять до систем стільнико-
вого радіо і функціонують у межах цивільних
смуг радіочастот.
5.1.2.9. * Радіоприймачі з цифровим керуванням і понад 85271000 каналами, які:
здійснюють автоматичний пошук чи сканують
частину електромагнітного спектра;
ідентифікують прийнятий сигнал чи тип пере-
давача;
мають час перемикання частоти менше 1 мс
———————————— Продукція, імпорт якої здійснюється за дозволом Комісії.
Примітка. Вимоги за пунктом 5.1.2.9. не поширюються нарадіоприймачі для стільникових систем радіо-
зв'язку, які функціонують у межах цивільних
смуг радіочастот (виділених на первинній ос-
нові).
5.1.2.10. *Апаратуру, яка забезпечує цифрове кодування 852520900мовлення з швидкістю менше 2400 біт/с 854380900
5.1.2.11. *Системи підводного зв'язку, що мають будь-яку з таких характеристик: .1.2.11.1 частота акустичної несучої перебуває за ме- 851850900
жами діапазону від 20 до 60 кГц; .1.2.11.2 частота електромагнітної несучої нижче 852520900
30 кГц; .1.2.11.3 використовується метод електронного керуван- 852520900
ня діаграмою напрямку антени
5.1.3. *Апаратура цифрової комутації з вмонтованимпрограмним керуванням і системи сигналізації
до них, що мають одну із зазначених характе-
ристик, функцій або ознак, а також спеціально
розроблені для них компоненти та допоміжне
обладнання (аксесуари)
Примітка. Статистичні мультиплексори з цифровим входомта цифровим виходом, що здійснюють функції
комутації, розглядаються як комутатори із
вмонтованим програмним керуванням.
5.1.3.1. Системи сигналізації по загальному каналу 854380900
5.1.3.2. Апаратура комутації для цифрових мереж ін- 851730000тегрованих послуг 854380900
5.1.3.3. Апаратура комутації, яка має багаторівневий 851730000пріоритет та ієрархію кіл комутації 854380900
———————————— Продукція, імпорт якої здійснюється за дозволом Комісії.
Примітка. Вимоги за пунктом 5.1.3.3. не поширюютьсяна ієрархію однорівневих викликів.
5.1.3.4. Апаратура комутації, яка має динамічну адап- 851730000тивну маршрутизацію 854380900
5.1.3.5. Апаратура комутації, яка має маршрутизацію 851730000або комутацію дейтограмних пакетів 854380900
5.1.3.6. Апаратура комутації, яка має маршрутизацію 851730000або швидку комутацію пакетів 854380900
Примітка. Вимоги за пунктами 5.1.3.5. та 5.1.3.6. непоширюються на мережі, які використовують
тільки контролери доступу до мережі, або на
самі контролери доступу до мережі.
5.1.3.7. Апаратура комутації, розроблена для автома- 851730000тичного виклику стільникового радіо до інших 854380900
стільникових комутаторів або для автоматич-
ного з'єднання абонентів з центральною базою
даних, яка є спільною більше ніж для одного
комутатора .1.3.8. Комутатори пакетів, каналів та маршрутні ко-
мутатори з портами чи каналами, параметри
яких перевищують: .1.3.8.1. швидкість цифрової передачі даних 2,1 Мбіт/с 854380900
на канал для контролера каналу зв'зку; або .1.3.8.2. швидкість цифрової передачі 156 Мбіт/с для 854380900
контролера доступу до мережі та пов'язаного
середовища передачі
Примітка. Вимоги за пунктом 5.1.3.8.1. не перешкоджаютьущільненню каналів зв'язку на складеній
лінії, що не підлягають експортному контролю.
5.1.3.9. Апаратура оптичної комутації 854380900
5.1.3.10. Апаратура комутації, яка використовує методи 854380900асинхронного режиму передачі .1.3.11. Апаратура комутації, яка має обладнання циф- 851730000
рової крос-комутації з вмонтованим програм- 854380900
ним керуванням з швидкістю передачі більше
8,5 Мбіт/с на порт
5.1.4. * Комплекси засобів центрального керування 852790990мережою, які здійснюють динамічну адаптивну 854380900
маршрутизацію даних
5.1.5. * Волоконно-оптичні кабелі зв'язку, оптичні во-локна і спеціально розроблені для них компо-
ненти та допоміжне обладнання .1.5.1. Волоконно-оптичні кабелі або оптичні волокна 854470000
завдовжки понад 50 м, які мають одну з таких 900110100
характеристик: 900110900
розроблені для функціонування в одномодо- 900190900
вому режимі;
здатні витримувати під час контрольних
випробувань механічну напругу 2.109 Н/кв.м
або більше
Примітка. Контрольні випробування: перевірка на стадіяхвиготовлення або після виготовлення полягає
у прикладанні заданої напруги до волокна
завдовжки від 0,5 до 3 м на швидкості ходу
від 2 до 5 м/с під час проходження волокон
між провідними валами приблизно 150 мм у
діаметрі. При цьому зовнішня оточуюча темпе-
ратура становить 293 К (20град.C), відносна во-
логість дорівнює 40 відсотків. ——————————— Продукція, імпорт якої здійснюється за дозволом Комісії.
5.1.5.2. Компоненти та допоміжне обладнання, спеці- 900110900ально розроблене для оптичних волокон або 901320000
кабелів, зазначених у пункті 5.1.5.1., за
винятком з'єднувачів для застосування з оп-
тичними волокнами або кабелями, які мають
загасання з'єднання 0,5 дБ або більше .1.5.3. Волоконно-оптичні кабелі та допоміжне облад- 854470000
нання, розроблені для використання під водою 900110900
(для оптоволоконних з'єднувачів та вимірюва- 900190900
чів випромінювання експортний контроль здійс- 901320000
нюється згідно з вимогами розділу 8) .1.5.4. Кабель з волокон на основі сполучень фтору 900110900
або оптичні волокна із загасанням менше 900190900
4 дб/км у діапазоні довжини хвиль понад
1000 нм, але не більше 3000 нм
5.1.6. Фазовані антени з електронним керуванням 852910діаграмою напрямку, які працюють у діапазоні
частот вище 31 ГГц, за винятком антен для
систем посадки, оснащених обладнанням та
приладами, що відповідають вимогам ICAO
(мікрохвильові системи посадки)
5.1.7. Випробувальне, контрольне і виробниче облад-нання, компоненти і допоміжне обладнання
(аксесуари) до нього,спеціально спроектовані
для розроблення, виробництва або використан-
ня виробів, обладнання, функцій і ознак, що
контролюються частиною 1 розділу 5
5.2. Програмне забезпечення і технологія
5.2.1. Конструкція і технологія виробництва засобів 490199000зв'язку будь-якого типу, що мають одну з та- 490600000
ких характеристик, властивостей або якостей: .2.1.1. Спеціально розроблені для захисту від тран-
зисторного ефекту або електромагнітного ім-
пульсу,які виникають під час ядерного вибуху; .2.1.2. Спеціально розроблені з підвищеною стійкістю
до гамма, нейтронного або іонного випроміню-
вання; .2.1.3. Спеціально розроблені для функціонування за
межами інтервалу температур від 219 К (-54град.C)
до 397 К (124град.C) .2.1.4. Спеціально розроблені або модернізовані за-
хищеними від витоку інформації побічними ка-
налами електромагнітних випромінювань та/або
наводів
Примітки: 1. Пункт 5.2.1.3. застосовується тільки доконструкції та технології виробництва елект-
ронної апаратури.
2. Пункти 5.2.1.2. і 5.2.1.3. не застосовуються
до конструкції та технології виробництва бор-
тової апаратури супутників.
5.2.1.5. Програмне забезпечення спеціально розробле- 852421100не або модифіковане для розроблення, вироб- 852422100
ництва чи використання засобів зв'язку, заз- 852433100
начених у пункті 5.1.1. 852490910
852490990
5.2.2. Конструкція і технологія виробництва теле- 490199000комунікаційних систем передачі або спеціаль- 490600000
но розроблених компонентів та допоміжного
обладнання, які містять: .2.2.1. Засоби зв'язку, що використовують цифрові
методи оброблення сигналів, включаючи облад-
нання цифрового оброблення аналогових сиг-
налів, і призначені для функціонування при
швидкості цифрової передачі на верхній межі
ущільнення понад 34 Мбіт/с або із загальною
швидкістю цифрової передачі понад 90 Мбіт/с
Примітка. Вимоги за пунктом 5.2.2.1. не поширюються наконструкцію і технологію виробництва за-
собів, спеціально розроблених для супутнико-
вих систем цивільного призначення.
5.2.2.2. Апаратуру цифрової комутації з вмонтованимпрограмним керуванням та швидкістю цифрової
передачі понад 2 Мбіт/с на канал .2.2.3. Апаратуру, яка містить:
5.2.2.3.1. модеми, що використовують смугу одного теле-фонного каналу з швидкістю цифрової передачі
понад 9600 біт/с; .2.2.3.2. контролери каналу зв'язку з цифровим вихо-
дом, з швидкістю передачі на канал понад
64000 біт/с; .2.2.3.3. контролери доступу до мережі чи зв'язане з
нею загальне середовище з швидкістю передачі
більше 156 Мбіт/с .2.2.4. Апаратура, що використовує лазери і має одну
з таких характеристик: .2.2.4.1. довжина хвилі випромінювання лазера понад
1000 нм; .2.2.4.2. використовує аналогові методи та смуги час-
тот понад 34 МГц; .2.2.4.3. використовує методи когерентної оптичної пе-
редачі або когерентні методи оптичного де-
тектування (також іменовані оптичними гете-
родинними або гомодинними методами); .2.2.4.4. використовує методи ущільнення з розподі-
ленням за довжиною хвилі; або .2.2.4.5. здійснює оптичне підсилення
5.2.2.5. Радіоапаратуру, яка функціонує на частотахвхідного чи вихідного сигналу понад 31 ГГц
Примітка. Вимоги за пунктом 5.2.2.5. не поширюються наконструкцію і технологію виробництва засобів
радіозв'язку, призначених або модифікованих
для роботи у будь-якому діапазоні частот
систем комерційного чи промислового телеба-
чення.
5.2.2.6. Радіоапаратуру, яка використовує:
5.2.2.6.1. квадратурну амплітудну модуляцію з кількістюрівнів понад 4, якщо загальна швидкість циф-
рової передачі перевищує 8,5 Мбіт/с; .2.2.6.2. квадратурну амплітудну модуляцію з кількістю
рівнів понад 16, якщо загальна швидкість пе-
редачі дорівнює або менше 8,5 Мбіт/с; або .2.2.6.3. інші методи цифрової модуляції, що мають
спектральну ефективність понад 3 біт/с/Гц
Примітка. Вимоги за пунктом 5.2.2.6. не поширюються наконструкцію і технологію виробництва засобів
радіозв'язку, що спеціально розроблені для
використання в будь-якій супутниковій системі
зв'язку цивільного призначення.
5.2.2.7. Радіоапаратуру, яка функціонує в діапазонічастот 1,5 - 87,5 МГц і має одну з таких ха-
рактеристик: .2.2.7.1. автоматичне прогнозування та вибір значень
частот для оптимізації загальної швидкості
цифрової передачі; .2.2.7.2. наявність лінійного підсилювача потужності,
здатного одночасно підтримувати кількість
сигналів з вихідною потужністю 1 кВт чи
більше в частотному діапазоні 1,5 - 30 МГц
або 250 Вт чи більше в частотному діапазоні
30 - 87,5 МГц, понад межі миттєвої смуги
однієї октави чи більше і з вмістом гармонік
та спотворювань на виході не більше -80 дБ; .2.2.7.3. наявність адаптивних пристроїв, що забезпе-
чують подавлення сигналу завад більше ніж на
15 дБ
5.2.2.8. Радіоапаратуру, яка використовує методи роз-ширення спектра або методи швидкого перена-
лагодження частоти (стрибкоподібної перебу-
дови частоти) і мають одну з таких харак-
теристик: .2.2.8.1. наявність кодів розширення, програмованих
користувачем; .2.2.8.2. загальна ширина смуги частот передачі, яка в
100 чи більше разів перевищує смугу частот
одного інформаційного каналу і становить
більше 50 кГц
Примітка. Вимоги за пунктом 5.2.2.8. не поширюються наконструкцію і технологію виробництва засобів
радіозв'язку, які функціонують при вихідній
потужності передавача 1 Вт чи менше і за-
собів радіозв'язку, зазначених у пункті
5.1.2.8.2., що входять до систем стільнико-
вого радіо і функціонують у межах цивільних
смуг радіочастот.
5.2.2.9. Радіоприймачі з цифровим керуванням і більше1000 каналами, які здійснюють автоматичний
пошук чи сканують частину електромагнітного
спектра, ідентифікують прийнятий сигнал або
тип передавача і мають час перемикання час-
тоти менше 1 мс римітка. Вимоги за пунктом 5.2.2.9. не поширюються на
конструкцію і технологію виробництва радіо-
приймачів для стільникових систем радіозв'яз-
ку, які функціонують у межах цивільних смуг
радіочастот (виділених на первинній основі).
5.2.2.10. Апаратуру, яка забезпечує функцію цифровогооброблення сигналів у вигляді: .2.2.10.1.кодування мовлення з швидкістю менше
2400 біт/с; .2.2.10.2.використання схем, які забезпечують програ-
мування користувачем схем цифрового оброблен-
ня сигналів, що перевищує межі, зазначені
у пункті 4.1.2.7. .2.2.11. Системи підводного зв'язку, які мають одну
з таких характеристик: .2.2.11.1.частота акустичної несучої перебуває за ме-
жами діапазону від 20 до 60 кГц; .2.2.11.2.частота електромагнітної несучої нижче
30 кГц; .2.2.11.3.використовується метод електронного керу-
вання діаграмою напрямку антени
5.2.3. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не або модифіковане для розроблення, вироб- 852422100
ництва чи використання телекомунікаційних 852433100
систем для передачі, зазначених у пункті 852490910
5.1.2. 852490990
5.2.4. Конструкція і технологія виробництва апара-тури цифрової комутації з вмонтованим прог-
рамним керуванням систем сигналізації до
них, що мають одну із зазначених характерис-
тик, функцій або ознак, а також спеціально
розроблених компонентів та допоміжного об-
ладнання .2.4.1. Конструкція і технологія виробництва систем 490199000
сигналізації по загальному каналу, зазначе- 490600000
них у пункті 5.1.3.1. .2.4.2. Конструкція і технологія виробництва апара- 490199000
тури комутації для цифрових мереж інтегрова- 490600000
них послуг, зазначеної у пункті 5.1.3.2. .2.4.3. Конструкція і технологія виробництва апара- 490199000
тури комутації, яка має багаторівневий прі- 490600000
оритет та ієрархію кіл комутації, зазначеної
у пункті 5.1.3.3. .2.4.4. Конструкція і технологія виробництва апара- 490199000
тури комутації, яка має динамічну адаптивну 490600000
маршрутизацію, зазначеної у пункті 5.1.3.4. .2.4.5. Конструкція і технологія виробництва апара- 490199000
тури комутації, яка має маршрутизацію або 490600000
комутацію дейтограмних пакетів, зазначеної у
пункті 5.1.3.5. .2.4.6. Конструкція і технологія виробництва апара- 490199000
тури комутації, яка має маршрутизацію або 490600000
швидку комутацію пакетів, зазначеної у
пункті 5.1.3.6. .2.4.7. Конструкція і технологія виробництва апара- 490199000
тури комутації, розробленої для автоматично- 490600000
го виклику стільникового радіо до інших
стільникових комутаторів або для автоматич-
ного з'єднання абонентів з центральною базою
даних, яка є загальною більш ніж для одного
комутатора, зазначеної в пункті 5.1.3.7. .2.4.8. Конструкція і технологія виробництва комута- 490199000
торів пакетів, каналів та маршрутизаторів, 490600000
зазначених у пунктах 5.1.3.8.- 5.1.3.8.2. .2.4.9. Конструкція і технологія виробництва апара- 490199000
тури оптичної комутації, зазначеної у пункті 490600000
5.1.3.9. .2.4.10. Конструкція і технологія виробництва апара- 490199000
тури комутації, яка використовує методи 490600000
асинхронного режиму передачі, зазначеної в
пункті 5.1.3.10. .2.4.11. Конструкція і технологія виробництва апара- 490199000
тури комутації, яка має обладнання цифрової 490600000
крос-комутації з влаштованим програмним
керуванням з швидкістю передачі більше
8,5 Мбіт/с на порт, зазначеної у пункті
5.1.3.11.
5.2.5. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не або модифіковане для проектування чи ви- 852422100
користання апаратури комунікації обладнання, 852433100
зазначеної у пункті 5.1.3. 852490910
852490990
5.2.6. Конструкція і технологія виробництва комп- 490199000лексів засобів централізованого керування 490600000
мережі, зазначених у пункті 5.1.4.
5.2.7. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва чи використання апаратури комплексів 852433100
засобів централізованого керування мережі, 852490910
зазначених у пункті 5.1.4. 852490990
5.2.8. Технології для розроблення або виробництва 490199000телекомунікаційного обладнання, спеціально 490600000
розробленого для використання на борту су-
путників
5.2.9. Конструкція і технологія розроблення або ви- 490199000робництва комплектів апаратури лазерного 490600000
з'вязку з можливістю автоматичного захвату,
спостереження сигналу і підтримка зв'зку че-
рез атмосферу або підповерхневе оточення
(воду)
5.2.10. Технології для розроблення апаратури, яка 490199000використовує методи синхронної цифрової 490600000
ієрархії (SDH) або синхронної оптичної мережі
5.2.11. Технології для розроблення комунікаційних 490199000центрів з швидкістю вище 64 кбіт/с на інфор- 490600000
маційний канал, які відрізняються від цифро-
вих крос-з'єднувачів, вмонтованих у переми-
кач (комутатор)
5.2.12. Технології для розроблення централізованого 490199000керування мережею або дінамічної адаптивної 490600000
маршрутизації
5.2.13. Технології для розроблення стільникових сис- 490199000тем радіозв'язку 490600000
5.2.14. Технології для розроблення широкосмужкової 490199000цифрової мережі інтегрального обслуговування 490600000
5.2.15. Загальне програмне забезпечення за формою,що 852421100відрізняється від тієї, яку виконує машина, 852422100
спеціально розроблене або модифіковане для 852433100
використання систем чи обладнання цифрової 852490910
комутації з вмонтованим програмним керуванням 852490990
5.2.16. Програмне забезпечення за формою, що відріз- 852421100няється від тієї, яку виконує машина, спе- 852422100
ціально розроблене або модифіковане для ви- 852433100
користання систем чи обладнання цифрового 852490910
стільникового радіо 852490990
5.2.17. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не чи модифіковане для забезпечення харак- 852422100
теристик, властивостей або якостей засобів 852433100
зв'язку, зазначених у пункті 5.1.1. 852490910
852490990
5.2.18. Програмне забезпечення, яке дає змогу від- 852421100новити програмний код телекомунікаційного 852422100
програмного забезпечення, зазначеного в 852433100
пунктах 5.2.3.- 5.2.17. 852490910
852490990
5.2.19. Конструкція і технологія виробництва воло-конно-оптичних кабелів зв'язку, оптичних
волокон, спеціально розроблених компонентів
та допоміжного обладнання: .2.19.1. Технологія виробництва волоконно-оптичних ка- 490199000
белів або оптичних волокон завдовжки понад 490600000
50 м, які мають одну з таких характеристик:
розроблені для функціонування в одномодо-
вому режимі;
здатні витримувати під час контрольних вип-
робувань напругу (механічну) 2.109 Н/кв.м
або більше
5.2.19.2. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не для проектування чи виробництва оптичних 852422100
волокон або кабелів, зазначених у пункті 852433100
5.1.5.1. 852490910
852490990
5.2.19.3. Конструкція і технологія виробництва компо- 490199000нентів та допоміжного обладнання, спеці- 490600000
ально розроблених для оптичних волокон або
кабелів, зазначених у пункті 5.1.5.1. за ви-
нятком з'єднувачів для застосування з оптич-
ними волокнами або кабелями, які мають втра-
ти з'єднання 0,5 дБ або більше .2.19.4. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування або виробництва компо- 852422100
нентів та допоміжного обладнання, зазначено- 852433100
го у пункті 5.1.5.2. 852490910
852490990
5.2.19.5. Конструкція і технологія виробництва волокон- 490199000но-оптичних кабелів та допоміжного обладнан- 490600000
ня, розроблених для використання під водою
(для оптоволоконних з'єднувачів та вимірю-
вачів випромінювання експортний контроль
здійснюється згідно з вимогами розділу 8) .2.19.6. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування чи виробництва волоконно- 852422100
оптичних кабелів та допоміжного обладнання, 852433100
зазначених у пункті 5.1.5.3. 852490910
852490990
5.2.19.7. Конструкція і технологія виробництва кабелю 490199000з волокон на основі сполучень фтору або оп- 490600000
тичних волокон з поглинанням менше 4 дб/км у
діапазоні довжин хвиль понад 1000 нм, але не
більше ніж 3000 нм .2.19.8. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування або виробництва кабелю з 852422100
волокон на основі сполучень фтору, зазначе- 852433100
ного у пункті 5.1.5.4. 852490910
852490990
5.2.20. Технології для оброблення і нанесення покрит- 490199000тів на оптичні волокна, спеціально призначені 490600000
для доведення волокон та волоконно-оптичного
кабелю до здатності для використання під водою
5.2.21. Технології для розроблення радіоапаратури з 490199000використанням квадратурної амплітудної моду- 490600000
ляції з кількістю рівнів понад 4 .2.22. Технології для розроблення радіоапаратури, 490199000
яка використовує методи розширення спектра 490600000
або методи швидкого переналагодження частоти
5.2.23. Конструкція і технологія виробництва фазова- 490199000них антен з електронним керуванням діагра- 490600000
мою напрямку, зазначених у пункті 5.1.6.
5.2.24. Конструкція і технологія виробництва випро- 490199000бувального, контрольного і виробничого об- 490600000
ладнання, компонентів та допоміжного облад-
нання (аксесуарів) до нього, зазначених у
пункті 5.1.7.
Розділ 5. Частина 2. Захист інформації
5.3. Вироби, обладнання і компоненти
Примітка. У цьому розділі визначається статус контролюза засобами захисту інформації, програмним
забезпеченням, системами і збірками спеціаль-
ного призначення, модулями, інтегральними
схемами, компонентами і функціями, навіть
якщо вони є компонентами або збірками інших
виробів чи обладнання.
5.3.1. Спеціальні вироби, обладнання, їх збірки,модулі або інтегральні схеми, призначені для
захисту інформації, та інші спеціально роз-
роблені для них компоненти
Примітка. Статус контролю глобальних навігаційних су-путникових систем, забезпечених обладнанням,
що містить або використовує пристрої дешиф-
рування (а саме, глобальні супутникові сис-
теми радіовизначення), визначається вимогами
розділу 7.
5.3.1.1. * Розроблені або модифіковані для використання 854380900в криптографії із застосуванням цифрових ме-
тодів забезпечення захисту інформації .3.1.2. * Розроблені або модифіковані для виконання 854380900
криптоаналітичних функцій .3.1.3. * Розроблені або модифіковані для використання 854380900
в криптографії із застосуванням аналогових
———————————— Продукція, імпорт якої здійснюється за дозволом Комісії.методів забезпечення захисту інформації, за
винятком:
засобів, які використовують алгоритми пос-
тійного смугового скремблювання з кількіс-
тю смуг не більше 8 і в яких транспозиції
відбуваються не частіше 1 разу за секунду;
засобів, які використовують алгоритми пос-
тійного смугового скремблювання з кількіс-
тю смуг більше 8 і в яких транспозиції від-
буваються не частіше 1 разу за 10 секунд;
засобів, які використовують алгоритми фік-
сованої інверсії спектра і в яких транс-
позиції відбуваються не частіше 1 разу за
секунду;
засобів факсимільного зв'язку;
засобів мовлення в обмеженій аудиторії;
засобів цивільного телебачення .3.1.4. * Розроблені або модифіковані для захисту ін- 854380900
формації від витоку каналами побічних елект-
ромагнітних випромінювань та/або наводів
Примітка. Вимоги за пунктом 5.3.1.4. не поширюються навироби, обладнані спеціальними пристроями
заглушування витоку випромінювань, шкідливих
для здоров'я чи безпеки оточуючих.
5.3.1.5. * Розроблені чи модифіковані з метою застосу- 854380900вання криптографічних методів для генерації
кодів розширення для засобів, що використо-
вують методи розширення спектра або методи
швидкого переналагодження частоти .3.1.6. * Розроблені або модифіковані для забезпечення 854380900
———————————— Продукція, імпорт якої здійснюється за дозволом Комісії.сертифікаційного чи такого, що підлягає сер-
тифікації, багаторівневого захисту або ізо-
ляції користувача на рівні, який перевищує
клас В2 критерію оцінки надійності комп'ютер-
них систем чи еквівалентний йому рівень
5.3.2. * Кабелі зв'язку, розроблені або модифіковані 85438090з використанням механічних, електричних чи
електронних засобів для виявлення несанкціо-
нованого доступу до них
Примітка. Вимоги за пунктами 5.3.1. не поширюються на:а) інтелектуальні плати або спеціально призна-
чені для них компоненти з однією з таких ха-
рактеристик:
не здатні здійснювати шифрування потоку
повідомлень або шифрування даних, що нада-
ються користувачем, або функцій розподілення
ключів, що відносяться до них; або
коли їх використання обмежене обладнанням
чи засобами, виключеними з контролю у пункті
5.3.1.3. або від примітки б) до ж);
б) обладнання, що містить статистичне ущільнен-
ня даних або алгоритми кодування;
в) приймальне обладнання для радіомовлення, ко-
мерційного телебачення або подібні види те-
лебачення для обмеженої аудиторії споживачів
без цифрового шифрування і у тих випадках,
коли цифрове шифрування обмежене функціями
відео, аудіо або керування;
г) портативні або мобільні радіотелефони для
цивільного використання, наприклад, для ви-
———————————— Продукція, імпорт якої здійснюється за дозволом Комісії.користання у цивільних стільникових системах
радіозв'язку, які не можуть здійснювати
наскрізне шифрування;
д) функції шифрування, спеціально призначені
для захищення програмного забезпечення, за
умови, що функції шифрування не доступні ко-
ристувачеві;
е) обладнання контролю за доступом,таке як засо-
би,що передають інформацію,засоби самообслу-
говування або термінали в торговельних міс-
цях, захищені паролем або персональним іден-
тифікаційним кодом чи подібними пристроями
з метою запобігання несанкціанованому досту-
пу до обладнання,але не дають змоги шифрува-
ти файли або тексти,за винятком безпосередньо
пов'язаних з паролем або захистом за допомо-
гою персонального ідентифікаційного коду;
є) обладнання для розпізнавання даних, що роз-
раховує аутентифікаційний код повідомлення
або дає подібний результат, який допомагає
впевнитись у тому, що дані не змінювалися,
або для аутентифікації користувачів, але не
має змоги ши фрувати дані, тексти або інші
повідомлення іншим чином, ніж це необхідно
для аутентифікації;
ж) крипторгафічне обладнання, спеціально призна-
чене і обмежене використанням у засобах або
пристріях для банківських чи валютних опера-
цій, такі як банкомати або автосповіщувачі.
5.3.3. * Радіоелектронні вироби, спеціально обладнані 8471пристроями, що забезпечують функції захисту 8517
інформації від витоку каналами побічних 8520
електромагнітних випромінювань та/або наводів 8521
8528
854380900 ——————————— Продукція, імпорт якої здійснюється за дозволом Комісії.
5.3.4. * Спеціальні прилади та апаратура для контролю 854380900(виміру) за рівнем захищеності інформації 902680910
від витоку 902680990
903039300
903039990
903089910
903089990
903180390
903180990
5.3.5. * Технічні засоби охоронної та охоронно-пожеж-ної сигналізації
Примітка. Вимоги за пунктом 5.3.5. не поширюються натехнічні засоби пожежної сигналізації та
будь-які типи оповіщувачів.
5.3.5.1. Технічні засоби охоронно-пожежної сигналі- 853110900зації, які у своєму складі містять один з
таких пристроїв:
шифропристрій з будь-якими способами вста-
новлення кодової комбінації;
апаратуру або пристрої контролю за
санкціонованим доступом;
апаратуру або пристрої відеонагляду (відео-
контролю), цифрові відеокомпресори або ко-
мутатори відеосигналів;
апаратуру зв'язку, яка забезпечує автома-
тичну передачу оповіщень; або
периметрові (об'єктові) радіолокаційні,
радіопромінні (бар'єрного типу) оптико-
електронні, лазерні, акустичні або інфра-
червоні пристрої виявлення сторонніх осіб .3.5.2. Технічні засоби охоронної сигналізації, які 853110900
у своєму складі містять один з таких прист-
роїв:
———————————— Продукція, імпорт якої здійснюється за дозволом Комісії.технічні пристрої протидії;
технічні пристрої санкціонованого доступу;
пристрої захисту інформації;
апаратуру зв'язку, яка забезпечує автома-
тичну передачу повідомлень;
периметрові (об'єктові) радіолокаційні,
радіопромінні (бар'єрного типу) оптико-
електронні, лазерні, акустичні або інфра-
червоні пристрої виявлення сторонніх осіб .3.5.3. Технічні засоби охоронної та охоронно-пожеж- 853110900
ної сигналізації, спеціально розроблені або
модернізовані захищеними від витоку інфор-
мації каналами побічних електромагнітних
випромінювань та/або наводів
5.3.6. * Випробувальне, контрольне та виробниче об- 8471ладнання, спеціально призначене для розроб- (крім
лення та виробництва виробів, обладнання, а 847110)
також функцій, що контролюються частиною 2 854380
розділу 5, включаючи вимірювальне та випробу- 902680
вальне обладнання 903039
903089
903180
5.3.7. * Вимірювальне обладнання, спеціально призначе- 854380не для оцінки чи атестації функцій захисту 902680
інформації, що контролюються згідно з пунк- 903039
том 5.3.1. або 5.4.1. 903089
903180
5.3.8. * Спеціальна апаратура або пристрої для зняття 852090900інформації з каналів зв'язку та інші техніч- 852190000
ні засоби негласного отримання інформації 852510900
852530900
854380900 ——————————— Продукція, імпорт якої здійснюється за дозволом Комісії.
5.4. Програмне забезпечення і технологія
5.4.1. Конструкція і технологія виробництва спе-ціальних виробів, обладнання, їх модулів або
інтегральних схем, призначених для захисту
інформації та інших спеціально розроблених
компонентів .4.1.1. Конструкція і технологія виробництва апара- 490199000
тури, вузлів і компонентів, розроблених або 490600000
модифікованих для використання в криптог-
рафії із застосуванням цифрових методів за-
безпечення захисту інформації
5.4.1.2. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва чи використання апаратури, вузлів і 852423100
компонентів, розроблених для використання в 852490910
криптографії, на які поширюється експортний 852490990
контроль за пунктом 5.3.1.1. .4.1.3. Конструкція і технологія виробництва апара- 490199000
тури, вузлів і компонентів, розроблених або 490600000
модифікованих для виконання криптоаналітич-
них функцій .4.1.4. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва чи використання апаратури, вузлів і 852423100
компонентів, розроблених або модифікованих 852490910
для виконання криптоаналітичних функцій 852490990
5.4.1.5. Конструкція і технологія виробництва апара- 490199000тури, вузлів і компонентів, розроблених або 490600000
модифікованих для використання в криптографії
із застосуванням аналогових методів для за-
безпечення захисту інформації, зазначених у
пункті 5.3.3. .4.1.6. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва чи використання апаратури, вузлів і 852423100
компонентів, розроблених або модифікованих 852490910
для використання в криптографії із застосу- 852490990
ванням аналогових методів для забезпечення
захисту інформації,зазначених у пункті 5.3.3. .4.1.7. Конструкція і технологія виробництва апара- 490199000
тури, вузлів і компонентів, розроблених або 490600000
модифікованих захищеними від небажаного ви-
току сигналів, які містять інформацію
Примітка. Експортний контроль за пунктом 5.4.19.7. непоширюється на конструкцію і технологію ви-
робництва апаратури, обладнаної спеціальними
пристроями заглушування витоку випромінювань,
шкідливих для здоров'я або безпеки оточуючих.
5.4.1.8. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва чи використання апаратури, вузлів і 852423100
компонентів, розроблених або модифікованих 852490910
захищеними від небажаного витоку сигналів, 852490990
які містять інформацію, зазначених у пункті
5.3.4. .4.1.9. Конструкція і технологія виробництва апара- 490199000
тури, вузлів і компонентів, розроблених або 490600000
модифікованих для використання криптографіч-
них методів генерації кодів розширення
спектра або переналагодження частоти .4.1.10. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва чи використання апаратури, вузлів і 852423100
компонентів, розроблених або модифікованих 852490910
для використання криптографічних методів ге- 852490990
нерації кодів розширення спектра або перена-
лагодження частоти .4.1.11. Конструкція і технологія виробництва апара- 490199000
тури, вузлів і компонентів, розроблених або 490600000
модифікованих для забезпечення сертифікацій-
ного чи такого, що підлягає сертифікації,
багаторівневого захисту або ізоляції корис-
тувача на рівні, який перевищує клас В2 кри-
терію оцінки надійності комп'ютерних систем
або еквівалентний йому рівень .4.1.12. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва чи використання апаратури, вузлів і 852423100
компонентів,розроблених або модифікованих для 852490910
забезпечення сертифікаційного чи такого, що 852490990
підлягає сертифікації, багаторівневого захис-
ту або ізоляції користувача,на які поширюєть-
ся експортний контроль за пунктом 5.3.1.6. .4.1.13. Конструкція і технологія виробництва кабель- 490199000
них систем зв'язку, розроблених або мо- 490600000
дифікованих з використанням механічних,
електричних або електронних засобів для ви-
явлення несанкціонованого доступу до них .4.1.14. Програмне забезпечення, спеціально розроб-
лене або модифіковане для проектування, ви-
робництва чи використання кабельних систем
зв'язку, зазначених у пункті 5.3.2. .4.2. Конструкція і технологія виробництва радіо- 490199000
електронних виробів, спеціально обладнаних 490600000
пристроями, що забезпечують функції захисту
інформації від витоку каналами побічних
електромагнітних випромінювань та/або наводів
5.4.3. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не або модифіковане для проектування, ви- 852422100
робництва чи використання радіоелектронних 852423100
виробів, спеціально обладнаних пристроями, 852490910
що забезпечують функції захисту інформації 852490990
від витоку каналами побічних електро-
магнітних випромінювань та/або наводів, заз-
начених у пункті 5.3.3.
5.4.4. Конструкція і технологія виробництва спе- 490199000ціальних приладів та апаратури для контролю 490600000
(виміру) за рівнем захищеності інформації
від витоку
5.4.5. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не або модифіковане для проектування, ви- 852422100
робництва чи використання спеціальних при- 852423100
ладів та апаратури, зазначених у пункті 852490910
5.3.4. 852490990
5.4.6. Конструкція і технологія виробництва тех-нічних засобів охоронно-пожежної сигналізації .4.6.1. Конструкція і технологія виробництва тех- 490199000
нічних засобів охоронної та охоронно-пожеж- 490600000
ної сигналізації, які містять у своєму
складі:
шифропристрої з будь-якими способами вста-
новлення кодової комбінації;
апаратуру або пристрої контролю за
санкціонованим доступом;
апаратуру або пристрої відеонагляду (відео-
контролю), цифрові відеокомпресори чи ко-
мутатори відеосигналів;
апаратуру зв'язку, яка забезпечує автома-
тичну передачу оповіщень; або
периметрові (об'єктові) радіолокаційні,
радіопромінні (бар'єрного типу) оптико-
електронні, лазерні, акустичні або інфра-
червоні пристрої виявлення сторонніх осіб .4.6.2. Конструкція і технологія виробництва тех- 490199000
нічних засобів охоронної сигналізації, які 490600000
містять у своєму складі:
технічні пристрої протидії;
технінчі пристрої санкціонованого доступу;
пристрої захисту інформації;
апаратуру зв'язку, яка забезпечує автома-
тичну передачу оповіщень;
периметрові (об'єктові) радіолокаційні,
радіопромінні (бар'єрного типу) оптико-
електронні, лазерні, акустичні або інфра-
червоні пристрої виявлення сторонніх осіб .4.6.3. Конструкція і технологія виробництва тех- 490199000
нічних засобів охоронної та охоронно-пожеж- 490600000
ної сигналізації, спеціально розроблених або
модернізованих захищеними від витоку інфор-
мації каналами побічних електромагнітних
випромінювань та/або наводів .4.6.4. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, ви- 852422100
робництва чи використання технічних засобів 852423100
охоронної та охоронно-пожежної сигналізації, 852490910
зазначених у пункті 5.3.5. 852490990
5.4.7. Конструкція і технологія виробництва випро- 490199000бувального, контрольного та виробничого об- 490600000
ладнання, спеціально призначеного для розроб-
лення та виробництва виробів, обладнання, а
також функцій, що контролюються частиною 2
розділу 5, включаючи вимірювальне та випробу-
вальне обладнання
5.4.8. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не або модифіковане для проектування, ви- 852422100
робництва чи використання випробувального, 852423100
контрольного та виробничого обладнання, заз- 852490910
наченого у пункті 5.3.6. 852490990
5.4.9. Конструкція і технологія виробництва вимірю- 490199000вального обладнання, спеціально призначеного 490600000
для оцінки чи атестації функцій захисту
інформації, що контролюються згідно з пунк-
том 5.3.1. або 5.4.1.
5.4.10. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не або модифіковане для проектування, ви- 852422100
робництва чи використання вимірювального 852423100
обладнання, зазначеного у пункті 5.3.7. 852490910
852490990
5.4.11. Програмне забезпечення з характеристиками 852421100або яке виконує функції апаратури, зазначе- 852422100
ної в пунктах 5.3.1.- 5.3.7. 852423100
852490910
852490990
5.4.12. Програмне забезпечення для сертифікації прог- 852421100рамного забезпечення, зазначеного в пункті 852422100
5.4.11. 852423100
852490910
852490990
5.4.13. Програмне забезпечення, розроблене або моди- 852421100фіковане для захисту проти нанесення нав- 852422100
мисної шкоди, наприклад, вірусів 852423100
852490910
852490990
5.4.14. Конструкція і технологія розроблення, вироб- 490199000ництва чи використання цифрових комп'ютерів, 490600000
спеціально розроблених або пристосованих до
вирішення завдань криптографії та оснащених
обладнанням або програмними засобами для за-
хисту інформації
5.4.15. Програмне забезпечення для сертифікації за- 852421100хищених технічних засобів та засобів техніч- 852422100
ного захисту інформації 852423100
852490910
852490990
5.4.16. Конструкція і технологія розроблення, вироб- 490199000ництва та використання спеціальної апаратури 490600000
або пристроїв для зняття інформації з ка-
налів зв'язку і інших будь-яких технічних
засобів негласного отримання інформації
5.4.17. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не або модифіковане для проектування, ви- 852422100
робництва чи використання спеціальної апа- 852423100
ратури або пристроїв для зняття інформації з 852490910
каналів зв'язку та інших будь-яких технічних 852490990
засобів негласного отримання інформації, заз-
начених у пункті 5.3.8.
Розділ 6. ОПТИКА І ЛАЗЕРИ
6.1. Вироби, обладнання і компоненти
6.1.1. Оптика
6.1.1.1. Оптичні дзеркала (відбивачі):деформуючі дзеркала з неперервними або 900290990
багатоелементними поверхнями та спеціаль-
ними компонентами, здатними динамічно
змінювати розміщення елементів поверхні з
частотою понад 100 Гц;
надлегкі монолітні дзеркала із середньою
еквівалентною густиною менше 30 кг/кв.м та
сумарною масою більше 10 кг;
надлегкі складові або пінні дзеркальні
структури з середньою еквівалентною густи-
ною менше 30 кг/кв.м та сумарною масою
більше 2 кг;
дзеркала діаметром або з довжиною більшої
осі понад 100 мм та з керуванням променя
в смузі частот більше 100 Гц .1.1.2. Оптичні компоненти із селеніду цинку (ZnSe) 900190900
або сульфіду цинку (ZnS) з передачею в діа-
пазоні довжин хвиль понад 3000 нм, але не
більше 25000 нм, які мають одну з таких
характеристик:
об'єм більше 100 куб.см;
діаметр або довжина більшої осі понад
80 мм і товщина (глибина) 20 мм та більше .1.1.3. Компоненти оптичних систем для космічного
використання: .1.1.3.1. надлегкі оптичні елементи з еквівалентною 900190900
густиною менше 20 відсотків, порівняно з
твердотільними пластинами тієї ж апертури
та товщини; .1.1.3.2. підкладки з поверхневим покриттям (одно- 900190900
шаровим, багатошаровим, металевим або ді-
електричним, провідним, напівпровідним чи
ізолюючим) або підкладки з захисними плів-
ками; .1.1.3.3. сегменти та вузли дзеркал для встановлення 900290990
у космосі в оптичній системі із загальною
апертурою, еквівалентною або більшою 1 м; .1.1.3.4. компоненти оптичних систем, виготовлені з 900390000
композитних матеріалів, з коефіцієнтом лі-
нійного теплового розширення, рівним або
меншим 5*10 в ступ.(-6) в напрямку будь-якої
координати .1.1.4. Оптичні фільтри:
6.1.1.4.1. оптичні фільтри для довжини хвиль більше 900220900250 нм,які вміщують багатошарові оптичні пок-
риття та мають смугу пропускання до половин-
ної інтенсивності до 1 нм включно і пікову
передачу 90 відсотків та більше, або смугу
пропускання до 0,1 нм включно та максимум
коефіцієнта пропускання 50 відсотків чи
більше;
Примітка. Експортний контроль за пунктом 6.1.1.4.1. непоширюється на оптичні фільтри з постійним
повітряним зазором або фільтри типу Ліо;
6.1.1.4.2. оптичні фільтри для довжини хвиль більше 900220900250 нм, що мають налагодження в спектраль-
ному діапазоні 500 нм та більше, миттєву
смугу пропускання 1,25 нм або менше, вста-
новлення протягом 0,1 мс з точністю 1 нм
або краще у межах переналагоджуваного
спектрального діапазону, однопіковий коефі-
цієнт пропускання 91 відсоток або більше; .1.1.4.3. оптичні перемикачі на конденсаторах (фільтри) 900220900
з полем огляду 30 град або ширше та часом
відгуку, рівним або менше 1 нс .1.1.5. Апаратура оптичного контролю:
6.1.1.5.1. апаратура, спеціально розроблена для за- 903140000безпечення якості поверхні або орієнтації 903289900
оптичних компонентів, зазначених у пункті
6.1.1.3.; .1.1.5.2. апаратура, яка має керування, стеження, 903140900
стабілізацію або підлагодження резонатора 903289900
із смугою частот, рівною або більшою 100 Гц,
та похибкою 10 мкрад або менше; .1.1.5.3. карданові підвіси з максимальним кутом пово- 903289900
роту 5 град, шириною смуги частот більше
100 Гц, які мають одну з таких характеристик:
діаметр або довжина більшої осі понад
0,15 м, але не більше 1 м, чутливість до
кутових прискорень більше 2 рад/с2, похиб-
ка кутового наведення 200 мкрад або менше;
спеціально розроблені для юстирування фа-
зованих граток або фазованих систем сег-
ментних дзеркал, що складені із дзеркал з
діаметром сегмента або його великої напів-
осі 1 м або більше та мають чутливість до
кутових прискорень більше 0,5 рад/с2 та
похибку кутового наведення 200 мкрад або
менше; .1.1.6. Апаратура для вимірювання абсолютного зна- 903140000
чення відбиваючої здатності з похибкою
+(-)0,1 відсотка або менше
6.1.2. Оптичні датчики
6.1.2.1. Оптичні детектори: 854140990
Примітка. Експортний контроль за пунктом 6.1.2.1. непоширюється на германієві або кремнієві фо-
тодіоди
6.1.2.1.1. оптичні детектори для використання в космосіу вигляді одиничного елемента, лінійки у фо-
кальній площині або двох двовимірних еле-
ментів, що мають:
груповий відгук на довжині хвилі до 300 нм
та відгук менше 0,1 відсотка відносно мак-
симального відгуку на довжині хвилі понад
400 нм;
максимальний відгук у діапазоні довжини
хвиль понад 900 нм, але не більше 1200 нм,
та постійну часу відгуку 95 нс або менше;
максимальний відгук у діапазоні довжини
хвиль більше 1200 нм,але не понад 30000 нм .1.2.1.2. електронно-оптичні підсилювачі яскравості та
спеціальні компоненти: .1.2.1.2.1. електронно-оптичні підсилювачі яскравості, 854140890
які мають максимальний відгук у діапазоні 901380000
хвиль понад 400 нм, але не більше 1050 нм,
мікроканальний анод для електронного підси-
лювача зображення з кроком отвору (відстанню
між центрами) менше 25 мкм та фотокатоди
S-20,S-25, багатощілинний фотокатод або фо-
токатоди з GaAs або GaInAs; .1.2.1.2.2. спеціально розроблені компоненти для елек-
тронно-оптичних підсилювачів яскравості: .1.2.1.2.2.1. оптоволоконні інвертори зображення; 854140990
901380000
6.1.2.1.2.2.2. мікроканальні пластини, що мають такі 854140990характеристики:
15000 або більше каналів на пластину;
відстань між каналами менше 25 мкм; .1.2.1.2.2.3. фотокатоди з GaAs або GaInAs; 854140990
6.1.2.1.3. пристрої "фокальної площини" не для косміч- 854140910ного використання: 854140990
Примітки: 1. Пункт 6.1.2.1.3. містить фотопровідниковіпристрої та сонячні батареї.
2. Експортний контроль за пунктом 6.1.2.1.3.
не поширюється на кремнієві матриці "фокаль-
ної площини", багатоелементні (не більше 16
елементів) фотопровідні елементи в оболонці
або піроелектричні детектори, що використо-
вують будь-який з таких матеріалів:
сульфід свинцю;
сульфат тригліцерину та його різновиди;
титанат цирконію-лантану-свинцю та його
різновиди;
танталат літію;
фторид полівінілідену та його різновиди;
ніобат барію-стронція та його варіанти;
селенід свинцю.
6.1.2.1.3.1. окремі елементи з максимальним відгуком умежах діапазону хвиль понад 900 нм, але не
більше 1050 нм, та постійною часу відгуку
менше 0,5 нс; .1.2.1.3.2. окремі елементи з максимальним відгуком у
межах діапазону хвиль понад 1050 нм, але
не більше 1200 нм, та постійною часу
відгуку 95 нс або менше; .1.2.1.3.3. окремі елементи з максимальним відгуком у
межах діапазону хвиль понад 1200 нм, але
не більше 30000 нм;
6.1.2.1.4. поодинокі або багатоелементні напівпровід- 854140930никові фотодіоди чи фототранзистори не
"фокальної площини" з максимальним відгуком
на довжині хвилі більше 1200 нм, але не біль-
ше 30000 нм та постійній часу відгуку 0,5 нс
або менше, не призначені для космічного вико-
ристання .1.2.2. Багатоспектральні приймачі зображення для
застосування в дистанційному зондуванні, які
мають одну з таких характеристик: .1.2.2.1. миттєве поле огляду менше 200 мкрад;
6.1.2.2.2. спеціально сконструйовані для роботи у діапа- 854089900зоні довжини хвиль понад 400 нм, але не біль- 854089900
ше 30000 нм, забезпечують дані зображення на
виході в цифровому форматі з використанням
детекторів, відмінних від кремнієвих, і
призначені для космічного використання або
для повітряного базування .1.2.3. Апаратура формування зображень безпосеред-
нього спостереження у видимому або інфрачер-
воному діапазоні, яка містить один з таких
пристроїв: .1.2.3.1. електронно-оптичні перетворювачі для підси- 854020300
лення яскравості зображення, зазначені у 854099000
пункті 6.1.2.1.2.; .1.2.3.2. пристрої "фокальної площини", зазначені у 854099000
пункті 6.1.2.1.3.
Примітки: 1. Термін "безпосереднє спостереження" належитьдо апаратури одержання відображень у видимій
та інфрачервоній частині спектра, яка дає
спостерігачу видиме зображення без перетво-
рення в електронний сигнал телевізійного
дисплею і не забезпечує запису або зберіган-
ня зображення фотографічним, електронним або
будь-яким іншим засобом.
2. Експортний контроль за пунктом 6.1.2.3.2.
не поширюється на таку апаратуру з фотокато-
дами, відмінними від фотокатодів на GaAs або
GaInAs:
промислові або цивільні датчики охорони;
системи обліку або контролю дорожнього або
виробничого руху;
медична апаратура;
промислова апаратура для контролю, аналізу
або сортування матеріалів;
детектори полум'я для промислових печей;
апаратура, спеціально розроблена для про-
мислового застосування.
6.1.2.4. Спеціалізовані компоненти для оптичних дат-чиків: .1.2.4.1. кріогенні охолоджувачі космічного застосу- 901308000
вання; 901390000
6.1.2.4.2. кріогенні охолоджувачі некосмічного застосу- 901380000вання з температурою нижче 218 К (-550С): 901390000
замкненого циклу з середнім часом напрацю-
вання на відмову або середнім часом між
відмовами понад 2500 годин;
охолоджувачі Джоуля - Томсона із саморегу-
люванням та діаметром отвору менше 8 мм .1.2.5. Оптоволоконні датчики:
спеціально виготовлені композиційно чи 900190900
структурно або модифіковані шляхом покрит- 901380000
тя з чутливістю до акустичних, термічних,
інерційних, електромагнітних або ядерних
ефектів;
модифіковані структурно для досягнення
"довжини биття" менше 50 мм (велике дво-
променеве заломлення) .1.3. Камери
6.1.3.1. Інструментальні камери:
6.1.3.1.1. високошвидкісні записувальні кінокамери з 900711000форматом плівки від 8 мм до 46 мм включно, в 900719000
яких плівка рухається в процесі запису та в
яких запис може здійснюватися з швидкістю по-
над 13150 кадрів за секунду;
Примітка. Експортний контроль за пунктом 6.1.3.1.1. непоширюється на кінокамери для цивільних
цілей.
6.1.3.1.2. механічні високошвидкісні камери, в яких 900719000плівка не рухається, здатні вести запис з
швидкістю понад 106 кадрів за секунду для
плівки завширшки 35 мм або для пропорційно
вищих швидкостей більш вузької плівки, або
для пропорційно менших швидкостей більш ши-
рокої плівки; .1.3.1.3. механічні або електронні камери-фотохро- 900719000
нографи з швидкістю запису понад 10 мм/мкс; .1.3.1.4. електронна кадрова камера з швидкістю понад 900719000
106 кадрів за секунду; .1.3.1.5. електронні камери, які мають швидкість елект- 900719000
ронного затвору (швидкість стробування) менш
1 мкс на повний кадр та час зчитування, які
дають змогу одержувати більше 125 повних
кадрів за секунду .1.3.2. Камери для одержання відеозображень:
Примітка. Експортний контроль за пунктом 6.1.3.2. непоширюється на телевезійні та відеокамери
для телебачення.
6.1.3.2.1. відеокамери, які містять твердотільні чут- 852190000ливі елементи, що мають одну з таких харак-
теристик:
більше 4.106 активних пікселів на твер-
дотільну матрицю для монохромної (чор-
нобілої) камери;
більше 4.106 активних пікселів на твер-
дотільній матриці для кольорових камер з
трьома твердотільними матрицями;
більше 12.106 активних пікселів для кольо-
рових камер з однією твердотільною матри-
цею; .1.3.2.2. скануючі камери та системи скануючих камер, 852190000
які містять лінійку детекторів з більше ніж
8192 елементами та з механічним скануванням
в одному напрямку; .1.3.2.3. камери для одержання відеозображень, які 852190000
містять перетворювач для підсилення яскра-
вості зображення, зазначений у пункті
6.1.2.1.2.1.; .1.3.2.4. камери для одержання відеозображення, які 852190000
включають матриці "фокальної площини", заз-
начені в пункті 6.1.2.1.3.
6.1.4. Лазери, оптичне обладнання та компоненти доних
Примітки: 1. Імпульсні лазери містять лазери,які працюютьу безперервному режимі з добавленням ім-
пульсів випромінювання.
2. Лазери імпульсного збудження містять лазери,
які працюють у режимі безперервного збуджен-
ня з додатковою імпульсною накачкою.
3. Статус експортного контролю рамановського
лазеру визначається параметрами лазеру джере-
ла накачування. Джерелами накачування можуть
бути будь-які із зазначених нижче лазерів. .1.4.1. Газові лазери:
6.1.4.1.1. ексимерні лазери, які мають одну з таких 901320000характеристик:
довжину хвилі вихідного випромінювання,
яка не перевищує 150 нм, вихідну енергію
більше 50 мДж на імпульс або середню по-
тужність більше 1 Вт;
довжину хвилі вихідного випромінювання
більше 150 нм, але не перевищує 190 нм,
вихідну енергію на імпульс, яка перевищує
1,5 Дж або середню потужність, яка переви-
щує 120 Вт;
довжину хвилі вихідного випромінювання,
яка перевищує 190 нм, але не більше 360 нм,
вихідну енергію на імпульс, яка перевищує
10 Дж або середню вихідну потужність, яка
перевищує 500 Вт;
довжину хвилі вихідного випромінювання,
яка перевищує 360 нм, вихідну енергію на
імпульс, яка перевищує 1,5 Дж, або середню
вихідну потужність більше 30 Вт; .1.4.1.2. лазери на парах металів: 901320000
мідні (Cu) лазери з середньою або безпе-
рервною вихідною потужністю більше 20 Вт;
золоті (Au) лазери з середньою або безпе-
рервною вихідною потужністю більше 5 Вт;
натрієві (Na) лазери з вихідною потужністю
більше 5 Вт;
барієві (Ba) лазери з середньою або безпе-
рервною вихідною потужністю більше 2 Вт; .1.4.1.3. лазери на моноокисі вуглецю (CO) з: 901320000
вихідною енергією більше 2 Дж на імпульс
та імпульсною піковою потужністю більше
5 кВт;
середньої або безперервної вихідної потуж-
ності більше 5 кВт; .1.4.1.4. лазери на двоокисі вуглецю (CO2) з: 901320000
безперервною вихідною потужністю більше
10 кВт;
імпульсним випромінюванням з тривалістю
імпульсу більше 10 мкс, середньою вихідною
потужністю понад 10 кВт або імпульсною пі-
ковою потужністю більше 100 кВт;
імпульсним випромінюванням з тривалістю
імпульсу,рівним або менше 10 мкс, енергією
імпульсу більше 5 Дж, імпульсною піковою
потужністю понад 2,5 кВт або середньою
вихідною потужністю більше 2,5 кВт; .1.4.1.5. хімічні лазери: 901320000
воднево-фторові (HF);
дейтерій-фторові (DF);
перехідні лазери:
киснево-йодові (О2 -І);
дейтерій-фторові-двоокис вуглецеві
(DF-CO2); .1.4.1.6. газорозрядні та іонні лазери (на іонах крип- 901320000
тону або аргону), які мають:
вихідну енергію більше 1,5 Дж на імпульс та
імпульсну пікову потужність більше 50 Вт;
або середню чи безперервну потужність
більше 50 Вт; .1.4.1.7. інші газові лазери, за винятком азотних 901320000
лазерів з:
довжиною хвилі вихідного випромінювання не
більше 150 нм, вихідною енергією на
імпульс понад 50 мДж, імпульсною піковою
потужністю більше 1 Вт або середньою чи
безперервною потужністю більше 1 Вт;
довжиною хвилі вихідного випромінювання
більше 150 нм, але не більше 800 нм,
вихідною енергією більше 1,5 Дж на
імпульс, імпульсною піковою потужністю
більше 30 Вт або середньою чи безперервною
потужністю більше 30 Вт;
довжиною хвилі вихідного випромінювання
більше 800 нм, але не більше 1400 нм
вихідної енергії на імпульс більше 0,25 Дж,
імпульсною піковою потужністю більше 10 Вт
або середньою чи безперервною потужністю
більше 10 Вт;
довжиною хвилі вихідного випромінювання
понад 1400 нм та середньою або безперерв-
ною потужністю більше 1 Вт .1.4.2. Напівпровідникові лазери:
Примітки: 1. Напівпровідникові лазери ще називають ла-зерними діодами.
2. Статус експортного контролю напівпровіднико-
вих лазерів, спеціально розроблених для
іншої апаратури, визначається статусом цієї
апаратури.
6.1.4.2.1. поодинокі напівпровідникові одномодові за 901320000поперечною модою лазери, які мають середню
вихідну потужність понад 100 мВт або довжину
хвилі більше 1050 нм; .1.4.2.2. поодинокі напівпровідникові багатомодові за 901320000
поперечними модами лазери або лінійки чи
матриці лазерів з:
вихідною енергією більше 500 мкДж на ім-
пульс, імпульсною піковою потужністю понад
10 Вт;
середньою або безперервною вихідною потуж-
ністю понад 10 Вт;
довжиною хвилі більше 1050 нм .1.4.3. Твердотільні лазери:
6.1.4.3.1. перестроювані твердотільні лазери, які мають 901320000такі характеристики:
Примітка. Пункт 6.1.4.3.1. містить лазери:титаново-сапфірові (Al2O3:Ti);
тулій-YAG (YAG:Tm);
тулій-YSGG (YSGG:Tm);
на олександриті (BeAl2O4:Gr);
на фарбованих центрах.
6.1.4.3.1.1. довжина хвилі випромінювання менше 600 нм,вихідна енергія більше 50 мДж на імпульс,
імпульсна пікова потужність більше 1 Вт
або середня чи безперервна потужність
більше 1 Вт; .1.4.3.1.2. довжина хвилі 600 нм або більше, але не
більше 1400 нм, вихідна енергія більше 1 Дж
в імпульсі, імпульсна пікова потужність по-
над 20 Вт або середня чи безперервна вихідна
потужність понад 20 Вт; .1.4.3.1.3. довжина хвилі вихідного випромінювання біль-
ше 1400 нм, вихідна енергія понад 50 мДж на
імпульс, імпульсна пікова потужність більше
1 Вт або середня чи безперервна вихідна по-
тужність більше 1 Вт; .1.4.3.2. неперестроювані лазери:
Примітка. Пункти 6.1.4.3.2. - 6.1.4.3.2.4.4. містятьтвердотільні лазери на атомних переходах.
6.1.4.3.2.1. рубінові лазери з вихідною енергією більше 90132000020 Дж в імпульсі; .1.4.3.2.2. лазери на неодимовому склі: 901320000
лазери з модуляцією добротності, які мають
вихідну енергію понад 20 Дж, але не більше
50 Дж в імпульсі, середню вихідну по-
тужність більше 10 Вт або вихідну енергію
понад 50 Дж в імпульсі;
лазери без модуляції добротності, які ма-
ють вихідну енергію понад 50 Дж, але не
більше 100 Дж в імпульсі, середню вихідну
потужність більше 20 Вт або вихідну
енергію більше 100 Дж в імпульсі; .1.4.3.2.3. лазери на середовищах (не склі) активованих
неодимом з довжиною хвилі випромінювання
понад 1000 нм, але не більше 1100 нм;
Примітка. Лазери на середовищах (не склі) активованихнеодимом з довжиною хвилі випромінювання не
більше 1000 нм або понад 1100 нм, включені
до пункту 6.1.4.3.2.4.
6.1.4.3.2.3.1.лазери з імпульсним збудженням і модуляцією901320000добротності, синхронізацією мод з тривалістю
імпульсу менше 1 нс, які мають пікову по-
тужність понад 5 ГВт, середню вихідну по-
тужність понад 10 Вт або імпульсну енергію
більше 0,1 Дж; .1.4.3.2.3.2.лазери з імпульсним збудженням і модуляцією901320000
добротності з тривалістю імпульсу, що
дорівнює або більша 1 нс, які мають:
одномодове за поперечною модою випроміню-
вання з піковою потужністю більше 100 МВт,
середньою вихідною потужністю більше 20 Вт
або імпульсною енергією понад 2 Дж;
багатомодове за поперечною модою вип-
ромінювання з піковою потужністю більше
200 МВт, середньою вихідною потужністю
більше 50 Вт або імпульсною енергією біль-
ше 2 Дж; .1.4.3.2.3.3. лазери з імпульсним збудженням без 901320000
модуляції добротності, які мають:
одномодове за поперечною модою випроміню-
вання з піковою потужністю більше 500 кВт
або середньою вихідною потужністю понад
150 Вт;
багатомодове за поперечною модою випромі-
нювання з піковою потужністю більше 1 МВт
або середньою потужністю понад 500 Вт; .1.4.3.2.3.4. лазери безперервного збудження, які мають:901320000
одномодове за поперечною модою випроміню-
вання з піковою потужністю більше 500 кВт
або середньою чи безперервною потужністю
понад 150 Вт;
багатомодове за поперечною модою випромі-
нювання з піковою потужністю більше 1 МВт
або середньою чи безперервною потужністю
понад 500 Вт; .1.4.3.2.4. інші лазери, що не перестроюються:
6.1.4.3.2.4.1. лазери, що не перестроюються,з довжиною 901320000хвилі менше 150 нм, вихідною енергією
більше 50 мДж в імпульсі, імпульсною піковою
потужністю більше 1 Вт або середньою чи
безперервною вихідною потужністю більше 1 Вт; .1.4.3.2.4.2. лазери, що не перестроюються,з довжиною 901320000
хвилі не менше 150 нм, але не більше 800 нм,
вихідною енергією більше 1,5 Дж в імпульсі,
імпульсною піковою потужністю більше 30 Вт
або середньою чи безперервною вихідною по-
тужністю більше 30 Вт; .1.4.3.2.4.3. лазери, що не перестроюються,з довжиною 901320000
хвилі більше 800 нм, але не більше 1400 нм,
а саме:
лазери з модуляцією добротності з вихідною
енергією більше 0,5 Дж в імпульсі та
імпульсною піковою потужністю більше 50 Вт
або середньою вихідною потужністю, що пе-
ревищує 10 Вт для одномодових лазерів та
30 Вт для багатомодових лазерів;
лазери без модуляції добротності з вихід-
ною енергією більше 2 Дж в імпульсі та
імпульсною піковою потужністю понад 50 Вт
або середньою чи безперервною вихідною по-
тужністю більше 50 Вт; .1.4.3.2.4.4. лазери, що не перестроюються,з довжиною 901320000
хвилі більше 1400 нм, вихідною енергією більше
100 мДж в імпульсі та імпульсною піковою по-
тужністю понад 1 Вт або середньою чи без-
перервною потужністю більше 1 Вт .1.4.4. Лазери на барвниках та інших рідинах, які 901320000
мають:
довжину хвилі менше 150 нм,вихідну енергію
понад 50 мДж в імпульсі, імпульсну пікову
потужність понад 1 Вт або середню чи без-
перервну вихідну потужність понад 1 Вт;
довжину хвилі 150 нм чи більше, але не
більше 800 нм, вихідну енергію понад 1,5 Дж
в імпульсі, імпульсну пікову потужність
понад 20 Вт або середню чи безперервну
вихідну потужність понад 20 Вт або які ма-
ють генератор одиничної поздовжньої моди з
середньою вихідною потужністю понад 1 Вт
та частотою повторення понад 1 кГц при три-
валості імпульсу менше 100 нс;
довжину хвилі понад 800 нм, але не більше
1400 нм, вихідну енергію понад 500 мДж в
імпульсі, імпульсну пікову потужність по-
над 10 Вт або середню чи безперервну
вихідну потужність понад 10 Вт;
довжину хвилі понад 1400 нм, вихідну енер-
гію понад 100 мДж в імпульсі,імпульсну пі-
кову потужність понад 1 Вт або середню чи
безперервну вихідну потужність понад 1 Вт .1.4.5. Інші лазери
6.1.4.5.1. оргонові іонні лазери з середньою потужністю 901320000понад 40 Вт та довжиною хвилі випромінювання
від 400 нм до 515 нм; .1.4.5.2. імпульсні одномодові лазери, що перестроюють-901320000
ся, на фарбах з середньою потужністю
вихідного випромінювання понад 1 Вт, часто-
тою повторення імпульсів понад 1 кГц, довжи-
ною імпульса менше 100 нс і довжиною хвилі
випромінювання від 300 нм до 800 нм; .1.4.5.3. імпульсні підсилювачі і лазери, що перестрою- 901320000
ються, на фарбах з середньою потужністю
вихідного випромінювання понад 30 Вт, часто-
тою повторення імпульсів понад 1 кГц, довжи-
ною хвилі випромінювання від 300 нм до
800 нм;
Примітка. Вимоги за пунктом 6.1.4.5.3. не поширюютьсяна одномодові генератори.
6.1.4.5.4. імпульсні CO2-лазери з частотою повторення 901320000імпульсів понад 250 кГц,середньою потужністю
вихідного випромінювання понад 500 Вт, дов-
жиною хвилі випромінювання від 9000 нм до
11000 нм; .1.4.5.5. паро-водневі перетворювачі Романова із зру- 901320000
шення довжини вихідного випромінювання до
16 мкн і частотою повторення імпульсів понад
250 кГц .1.4.6. Лазери на вільних електронах 901320000
6.1.4.7. Компоненти
6.1.4.7.1. дзеркала охолоджені або з активним охолод- 901320000женням, або з охолоджувальною системою на 900290990
теплових трубах; римітка. Активним охолодженням є метод охолодження
оптичних компонентів, в якому використовуєть-
ся течія рідини по субповерхні (розташованої
звичайно менше 1 мм від оптичної поверхні)
оптичної компоненти для відведення тепла від
оптики.
6.1.4.7.2. оптичні дзеркала або прозорі, або частково 901320000прозорі,оптичні чи електрооптичні компоненти 900290990
для використання в лазерах, які підлягають
експортному контролю .1.4.8. Оптичне обладнання
6.1.4.8.1. обладнання для динамічного вимірювання фази 901320000хвильового фронту з понад 50 позиціями на 903140000
хвильовому фронті променя з:
частотою кадра, що дорівнює або більша
100 Гц, і фазовою дискримінацією 5 відсот-
ків та більше довжини хвилі променя;
частотою кадра, що дорівнює або більша
1000 Гц, і фазовою дискримінацією 20 від-
сотків та більше довжини хвилі променя; .1.4.8.2. обладнання лазерної діагностики із здатністю 901320000
вимірювання похибок керування променя лазера 903140000
надвисокої потужності з точністю, що до-
рівнює або менша 10 мкрад; .1.4.8.3. оптична апаратура, вузли і компоненти для 901320000
системи лазера надвисокої потужності з фазо- 903140000
ваним складанням променів з точністю 1/10
довжини хвилі або 0,1 мкм (залежно від того,
що менше); .1.4.8.4. захищені телескопи для використання з систе- 901320000
мами лазерів надвисокої потужності 900219000
6.1.5. Спеціально розроблене або модифіковане об- 901320000ладнання, включаючи інструменти, барвники, 901490000
контрольно-вимірювальні прилади та інші спе-
ціальні компоненти і допоміжні елементи:
для виробництва або огляду магнітних сис-
тем та фотоінжекторів лазерів на вільних
електронах;
для юстирування у межах потрібної похибки
поздовжнього магнітного поля лазерів на
вільних електронах
6.1.6. Магнітометри, магнітні градіометри, еталоннімагнітні градіометри та компенсаційні систе-
ми і спеціально розроблені компоненти
Примітка. Експортний контроль за пунктами 6.1.6.16.1.6.7 не поширюється на спеціальні інстру-
менти для біомагнітних вимірювань медичної
діагностики, якщо вони не містять датчиків,
зазначених у пункті 6.1.6.8.
6.1.6.1. Магнітометри, які застосовують технології 901580930надпровідності з оптичною накачкою або ядер-
ною прецесією (протонною / Оверхаузера) та
мають середньоквадратичне значення рівня шу-
мів (чутливість) менше 0,05 нТ, поділені на
корінь квадратний з частоти в Гц .1.6.2. Магнітометри з катушкою індуктивності, які 901580930
мають середньоквадратичне значення рівня
шумів (чутливість) менше :
0,05 нТ, поділені на корінь квадратний з
частоти в Гц - на частоті менше 1 Гц;
1*10 в ступ.(-3) нТ, поділені на корінь
квадратний з частоти в Гц - на частоті 1 Гц або
більше, але не більше 10 Гц;
1*10 в ступ.(-4) нТ, поділені на корінь
квадратний з частоти в Гц - на частоті
більше 10 Гц .1.6.3. Волоконно-оптичні магнітометри з середньо- 901580930
квадратичним значенням рівня шумів (чут-
ливістю) менше 1 нТ, поділені на корінь
квадратний з частоти в Гц .1.6.4. Магнітні градіометри, що застосовують набори 901580930
магнітометрів,зазначених у пунктах 6.1.6.1.-
6.1.6.3. .1.6.5. Волоконно-оптичні еталонні магнітні градіо- 901580930
метри з середньоквадратичним значенням рівня
шумів (чутливістю) градієнта магнітного поля
менше 0,3 нТ, поділені на метр та корінь
квадратний з частоти в Гц .1.6.6. Еталонні магнітні градіометри з викорис- 901580930
танням технології, відмінної від оптоволо-
конної, із середньоквадратичним значенням
рівня шумів (чутливістю) градієнта магнітно-
го поля менше 0,015 нТ, поділені на метр та
на корінь квадратний з частоти в Гц .1.6.7. Магнітокомпенсаційні системи для магнітних 901580930
датчиків, призначених для роботи на пересув-
них платформах .1.6.8. Електромагнітні датчики для вимірювання 901580930
електромагнітного поля на частотах 1 кГц та
менше, що мають компоненти , хоч би один з
яких є надпровідником, включаючи пристрої на
ефекті Джозефсона або надпровідні пристрої
квантової інтерференції (СКВІД), які розроб-
лені для функціонування при температурі нижче
критичної і мають одну з таких характеристик:
містять тонкоплівкові СКВІД з мінімальним
характерним розміром менше 2 мкм та відпо-
відними схемами з'єднання входу та виходу;
розроблені для функціонування при макси-
мальній швидкості нарощування магнітного
поля більше 10 квантів магнітного потоку
за секунду;
розроблені для функціонування без магніт-
ного екрана в навколишньому земному маг-
нітному полі;
мають температурний коефіцієнт менше
0,1 кванта магнітного потоку на кельвін
6.1.7. Гравітометри
6.1.7.1. Гравітометри для наземного використання із 901580930статистичною точністю менше 1*10 в ступ.(-7)
м/с2 (10 мкГал) .1.7.2. Апаратура для виробництва, налагодження та 903180390
калібрування наземних гравітометрів із ста-
тистичною похибкою не гірше 7*10 в ступ.(-6)
м/с2 (0,7 мГал)
Примітка. Експортний контроль за пунктом 6.1.7. непоширюється на наземні гравітометри типу
кварцових елементів Уордена.
6.1.8. Радіолокаційні станції (РЛС), їх збірки, об-ладнання та спеціально розроблені до них
компоненти
Примітка. Вимоги за пунктом 6.1.8. не поширюються на:РЛС з активною відповіддю;
автомобільні РЛС для запобігання зіткненням;
дісплеї та монітори, що використовуються
для контролю за повітряним рухом і мають
розподільну здатність 12 елементів на мм
або менше;
метеорологічні (погодні) РЛС.
6.1.8.1. РЛС, що працюють на частотах від 40 ГГц до 852610900230 ГГц і мають середню вихідну потужність
понад 100 мВт .1.8.2. РЛС,робоча частота яких може перестроюватися 852610900
у межах більше +(-) 6,25 відсотка центральної
робочої частоти
Примітка. Центральна робоча частота визначається як по-ловина суми найбільшої та найменшої несучих
частот, на яких здатні працювати РЛС.
6.1.8.3. РЛС, здатні одночасно працювати більш як на 852610900двох несучих частотах .1.8.4. РЛС, здатні працювати в режимах синтезованої 852610900
апертури, зворотної синтезованої апертури
або бокового огляду .1.8.5. РЛС, що містять у своєму складі фазовані ан- 852610900
тенні гратки для електронного управління
променем .1.8.6. РЛС, здатні виявляти висотні одиничні цілі 852610900
Примітка. Вимоги за пунктом 6.1.8.6. не поширюються наРЛС точної посадки, що відповідають вимогам
ІКАО.
6.1.8.7. РЛС, спеціально призначені для повітряного 852610900базування (розміщені на аеростаті або
літальному апараті) й здійснюють доплеровсь-
ке оброблення сигналу для розпізнавання ці-
лей, що рухаються .1.8.8. РЛС, які використовують оброблення сигналу 852610900
дами розширення спектра або перестроювання
частоти .1.8.9. Наземні РЛС, що мають максимальну дальність 852610900
визначення цілі понад 185 км римітка. Вимоги за пунктом 6.1.8.9. не поширюються на:
РЛС для розвідки та спостереження табунів
риб;
РЛС супроводження метеорологічних аерос-
татів;
наземне обладнання РЛС, спеціально призна-
чене для керування рухом у повітрі за
умови, що воно не містить у своєму складі
засобів дистанційного керування швид-
кістю сканування РЛС з центру керування
рухом у повітрі та має:
максимальну дальність визначення цілі
500 км або менше;
таку конфігурацію, що радіолокаційні
дані стосовно цілі можуть передаватися
тільки по одному каналу від місця зна-
ходження РЛС до одного чи більше центрів
керування рухом у повітрі.
6.1.8.10. Лазерні РЛС або метеорологічні лазерні лока-тори ІЧ-діапазону (ЛІДАРи): .1.8.10.1.космічного призначення; 901380000
6.1.8.10.2.що використовують методи когерентного гете- 901380000родинного або гомодинного детектування і ма-
ють кутову розподільну здатність менше
20 мкрад;
Примітка. Вимоги за пунктом 6.1.8.10.2. не поширюютьсяна ЛІДАРи, спеціально спроектовані для огля-
ду та метеорологічних спостережень.
6.1.8.11. РЛС, що містять підсистеми оброблення сигна- 852610900лу у вигляді стискання імпульсу з коефіцієн-
том стискання понад 150 або тривалістю
імпульсу менше 200 нс .1.8.12. РЛС, що мають підсистеми оброблення даних з:
6.1.8.12.1.автоматичним супроводженням цілей, яке за- 852610900безпечує при будь-якому обертанні антени пе-
редбачуване положення цілі поза часом про-
ходження наступного променя антени;
Примітка. Вимоги за пунктом 6.1.8.12.1. не поширюютьсяна засоби видачі сигналу для запобігання
зіткненням у системах контролю повітряного
руху, морських або прибережних РЛС.
6.1.8.12.2.розрахунком швидкості цілі стосовно РЛС, що 852610900має неперіодичне сканування; .1.8.12.3.автоматичним розпізнаванням образу (виділен- 852610900
ням ознак) та порівнянням з базами даних ха-
рактеристик цілей (сигналів або образів) для
ідентифікації або класифікації цілей; .1.8.12.4.накладенням, кореляцією або злиттям даних 852610900
цілі від двох або більше розподілених у
просторі та місцевості й взаємозв'язаних
датчиків РЛС для поліпшення розпізнавання
цілей.
Примітка. Вимоги за пунктом 6.1.8.12.4. не поширюютьсяна системи, обладнання та вузли, призначені
для здійснення контролю за морським рухом.
6.1.8.13. Імпульсні РЛС вимірювання площі поперечного 852610900перерізу з тривалістю імпульсу 100 нс або
менше і спеціальними компонентами .1.8.14. Антенні фазовані гратки, які функціонують на 852910900
частотах вище 10,5 ГГц і містять активні
елементи та розподілені компоненти, що дають
змогу реалізувати електронне керування фор-
мою і положенням діаграми напрямку римітка. Вимоги за пунктом 6.1.8.14. не поширюються
на антенні фазовані гратки, що використову-
ються у системах посадки, які відповідають
стандартам ІКАО (системи посадки СВЧ-діапа-
зону).
6.2. Програмне забезпечення і технологія
6.2.1. Оптика
6.2.1.1 Конструкція і технологія виробництва оптич-них дзеркал (відбивачів): .2.1.1.1. конструкція і технологія розроблення або ви- 490199000
робництва деформованих дзеркал з безперервни- 490600000
ми чи багатоелементними поверхнями та
спеціальними компонентами, здатними ди-
намічно змінювати розташування елементів по-
верхні з частотою понад 100 Гц; .2.1.1.2. конструкція і технологія виробництва надлег- 490199000
ких монолітних дзеркал з середньою еквіва- 490600000
лентною густиною менше 30 кг/кв.м та сумар-
ною масою понад 10 кг; .2.1.1.3. конструкція і технологія виробництва надлег- 490199000
ких складових чи пінних дзеркальних структур 490600000
з середньою еквівалентною густиною менше
30 кг/кв.м та сумарною масою понад 2 кг; .2.1.1.4. конструкція і технологія виробництва дзеркал 490199000
діаметром чи довжиною більшої осі понад 490600000
100 мм та з керуванням променя у смузі по-
над 100 Гц; .2.1.1.5. програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування чи виробництва дзеркал, 852422100
зазначених у пункті 6.1.1.1. 852433100
852490910
852490990
6.2.1.2. Конструкція і технологія виробництва оптич- 490199000них компонентів із селеніду цинку (ZnSe) чи 490600000
сульфіду цинку (ZnS) з передачею у діапазоні
довжини хвиль понад 3000 нм, але не більше
25000 нм, що мають одну з таких характерис-
тик: .2.1.2.1. об'єми понад 100 куб.см 490199000
6.2.1.2.2. діаметр чи довжина більшої осі понад 80 мм 490600000і товщина (глибина) 20 мм і більше .2.1.2.3. програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування чи виробництва оптичних 852422100
компонентів із селеніду цинку (ZnSe), зазна- 852433100
чених у пункті 6.1.1.2. 852490910
852490990
6.2.1.3. Технологія виробництва компонентів оптичних 490199000систем для космічного використання: 490600000
технологія виробництва надлегких оптичних
елементів з еквівалентною густиною менше
ніж 20 відсотків порівняно з твердотільни-
ми пластинами тих же апертури і товщини;
технологія виробництва підкладок з поверх-
невим покриттям (одношаровим, багатошаро-
вим, металевим або діелектричним,
провідним, напівпровідним або ізолюючим)
або підкладок із захисними плівками;
технологія виробництва сегментів чи вузлів
дзеркал для встановлення у космосі в оп-
тичні системи із загальною апертурою, екві-
валентною чи більшою 1 м;
технологія виробництва компонентів оптич-
них систем, виготовлених з композиційних
матеріалів з коефіцієнтом лінійного тепло-
вого розширення, що дорівнює чи менший
5*10 в ступ.(-6) в напрямку будь-якої координати .2.1.4. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування чи виробництва компонен- 852422100
тів оптичних систем для космічного викорис- 852433100
тання, зазначених у пункті 6.1.1.3. 852490910
852490990
6.2.1.5. Технологія виробництва оптичних фільтрів
6.2.1.5.1. технологія виробництва оптичних фільтрів для 490199000довжини хвиль понад 250 нм, що містять бага- 490600000
тошарові оптичні покриття і мають смугу про-
пускання до половинної інтенсивності до 1 нм
включно та максимальне пропускання до 90
відсотків і більше чи смугу пропускання до
0,1 нм включно та максимум коефіцієнта про-
пускання 50 відсотків чи більше;
Примітка. Експортний контроль за пунктом 6.2.1.5.1. непоширюється на технологію виробництва оптич-
них фільтрів з постійним повітряним зазором
чи фільтрів типу Ліо.
6.2.1.5.2. технологія виробництва оптичних фільтрів длядовжини хвиль понад 280 нм, які мають наст-
роєність у спектральному діапазоні 500 нм і
більше, миттєву смугу пропускання 1,25 нм і
менше, встановлення протягом 0,1 мс з
точністю 1 нм чи краще у межах переналагод-
жуваного спектрального діапазону, однопіко-
вий коефіцієнт пропускання 91 відсоток і
більше; .2.1.5.3. технологія виробництва оптичних перемикачів 490199000
на конденсаторах (фільтрах) з полем огляду 490600000
30 градусів чи ширше і часом відгуку, що
дорівнює чи менший 1 нс; .2.1.5.4. технологія виробництва оптичних фільтрів з 490199000
шириною смуги пропускання, що дорівнює чи 490600000
менша 10 нм, полем огляду понад 10 градусів
та розподільною здатністю більше 0,75 пар
ліній на мм
6.2.1.6. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не для проектування чи виробництва оптичних 852422100
фільтрів, зазначених у пунктах 6.1.1.4. 852433100
і 6.2.1.5.4. 852490910
852490990
6.2.1.7. Конструкція і технологія виробництва апара-тури оптичного контролю: .2.1.7.1. конструкція і технологія виробництва апара- 490199000
тури, спеціально розробленої для забезпечен- 490600000
ня якості поверхні чи орієнтації оптичних
компонентів, зазначених у пункті 6.1.1.3.1.
або 6.1.1.3.3.; .2.1.7.2. програмне забезпечення, спеціально створене 852421100
для проектування чи виробництва апаратури, 852422100
яка спеціально розроблена для забезпечення 852433100
розрахунку поверхні чи орієнтації оптичних 852490910
компонентів, зазначених у пункті 6.1.1.5.1.; 852490990
6.2.1.7.3. конструкція і технологія виробництва апара- 490199000тури, яка має керування, стеження, стабілі-
зацію чи підстройку резонатора смугою час-
тот, що дорівнює чи більша 100 Гц, і похиб-
кою 10 мкрад чи менше; .2.1.7.4. програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування чи виробництва апарату- 852422100
ри, зазначеної у пункті 6.1.1.5.2.; 852433100
852490910
852490990
6.2.1.7.5. конструкція і технологія виробництва карда- 490199000нових підвісок з максимальним кутом повороту 490600000
5 градусів,шириною смуги частот понад 100 Гц,
що мають одну з таких характеристик:
діаметр чи довжина більшої осі понад
0,15 м, але не більше 1 м, чутливість ку-
тових прискорень більше 2 рад/с2, похиб-
ка кутового наведення 200 мкрад чи менше;
спеціально розроблених для юстирування фа-
зових граток чи фазованих систем сегмент-
них дзеркал, складених з дзеркал з діамет-
ром сегмента чи його більшої півосі 1 м чи
більше, що мають чутливість до кутових
прискорень понад 0,5 рад/с2 та похибку ку-
тового наведення 200 мкрад чи менше; .2.1.7.6. програмне забезпечення,спеціально розроблене 852421100
для проектування чи виробництва карданових 852422100
підвісок, зазначених у пункті 6.1.1.5.3. 852433100
852490910
852490990
6.2.1.8. Конструкція і технологія виробництва апара- 490199000тури для вимірювання абсолютного значення 490600000
відбивної здатності з похибкою +(-) 0,1 відсот-
ка чи менше .2.1.9. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування чи виробництва апаратури 852422100
для вимірювання абсолютного значення відбив- 852433100
ної здатності з похибкою +(-) 0,1 відсотка чи 852490910
менше 852490990
6.2.1.10. Технологія оброблення та покриття оптичної 490199000поверхні із загальними втратами (поглинання 490600000
і розсіювання) менше 5*10 в ступ.(-3) і діаметром чи
довжиною великої осі 500 мм і більше, яка
необхідна для досягнення однорідності оптич-
них покриттів 99,5 відсотка чи краще .2.1.11. Технологія виробництва оптичних компонентів, 490199000
що серійно виробляються, з сумарною поверх- 490600000
нею понад 10 кв.м за рік чи разовою про-
дукцією з площею понад 1 кв.м та середньо-
квадратичною похибкою оброблення 1/10 довжи-
ни хвилі на заданій довжині хвилі .2.1.12. Методи одноточкового обертання алмазів з 490199000
одержанням кінцевої середньоквадратичної точ- 490600000
ності оброблення поверхні краще 10 нм на
неплоских поверхнях площею понад 0,5 кв.м
6.2.2. Конструкція і технологія виробництва оптич-них датчиків .2.2.1. Конструкція і технологія виробництва оптич-
них детекторів:
Примітка. Експортний контроль за пунктом 6.2.2.1. непоширюється на конструкцію і технологію ви-
робництва германієвих та кремнієвих фо-
тодіодів.
6.2.2.1.1. конструкція і технологія виробництва оптич- 490199000них детекторів для використання у космосі у 490600000
вигляді одиничного елемента, лінійки у фо-
кальній площині чи двох двовимірних еле-
ментів, що мають:
груповий відгук на довжині хвилі до 300 нм
та відгук менше 0,1 відсотка стосовно мак-
симального відгуку на довжині хвилі понад
400 нм;
максимальний відгук у діапазоні довжини
хвиль понад 900 нм, але не більше 1200 нм,
та постійну часу відгуку 95 нс чи менше;
максимальний відгук у діапазоні довжини
хвиль понад 1200 нм,але не менше 30000 нм; .2.2.1.2. конструкція і технологія виробництва елек- 490199000
тронно-оптичних підсилювачів яскравості та 490600000
спеціальних компонентів:
конструкція і технологія виробництва
електронно-оптичних підсилювачів яскра-
вості, що мають максимальний відгук у
діапазоні довжини хвиль понад 400 нм, але
не більше 1050 нм, мікроканальний анод для
електронного підсилювача відображення з
відстанню між отворами (відстань між цент-
рами) менше 20 мкм та фотокатоди
S-20.S-25 і багатощілинний чи фотокатоди з
GaAs або GaInAs;
конструкція і технологія виробництва спе-
ціально розроблених компонентів для елект-
ронно-оптичних підсилювачів яскравості:
оптоволоконних інверторів зображення;
мікроканальних платин, що мають 15000
або більше каналів на платину та
відстань між каналами менше 25 мкм;
фотокатодів з GaAs або GaInAs; .2.2.1.3. конструкція і технологія виробництва прист- 490199000
роїв "фокальної площини" не для космічного
використання:
окремих елементів з максимальним відгуком
у межах діапазону хвиль понад 1050 нм, але
не більше 1050 нм, та постійною часу
відгуку менше ніж 0,5 нс;
окремих елементів з максимальним відгуком
у межах діапазону хвиль понад 1050 нм, але
не більше 1200 нм, та постійною часу
відгуку 95 нс чи менше;
окремих елементів з максимальним відгуком
у межах діапазону хвиль понад 1200 нм, але
не більше 30000 нм; .2.2.1.4. конструкція і технологія виробництва одинич- 490199000
них чи баготоелементних напівпровідникових 490600000
фотодіодів або фототранзисторів не "фокаль-
ної площини" з максимальним відгуком на дов-
жині хвилі понад 1200 нм, але не більше
30000 нм, та постійною часу відгуку 0,5 нс
чи менше, не призначені для космічного вико-
ристання
Примітки: 1. Пункти 6.2.2.1.3.-6.2.2.1.4. включають кон-струкцію виробництва матриць фотопровід-
ності та сонячних батарей.
2. Експортний контроль за пунктом 6.2.2.1.3. не
поширюється на конструкцію і технологію ви-
робництва кремнієвих матриць у "фокальній
площині", багатоелементних (не більше 16 еле-
ментів) фотопровідних елементів в оболонці
чи піроелектричних детекторів, які викорис-
товують будь-який з таких матеріалів:
судьфід свинцю;
сульфат тригліцерину та його різновиди;
титанат цирконію-лантану-свинцю та його
різновиди;
танталат літію;
фторид полівініліну та його різновиди;
ніобат барію-стронцію та його варіанти;
селенід свинцю.
6.2.2.2. Конструкція і технологія виробництва багато- 490199000спектральних формувальників відображень для 490600000
використання у дистанційному зондуванні, що
мають будь-яку з таких характеристик:
миттєве поле огляду менше 200 мкрад;
спеціально сконструйовані для роботи у
діапазоні довжини хвиль понад 400 нм, але
не більше 30000 нм, забезпечують дані
відображення на виході у цифровому форматі
з використанням детекторів відмінних від
кремнієвих і призначених для космічного
використання або повітряного базування .2.2.3. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для використання багатоспектральних фор- 852422100
мувальників відображень, зазначених у пункті 852433100
6.1.2.2. 852490910
852490990
6.2.2.4. Конструкція і технологія виробництва апара- 490199000тури формування відображень безпосереднього 490600000
спостереження у видимому чи інфрачервоному
діапазоні, які містять один з таких прист-
роїв:
електронно-оптичні перетворювачі для підси-
лення яскравості відображення, зазначені у
пункті 6.1.2.1.2.1.;
пристрої "фокальної площини", зазначені у
пункті 6.1.2.1.3.
Примітка. Експортний контроль за пунктом 6.2.2.4.2. непоширюється на конструкцію і технологію ви-
робництва такої апаратури з фотокатодами,
відмінними від фотокатодів на GaAs або
GaInAs:
промислових чи цивільних датчиків охорони
систем обліку або контролю дорожнього чи
виробничого руху;
медичної апаратури;
промислової апаратури для контролю,аналізу
чи сортування матеріалів;
детекторів полум'я для промислових печей;
апаратури, спеціально розробленої для
промислового використання.
6.2.2.5. Конструкція і технологія виробництва спеціа- 490199000лізованих компонентів для оптичних датчиків: 490600000
6.2.2.5.1. кріогенних охолоджувачів космічного застосу-вання; .2.2.5.2. кріогенних охолоджувачів некосмічного засто-
сування з температурою нижче 218 К (-550С):
замкненого циклу з середнім часом наробки
на відмову чи середнім часом між відмовами
понад 2500 годин;
охолоджувачів Джоуля-Томсона із саморегулю-
ванням та діаметром отвору менше 8 мм; .2.2.5.3. оптиковолоконних датчиків:
спеціально виготовлених композіційно або
структурно чи модифікованих шляхом пок-
риття з чутливістю до акустичних, терміч-
них, інерційних, електромагнітних чи ядер-
них ефектів;
модифікованих структурно для досягнення
"довжини биття" менше 50 мм (велике дво-
променезаломлення)
6.2.3. Конструкція і технологія виробництва камер
6.2.3.1. Конструкція і технологія виробництва інстру-ментальних камер .2.3.1.1. конструкція і технологія виробництва висо- 490199000
кошвидкісних записуючих кінокамер з 490600000
будь-яким форматом плівки від 8 мм до 16 мм
включно, в яких плівка рухається у процесі
запису і в яких запис може проводитися з
швидкістю понад 13150 кадрів на секунду;
Примітка. Експортний контроль за пунктом 6.2.3.1.1. непоширюється на конструкцію і технологію ви-
робництва кінокамер для цивільних цілей.
6.2.3.1.2. конструкція і технологія виробництва ме- 490199000ханічних високошвидкісних камер, в яких 490600000
плівка не рухається, здатних вести запис із
швидкістю понад 106 кадрів на секунду для
плівок завширшки 35 мм, чи для пропорційно
вищих швидкостей більш вузької плівки, чи
для пропорційно менших швидкостей більш ши-
рокої плівки; .2.3.1.3. конструкція і технологія виробництва ме- 490199000
ханічних та електронних камер-фотохроног- 490600000
рафів з швидкістю запису понад 10 мм/мкс; .2.3.1.4. конструкція і технологія виробництва елект- 490199000
ронних кадрових камер з швидкістю запису по- 490600000
над 106 кадрів на секунду; .2.3.1.5. конструкція і технологія виробництва елект- 490199000
ронних камер, які мають швидкість електрон- 490600000
ного затвору (швидкість стробування) менше
1 мкс на повний кадр і час зчитування, які
дадуть змогу одержувати більше 125 повних
кадрів на секунду
6.2.3.2. Конструкція і технологія виробництва камердля одержання відеовідображень
Примітка. Експортний контроль за пунктом 6.2.3.2. непоширюється на конструкцію і технологію ви-
робництва телевізійних та відеокамер для те-
лебачення.
6.2.3.2.1. конструкція і технологія виробництва відео- 490199000камер, які містять твердотільні чутливі еле- 490600000
менти, що мають одну з таких характеристик:
понад 4.106 активних пікселів на твер-
дотільну матрицю для монохромної (чор-
но-білої) камери;
понад 4.106 активних пікселів на твер-
дотільну матрицю для кольорових камер з
трьома твердотільними матрицями;
понад 12.106 активних пікселів на твер-
дотільну матрицю кольорових камер з однією
твердотільною матрицею; .2.3.2.2. конструкція і технологія виробництва скану- 490199000
ючих камер і систем скануючих камер, які 490600000
містять лінійку детекторів з більше ніж 8192
елементами та з механічним скануванням в од-
ному напрямку; .2.3.2.3. конструкція і технологія виробництва камер 490199000
для одержання відеозображень, які містять 490600000
перетворювач для підсилення яскравості зоб-
раження, зазначених у пункті 6.1.2.1.2.1.; .2.3.2.4. конструкція і технологія виробництва камер 490199000
для одержання відеозображень, що включають 490600000
матриці "фокальної площини", зазначені у
пункті 6.1.2.1.3.
6.2.4. Конструкція і технологія виробництва лазерів,оптичного обладнання та компонентів до них .2.4.1. Конструкція і технологія виробництва газових
лазерів: .2.4.1.1. конструкція і технологія виробництва екси- 490199000
мерних лазерів, які мають одну з таких ха- 490600000
рактеристик:
довжину хвилі вихідного випромінювання,
яка не перевищує 150 нм, вихідну енергію
більше 50 мДж на імпульс або середню по-
тужність більше 1 Вт;
довжину хвилі вихідного випромінювання
більше 150 нм, але яка не перевищує 190 нм,
вихідну енергію на імпульс , яка не пере-
вищує 1,5 Дж, або середню потужність, яка
перевищує 120 Вт;
довжину хвилі вихідного випромінювання,
яка перевищує 190 нм, але не більше 360 нм,
вихідну енергію на імпульс, яка перевищує
10 Дж, або середню вихідну потужність, яка
перевищує 500 Вт;
довжину хвилі вихідного випромінювання,
яка перевищує 360 нм, вихідну енергію на
імпульс, яка перевищує 1,5 Дж, або серед-
ню вихідну потужність більше 30 Вт; .2.4.1.2. програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування або виробництва ексимер- 852422100
них лазерів, зазначених у пункті 6.1.4.1.1. 852433100
852490910
852490990
6.2.4.1.3. конструкція і технологія виробництва лазерів 490199000на парах металів: 490600000
конструкція і технологія виробництва
мідних (Cu) лазерів з середньою або безпе-
рервною вихідною потужністю більше 20 Вт;
конструкція і технологія виробництва золо-
тих (Au) лазерів з середньою або безпе-
рервною вихідною потужністю більше 5 Вт;
конструкція і технологія виробництва
натрієвих (Na) лазерів з вихідною по-
тужністю більше 5 Вт;
конструкція і технологія виробництва
барієвих (Ba) лазерів з середньою або без-
перервною вихідною потужністю більше 2 Вт; .2.4.1.4. програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування або виробництва лазерів 852422100
на парах металів, зазначених у пункті 852433100
6.1.4.1.2. 852490910
852490990
6.2.4.1.5. конструкція і технологія виробництва лазерів 490199000на моноокисі вуглецю (CO) з: 490600000
вихідною енергією більше 2 Дж на імпульс та
імпульсною піковою потужністю більше 5 кВт;
середньою або безперервною вихідною потуж-
ністю більше 5 кВт; .2.4.1.6. програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування або виробництва лазерів 852422100
на основі моноокису вуглецю, зазначених у 852433100
пункті 6.1.4.1.3.; 852490910
852490990
6.2.4.1.7. конструкція і технологія виробництва лазерів 490199000на двоокисі вуглецю (CO2) з: 490600000
безперервною вихідною потужністю більше
10 кВт;
імпульсним випромінюванням з тривалістю
імпульсу більше 10 мкс, середньою вихідною
потужністю понад 10 кВт або імпульсною пі-
ковою потужністю більше 100 кВт;
імпульсним випромінюванням з тривалістю
імпульсу рівною або менше 10 мкс,
енергією імпульсу більше 5 Дж, імпульсною
піковою потужністю понад 2,5 кВт або се-
редньою вихідною потужністю більше 2,5 кВт; .2.4.1.8. програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування або виробництва лазерів 852422100
на двоокисі вуглецю, зазначених у пункті 852433100
6.1.4.1.4.; 852490910
852490990
6.2.4.1.9. конструкція і технологія виробництва хіміч- 490199000них лазерів: 490600000
воднево-фторових (HF);
дейтерієво-фторових (DF);
перехідних лазерів:
киснево-йодових (О2 -І);
дейтерій-фторових-двоокису вуглецевих
(DF-CO2) лазерів; .2.4.1.10.програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування або виробництва хі- 852422100
мічних лазерів , на які накладені обмеження 852433100
пунктом 6.1.4.1.5.; 852490910
852490990
6.2.4.1.11.конструкція і технологія виробництва газо- 490199000розрядних та іонних лазерів (на іонах крип- 490600000
тону або аргону), які мають:
вихідну енергію більше 1,5 Дж на імпульс та
імпульсну пікову потужність більше 50 Вт;
середню або безперервну потужність більше
50 Вт; .2.4.1.12.програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування або виробництва газороз- 852422100
рядних та іонних лазерів, зазначених у 852433100
пункті 6.1.4.1.6.; 852490910
852490990
6.2.4.1.13.конструкція і технологія виробництва інших 490199000газових лазерів, за винятком азотних лазе- 490600000
рів з:
довжиною хвилі вихідного випромінювання не
більше 150 нм, вихідною енергією на
імпульс понад 50 мДж, імпульсною піковою
потужністю більше 1 Вт або середньою чи
безперервною потужністю більше 1 Вт;
довжиною хвилі вихідного випромінювання
більше 150 нм, але не більше 800 нм,
вихідною енергією більше 1,5 Дж на
імпульс, імпульсною піковою потужністю
більше 30 Вт або середньою чи безперерв-
ною потужністю більше 30 Вт;
довжиною хвилі вихідного випромінювання
більше 800 нм, але не більше 1400 нм,
вихідною енергією на імпульс більше
0,25 Дж, імпульсною піковою потужністю
більше 10 Вт та середньою чи безперерв-
ною потужністю більше 10 Вт;
довжиною хвилі вихідного випромінювання
понад 1400 нм та середньою чи безперерв-
ною потужністю більше 1 Вт; .2.4.1.14.програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування або виробництва газових 852422100
лазерів, зазначених у пункті 6.1.4.1. 852433100
852490910
852490990
6.2.4.2. Конструкція і технологія виробництва напів-провідникових лазерів .2.4.2.1. конструкція і технологія виробництва пооди- 490199000
ноких напівпровідникових одномодових за по- 490600000
перечною модою лазерів, які мають середню
вихідну потужність понад 100 мВт або довжину
хвилі більше 1050 нм; .2.4.2.2. конструкція і технологія виробництва одинич- 490199000
них напівпровідникових багатомодових за 490600000
поперечними модами лазерів, або лінійок чи
матриць лазерів з:
вихідною енергією більше 500 мкДж на
імпульс та імпульсною піковою потужністю
понад 10 Вт;
середньою або безперервною вихідною по-
тужністю понад 10 Вт;
довжиною хвилі більше 1050 нм; .2.4.2.3. програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування та виробництва 852422100
напівпровідникових лазерів, зазначених у 852433100
пунктах 6.1.4.2.1., 6.1.4.2.2. 852490910
852490990
6.2.4.3. Конструкція і технологія виробництва твердо-тільних лазерів: .2.4.3.1. конструкція і технологія виробництва твердо- 490199000
тільних лазерів, що перестроюються і мають
такі характеристики:
довжину хвилі випромінювання менше 600 нм,
вихідну енергію більше 50 мДж на імпульс,
імпульсну пікову потужність більше 1 Вт
або середню чи безперервну потужність
більше 1 Вт;
довжину хвилі 600 нм або більше, але не
більше 1400 нм, вихідну енергію більше
1 Дж в імпульсі, імпульсну пікову потуж-
ність понад 20 Вт або середню чи безпе-
рервну вихідну потужність понад 20 Вт;
довжину хвилі вихідного випромінювання
більше 1400 нм, вихідну енергію понад
50 мДж на імпульс, імпульсну пікову по-
тужність більше 1 Вт або середню чи без-
перервну вихідну потужність більше 1 Вт;
Примітка. Пункт 6.2.4.2.4. містить конструкцію і тех-нологію виробництва лазерів:
титаново-сапфірових (Al2O3:Ti);
тулій-YAG (YAG:Tm);
тулій-YSGG (YSGG:Tm);
на олександриті (BeAl2O4:Gr);
на фарбованих центрах.
6.2.4.3.2. програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не для проектування або виробництва твердо- 852422100
тільних лазерів, що перестроюються, зазначе- 852433100
них у пункті 6.1.4.3.1.; 852490910
852490990
6.2.4.3.3. конструкція і технологія виробництва лазе-рів, що не перестроюються:
Примітка. Пункти 6.1.4.3.2. - 6.1.4.3.2.4.4. містятьконструкцію і технологію виробництва твер-
дотільних лазерів на атомних переходах.
6.2.4.3.3.1.конструкція і технологія виробництва рубіно- 490199000вих лазерів з вихідною енергією більше 20 Дж 490600000
в імпульсі; .2.4.3.3.2.програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування та виробництва рубінових 852422100
лазерів з вихідною енергією більше 20 Дж в 852433100
імпульсі; 852490910
852490990
6.2.4.3.3.3.конструкція і технологія виробництва лазерів 490199000на неодимовому склі: 490600000
лазерів з модуляцією добротності, які ма-
ють вихідну енергію понад 20 Дж, але не
більше 50 Дж в імпульсі, середню вихідну
потужність більше 10 Вт або вихідну
енергію понад 50 Дж в імпульсі;
лазерів без модуляції добротності, які ма-
ють вихідну енергію понад 50 Дж, але не
більше 100 Дж в імпульсі, середню вихідну
потужність більше 20 Вт або вихідну
енергію більше 100 Дж в імпульсі; .2.4.3.3.4.програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування або виробництва лазерів 852422100
на неодимовому склі, зазначених у пункті 852433100
6.1.4.3.2.2.; 852490910
852490990
6.2.4.3.3.5.конструкція і технологія виробництва лазерів 490199000на середовищах (не склі) активованих не- 490600000
одімом, з довжиною хвилі випромінювання по-
над 1000 нм, але не більше 1100 нм:
лазерів з імпульсним збудженням і моду-
ляцією добротності, синхронізацією мод з
тривалістю імпульсу менше 1 нс, які мають
пікову потужність понад 5 ГВт, середню
вихідну потужність понад 10 Вт чи імпульс-
ну енергію понад 0,1 Дж;
лазерів з імпульсним збудженням і моду-
ляцією добротності з тривалістю імпульсу,
рівною чи більшою 1 нс:
одномодовим за поперечною модою вип-
ромінюванням, яке має пікову потужність
понад 100 мВт, середню вихідну по-
тужність понад 20 Вт чи імпульсну
енергію понад 2 Дж;
багатомодовим за поперечною модою вип-
ромінюванням, яке має пікову потужність
понад 200 МВт, середню вихідну по-
тужність понад 50 Вт або імпульсну
енергію понад 2 Дж;
лазерів з імпульсним збудженням без моду-
ляції добротності, які мають:
одномодове за поперечною модою вип-
ромінювання з піковою потужністю понад
500 кВт чи середньою вихідною потужністю
понад 150 Вт;
багатомодове за поперечною модою вип-
ромінювання з піковою потужністю понад
1 мВт чи середньою потужністю понад
500 Вт;
лазерів безперервного збудження, які ма-
ють:
одномодове за поперечною модою вип-
ромінювання з піковою потужністю понад
500 кВт або середньою чи безперервною по-
тужністю понад 150 Вт;
багатомодове за поперечною модою вип-
ромінювання з піковою потужністю понад
1 мВт або середньою чи безперервною по-
тужністю понад 500 Вт; .2.4.3.6. програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування чи виробництва лазерів з 852422100
розчиненим неодімом, зазначених у пункті 852433100
6.1.4.3.2.3.; 852490910
852490990
6.2.4.3.7. конструкція і технологія виробництва інших 490199000налагоджуваних лазерів, що не перестроюються 490600000
і мають:
довжину хвилі менше 150 нм,вихідну енергію
понад 50 мДж в імпульсі, імпульсну пікову
потужність понад 1 Вт або середню чи без-
перервну вихідну потужність понад 1 Вт;
довжину хвилі не менше 150 нм, але не
більше 800 нм, вихідну енергію понад
1,5 Дж на імпульс, імпульсну пікову по-
тужність понад 30 Вт чи середню чи без-
перервну потужність понад 30 Вт;
довжину хвилі понад 800 нм, але не більше
1400 нм:
лазерів з модуляцією добротності з
вихідною енергією понад 0,5 Дж в
імпульсі, імпульсною піковою потужністю
понад 50 Вт чи середньою вихідною по-
тужністю, що перевищує 10 Вт для одномо-
дових лазерів та 30 Вт для багатомодових
лазерів;
лазерів без модуляції добротності з
вихідною енергією понад 2 Дж в імпульсі,
імпульсною піковою потужністю понад
50 Вт або середньою чи безперервною
вихідною потужністю понад 50 Вт;
довжину хвилі понад 1400 нм, вихідну
енергію понад 100 мДж в імпульсі, імпульс-
ну пікову потужність понад 1 Вт або серед-
ню чи безперервну потужність понад 1 Вт; .2.4.3.8. програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування чи виробництва лазерів, 852422100
що не перестроюються, зазначених у пункті 852433100
6.1.4.3.2.4.; 852490910
852490990
6.2.4.4. Конструкція і технологія виробництва лазерів 490199000на барвниках чи інших рідинах, які мають: 490600000
довжину хвилі менше 150 нм,вихідну енергію
понад 50 мДж в імпульсі, імпульсну пікову
потужність понад 1 Вт або середню чи без-
перервну вихідну потужність понад 1 Вт;
довжину хвилі 150 нм чи більше, але не
більше 800 нм, вихідну енергію понад
1,5 Дж в імпульсі, імпульсну пікову по-
тужність понад 20 Вт або середню чи без-
перервну потужність понад 20 Вт, або які
мають генератор окремої повздовжньої моди
з середньою вихідною потужністю понад 1 Вт
та частотою повторення понад 1 кГц при
тривалості імпульсу менше 100 нс;
довжину хвилі понад 800 нм, але не більше
1400 нм, вихідну енергію понад 500 мДж в
імпульсі, імпульсну пікову потужність по-
над 10 Вт або середню чи безперервну
вихідну потужність понад 10 Вт;
довжину хвилі понад 1400 нм, вихідну
енергію понад 100 мДж в імпульсі, імпульс-
ну пікову потужність понад 1 Вт або серед-
ню чи безперервну вихідну потужність понад
1 Вт .2.4.5. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування чи виробництва лазерів 852422100
на барвниках та інших рідинах, зазначених у 852433100
пункті 6.1.4.4. 852490910
852490990
6.2.4.6. Конструкція і технологія виробництва іншихлазерів .2.4.6.1. конструкція і технологія виробництва оргоно- 490199000
вих іонних лазерів із середньою потужністю 490600000
понад 40 Вт та довжиною хвилі випромінювання
від 400 нм до 515 нм; .2.4.6.2. програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування чи виробництва оргонових 852422100
іонних лазерів,зазначених у пункті 6.1.4.5.1. 852433100
852490910
852490990
6.2.4.6.3. конструкція і технологія виробництва імпульс- 490199000них одномодових лазерів, що перестроюються, 490600000
на фарбах з середньою потужністю вихідного
випромінювання понад 1 Вт, частотою повторен-
ня імпульсів понад 1 кГц, довжиною імпульса
менше 100 нс і довжиною хвилі випромінювання
від 300 нм до 800 нм; .2.4.6.4. програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування чи виробництва імпуль- 852422100
сних одномодових лазерів, що перестроюються 852433100
зазначених у пункті 6.1.4.5.2.; 852490910
852490990
6.2.4.6.5. конструкція і технологія виробництва імпульс- 490199000них підсилювачів і лазерів, що перестроюють- 490600000
ся, на фарбах з середньою потужністю вихідно-
го випромінювання понад 30 Вт, частотою пов-
торення імпульсів понад 1 кГц, довжиною хви-
лі випромінювання від 300 нм до 800 нм;
Примітка. Вимоги за пунктом 6.2.4.6.5. не поширюютьсяна одномодові генератори.
6.2.4.6.6. програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не для проектування чи виробництва імпульс- 852422100
підсилювачів і лазерів, що перестроюються, 852433100
зазначених у пункті 6.1.4.5.3.; 852490910
852490990
6.2.4.6.7. конструкція і технологія виробництва ім- 490199000пульсних CO2-лазерів з частотою повторення 490600000
імпульсів понад 250 кГц,середньою потужністю
вихідного випромінювання понад 500 Вт, дов-
жиною хвилі випромінювання від 9000 нм до
11000 нм; .2.4.6.8. програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування чи виробництва імпульсних 852422100
CO2-лазерів, зазначених у пункті 6.1.4.5.4.; 852433100
852490910
852490990
6.2.4.6.9. конструкція і технологія виробництва паро- 490199000водневих перетворювачів Романова із зрушення 490600000
довжини вихідного випромінювання до 16 мкн і
частотою повторення імпульсів понад 250 кГц; .2.4.6.10.програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування чи виробництва паро- 852422100
водневих перетворювачів Романова, зазначених 852433100
у пункті 6.1.4.5.5. 852490910
852490990
6.2.4.7. Конструкція і технологія виробництва лазерів 490199000на вільних електронах 490600000
6.2.4.8. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не для проектування чи виробництва лазерів 852422100
на вільних електронах 852433100
852490910
852490990
6.2.4.9. Конструкція і технологія виробництва компо-нентів для лазерів: .2.4.9.1. конструкція і технологія виробництва дзер- 490199000
кал, охолоджених або з активним охолодженням, 490600000
або з охолоджувальною системою на теплових
трубах .2.4.9.2. конструкція і технологія виробництва оптич- 490199000
них дзеркал чи прозорих, частково прозорих 490600000
оптичних, електрооптичних компонентів для
використання в лазерах, які підлягають екс-
портному контролю .2.4.10. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування чи виробництва компо- 852422100
нентів лазерів, зазначених у пункті 6.1.4.7. 852433100
852490910
852490990
6.2.4.11. Конструкція і технологія виробництва оптич-ного обладнання .2.4.11.1.конструкція і технологія виробництва динаміч- 490199000
ного вимірювання фази хвильового фронту з 490600000
понад 50 позиціями на хвильовому фронті про-
меня:
з частотою кадра, що дорівнює або більша
100 Гц, і фазовою дискримінацією 5 відсот-
ків та більше довжини хвилі променя;
з частотою кадра, що дорівнює або більша
1000 Гц і фазовою дискримінацією 20 від-
сотків та більше довжини хвилі променя; .2.4.11.2.програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування чи виробництва обладнан- 852422100
ня для динамічного вимірювання фази хвильо- 852433100
вого фронту, зазначеного у пункті 6.1.4.8.1.; 852490910
852490990
6.2.4.11.3.конструкція і технологія виробництва облад- 490199000нання лазерної діагностики із здатністю 490600000
вимірювання похибок керування променем лазе-
ра надвисокої потужності з точністю, що
дорівнює або менша 10 мкрад; .2.4.11.4.програмне забезпечення, спеціально розробле-
не для проектування чи виробництва обладнан-
ня лазерної діагностики, зазначеного у
пункті 6.1.4.8.2.;
6.2.4.11.5.конструкція і технологія виробництва оптич- 490199000ної апаратури, вузлів і компонентів для сис- 490600000
теми лазера надвисокої потужності з фазова-
ним складанням променів з точністю 1/10 дов-
жини хвилі або 0,1 мкм (залежно від того, що
менше); .2.4.11.6.програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування або виробництва апарату- 852422100
ри, вузлів і компонентів, зазначених у 852433100
пункті 6.1.4.8.3.; 852490910
852490990
6.2.4.11.7.конструкція і технологія виробництва захище- 490199000них телескопів для використання із системами 490600000
лазерів надвисокої потужності; .2.4.11.8.програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування або виробництва захище- 852422100
них телескопів для використання із системами 852433100
лазерів надвисокої потужності 852490910
852490990
6.2.4.12. Конструкція і технологія виробництва, спе- 490199000ціально розробленого або модифікованого об- 490600000
ладнання, включаючи інструменти, барвники,
контрольно-вимірювальні прилади та інші
спеціальні компоненти та допоміжні елементи:
для виробництва або огляду:
магнітних систем лазерів на вільних
електронах;
фотоінжекторів лазерів на вільних елект-
ронах;
для юстирування у межах потрібної похибки
поздовжнього магнітного поля лазерів на
вільних електронах .2.4.13. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування чи виробництва, 852422100
спеціально розробленого або модифікованого 852433100
обладнання, зазначеного у пункті 6.1.5. 852490910
852490990
6.2.4.14. Технологія виробництва або методи викорис- 490199000тання спеціалізованих діагностичних інстру- 490600000
ментів або мішеней у дослідних приладах для
випробування лазерів надвисокої потужності
або випробувань чи оцінки стійкості матері-
алів, опромінюваних променями таких лазерів
6.2.5. Конструкція і технологія виробництва маг-нітометрів, магнітних градіометрів, еталон-
них магнітних градіометрів і компенсаційних
систем та спеціально розроблених компонентів
Примітка. Експортний контроль за пунктами 6.2.5.1.-6.2.5.12. не поширюєтся на конструкцію і
технологію виробництва спеціальних інстру-
ментів для біомагнітних вимірювань медичної
діагностики, якщо вони не містять датчиків,
зазначених у пункті 6.1.6.8.
6.2.5.1. Конструкція і технологія виробництва магні- 490199000тометрів, у яких використані технології 490600000
надпровідності з оптичною накачкою або ядер-
ною прецесією (протонною/Оверхаузера) та які
мають середньоквадратичне значення рівня
шумів (чутливість) менше 0,05 нТ, поділені
на корінь квадратний з частоти в Гц .2.5.2. Конструкція і технологія виробництва магні- 490199000
тометрів з катушкою індуктивності, які мають 490600000
середньоквадратичне значення рівня шумів
(чутливість) менше (краще):
0,05 нТ, поділені на корінь квадратний з
частоти в Гц - на частоті менше 1 Гц;
1*10 в ступ.(-3) нТ, поділені на корінь квадратний
з частоти в Гц - на частоті 1 Гц або
більше, але не більше 10 Гц;
1*10 в ступ.(-4) нТ, поділені на корінь квадратний
з частоти в Гц - на частоті більше 10 Гц .2.5.3. Конструкція і технологія виробництва воло- 490199000
коннооптичних магнітометрів з середньоквад- 490600000
ратичним значенням рівня шумів (чутливістю)
менше 1 нТ, поділені на корінь квадратний з
частоти в Гц .2.5.4. Конструкція і технологія виробництва магніт- 490199000
них градіометрів, які застосовують набори 490600000
магнітометрів, зазначених у пунктах 6.1.6.1.-
6.1.6.3. .2.5.5. Конструкція і технологія виробництва воло- 490199000
конно-оптичних еталонних магнітних градіомет- 490600000
рів з середньоквадратичним значенням рівня
шумів (чутливістю) градієнта магнітного поля
менше 0,3 нТ, поділені на метр та корінь
квадратний з частоти в Гц .2.5.6. Конструкція і технологія виробництва еталон- 490199000
них магнітних градіометрів з використанням 490600000
технології, відмінної від оптоволоконної, з
середньоквадратичним значенням рівня шумів
(чутливістю) градієнта магнітного поля менше
0,015 нТ, поділені на метр та на корінь
квадратний з частоти в Гц .2.5.7. Конструкція і технологія виробництва магні- 490199000
токомпенсаційних систем для магнітних датчи- 490600000
ків, призначених для роботи на пересувних
платформах .2.5.8. Конструкція і технологія виробництва електро- 490199000
магнітних датчиків для вимірювання електро- 490600000
магнітного поля на частотах 1 кГц та менше,
що мають компоненти хоча б один з яких є
надпровідником, включаючи пристрій на ефекті
Джозефсона або надпровідникові пристрої кван-
тової інтерференції (СКВІД), розроблені для
функціонування при температурі нижче критич-
ної або яка має одну з таких характеристик:
містять тонкоплівкові СКВІД з мінімальним
характерним розміром менше 2 мкм та відпо-
відними схемами з'єднання входу та виходу;
розроблені для функціонування при макси-
мальній швидкості нарощування магнітного
поля більше 10 квантів магнітного потоку
за секунду;
розроблені для функціонування без магніт-
ного екрана в навколишньому земному маг-
нітному полі;
які мають температурний коефіцієнт менше
0,1 кванта магнітного потоку на кельвін
6.2.5.9. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не для проектування, виробництва та застосу- 852422100
вання магнітометрів, градіометрів, компен- 852423100
саційних систем і спеціально розроблених 852490100
компонентів, зазначених у пункті 6.1.6. 852490900
6.2.5.10. Спеціалізоване програмне забезпечення для 852421100магнітокомпенсаційних систем магнітних дат- 852422100
чиків рухомих платформ (транспортних за- 852423100
собів) 852490100
852490900
6.2.5.11. Спеціалізоване програмне забезпечення для 852421100знаходження магнітних аномалій на рухомих 852422100
платформах (транспортних засобах) 852423100
852490100
852490900
6.2.5.12. Технологія виробництва ферозондових магні- 490199000тометрів або систем ферозондових магніто- 490600000
метрів з рівнем шумів (чутливістю) менше
0,05 нТ, поділені на корінь квадратний з
частоти в Гц - на частотах менше 1 Гц (се-
редньоквадратичне значення) або 1*10 в ступ.(-3) нТ,
поділені на корінь квадратний з частоти в
Гц,- на частотах 1 Гц або більше (середньок-
вадратичне значення)
6.2.6. Конструкція і технологія виробництва граві-тометрів .2.6.1. Конструкція і технологія виробництва граві- 490199000
тометрів для наземного використання із ста- 490600000
тичною точністю менше 1*10 в ступ.(-7) м/с2
(10 мкГал)
Примітка. Експортний контроль за пунктом 6.2.6.1 непоширюється на конструкцію і технологію ви-
робництва наземних гравітометрів типу квар-
цових елементів Уордена.
6.2.6.2. Конструкція і технологія виробництва апара- 490199000тури для налагодження та калібрування на- 490600000
земних гравітометрів із статистичною похиб-
кою не гірше 7*10 в ступ.(-6) м/с2 (0,7мГал)
6.2.7. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не для проектування, виробництва та викорис- 852422100
тання наземних гравітометрів і апаратури 852423100
для їх налагодження та калібрування, зазна- 852490100
чених у пункті 6.1.7. 852490900
6.2.8. Спеціально розроблене програмне забезпечення 852421100для корекції впливу руху гравітометрів або 852422100
гравітаційних градіометрів 852423100
852490100
852490900
6.2.9. Конструкція і технологія виробництва радіоло-каційних станцій (РЛС), їх збірок,обладнання
та спеціально розроблених для них компонентів .2.9.1. Конструкція і технологія виробництва РЛС, 490199000
зазначених у пунктах 6.1.8.1. - 6.1.8.9. 490600000
6.2.9.2. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не для проектування, виробництва або вико- 852422100
ристання РЛС, зазначених у пунктах 6.1.8.1.- 852433100
6.1.8.9. 852490910
852490990
6.2.9.3. Конструкція і технологія виробництва лазер- 490199000них локаційних станцій або метеорологічних 490600000
лазерних локаторів ІЧ-діапазону:
космічного призначення;
що використовують методи когерентного ге-
теродинного або гомодинного детектування і
мають кутову розподільну здатність менше
20 мкрад; .2.9.4. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування, виробництва або вико- 852422100
ристання лазерних локаційних станцій чи ла- 852433100
зерних дальномірів, зазначених у пункті 852490910
6.1.8.10. 852490990
6.2.9.5. Конструкція і технологія виробництва РЛС, що 490199000містять підсистеми оброблення сигналу у виг- 490600000
ляді стискання імпульсу з коефіцієнтом стис-
кання понад 150 або тривалістю імпульсу мен-
ше 200 нс .2.9.6. Конструкція і технологія виробництва РЛС, що
мають підсистеми оброблення даних з: .2.9.6.1. автоматичним супроводженням цілей, що забез- 490199000
печують при будь-якому обертанні антени пе- 490600000
редбачуване положення цілі поза часом проход-
ження наступного променя антени;
Примітка. Вимоги за пунктом 6.2.9.6.1. не поширюютьсяна засоби видачі сигналу для запобігання
зіткненням у системах контролю за повітряним
рухом, морських або прибережних РЛС.
6.2.9.6.2. розрахунком швидкості цілі стосовно РЛС, що 490199000має неперіодичне сканування; 490600000
6.2.9.6.3. автоматичним розпізнаванням образу (виділен- 490199000ням ознак) та порівнянням з базами даних ха- 490600000
рактеристик цілей (сигналів або образів) для
ідентифікації або класифікації цілей; .2.9.6.4. накладенням, кореляцією або злиттям даних 490199000
цілі від двох або більше розподілених у 490600000
простірі та на місцевості й взаємозв'язаних
датчиків РЛС для поліпшення розпізнавання
цілей.
Примітка. Вимоги за пунктом 6.2.9.6.4. не поширюютьсяна системи, обладнання та вузли, призначені
для контролю за морським рухом.
6.2.9.7. Конструкція і технологія виробництва імпульс- 490199000них РЛС вимірювання площі поперечного пере- 490600000
різу з тривалістю імпульсу 100 нс або менше
і спеціальними компонентами .2.9.8. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування, виробництва або вико- 852422100
ристання РЛС,зазначених у пунктах 6.1.8.11.- 852433100
6.1.8.13. 852490910
852490990
6.2.9.9. Програмне забезпечення для управління по- 852421100вітряним рухом на комп'ютерах загального 852422100
призначення, що містяться в центрах управлін- 852433100
ня повітряним рухом і мають характеристики: 852490910
оброблення та відобрадження понад 150 852490990
одночасних траекторій;
приймання РЛС інформації стосовно цілей
від 4 первинних РЛС або більше;
автоматичне оброблення інформації з переда-
чею даних стосовно цілей від первинних РЛС
(у разі відсутності кореляції з інформа-
цією спостереження РЛС з активною відпо-
віддю) з одного центру керування повітря-
ним рухом на інший центр керування .2.9.10. Конструкція і технологія виробництва антен- 490199000
них фазованих граток, які функціонують на 490600000
частотах вище 10,5 ГГц і містять активні
елементи та розподілені компоненти, що дають
змогу здійснювати електронне керування фор-
мою і напрямком променя
Примітка. Вимоги за пунктом 6.2.9.10. не поширюютьсяна антенні фазовані гратки, що використову-
ються у системах посадки, які відповідають
стандартам ІКАО (системи посадки СВЧ-діапа-
зону).
6.2.9.11. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не для проектування, виробництва або вико- 852422100
ристання антенних фазованих граток, зазначе- 852433100
них у пункті 6.1.8.14. 852490910
852490990
6.2.9.12. Програмне забезпечення для розроблення або 852421100виробництва обтічників: 852422100
спеціально розроблених для захисту фазова- 852433100
них граток з електронним перестроюванням 852490910
променя, зазначених у пункті 6.1.8.14.; 852490990
обмежують збільшення середнього рівня бо-
кових пелюстків менше на 13 дБ для частот
рівних або вищих 2 ГГц
Розділ 7. НАВІГАЦІЙНІ СИСТЕМИ І АВІАЦІЙНАРАДІОЕЛЕКТРОНІКА
7.1. Вироби, обладнання і компоненти
7.1.1. Акселерометри, призначені для використання в 901420190інерційних навігаційних системах або систе-
мах наведення, та які мають одну з таких ха-
рактеристик і спеціально призначені для них
компоненти .1.1.1. Стабільність зміщення відносно фіксованого
прокаліброваного значення протягом одного
року менше 130 мікро g .1.1.2. Стабільність "масштабного фактора" відносно
фіксованого прокаліброваного значення протя-
гом одного року менше 130 ppm .1.1.3. Призначені для роботи при рівнях лінійного
прискорення понад 100 g
7.1.2. Гірокомпаси та інші пристрої, які розрахо- 901410900вують положення або орієнтацію за допомогою
автоматично відстежуваних небесних тіл і
супутників з точністю азимута, що дорівнює
або менша 5 секунд дуги
7.1.3. Радіопеленгаційне обладнання, яке працює на 852790990частотах понад 30 МГц, має такі характерис- 854380900
тики та спеціально призначені для нього ви-
роби .1.3.1. Миттєва ширина смуги частот 1 МГц або більше
7.1.3.2. Паралельне оброблення понад 1000 результатівпеленгації на секунду і на частотний канал
7.1.4. Бортові альтиметри, які діють на частотах, 852610110відмінних від 4,2 до 4,4 ГГц включно, мають
одну з таких характеристик:
керування потужністю;
використовують амплітудну модуляцію із
змінною фазою
7.1.5. Гіроскопи, які мають під впливом 1 g протя- 903289гом трьох місяців нестабільність стосовно
фіксованої каліброваної величини менше 0,1
градуса на годину, коли паспортні (номіналь-
ні) дані приведені для функціонування при
прискореннях нижче 10 g
7.1.6. Інерційні навігаційні системи (платформні та 901410900безплатформні) та інерційне обладнання для
визначення місцезнаходження, наведення та
керування, які мають спеціально розроблені
компоненти та одну з таких характеристик:
навігаційну помилку (суто інерційну) від
0,8 морської милі на годину (50 відсотків
кругової ймовірної помилки або менше
після нормального виставлення);
приведені паспортні (номінальні) дані для
функціонування при рівнях прискорення вище
10 g
7.1.7. Приймальна апаратура та спеціально розробле- 901420900ні компоненти глобальної супутникової наві-
гаційної системи, які мають одну з таких
характеристик:
використання шифрування (дешифрування);
здійснення керування положенням мінімуму в
діаграмі спрямування антени
7.1.8. Обладнання для випробування, калібрування та 903120000виставлення 903180 .1.8.1. Спеціально розроблене для виробів,зазначених
у пунктах 7.1.4. - 7.1.7., за винятком
обладнання, призначеного для технічного
обслуговування .1.8.2. Обладнання спеціально призначене для уста-
новлення характеристик лазерних гіроскопів: .1.8.2.1. радіолокаційні рефлектометри, які мають точ-
ність виміру 10 ppm або менше; .1.8.2.2. профілометри, які мають точність виміру
0,5 нм .1.8.3. Обладнання спеціально призначене для вироб-
ництва виробів та обладнання, що контро-
люється пунктом 7.1.2., включаючи: .1.8.3.1. стенди для випробування і настроєння гіроско-
пів; .1.8.3.2. стенди для динамічного балансування гіроско-
пів; .1.8.3.3. стенди для випробування пускових моторів
гіроскопів; .1.8.3.4. стенди для відкачування та заповнення гірос-
копів; .1.8.3.5. центробіжні затискачі для опор (підшипників)
гіроскопів; .1.8.3.6. стенди для центрування осей акселерометрів
7.1.9. Системи підводного нагляду
7.1.9.1. Телевізійні системи (включаючи камеру, ос- 852510900вітлювальні прилади, обладнання моніторингу
та передавання сигналу), які мають роздільну
здатність більше 500 ліній під час вимірю-
вання її у повітряному середовищі, а також
телевізійні системи, спеціально спроектовані
або модифіковані для дистанційного керування
підводним судном .1.9.2. Підводні телекамери, які мають роздільну 852580990
здатність більше 700 ліній під час вимірю-
вання її в повітряному середовищі
Примітка. Роздільна здатність у телебаченні вимірюєть-ся горизонтальним (рядковим) розділенням,
звичайно вираженим у максимальній кількості
ліній по висоті зображення (екрана), що
розпізнаються на тестовій таблиці, яка вико-
ристовує стандарт ІЕЕЕ 208/1960 або будь-який
еквівалент цього стандарту.
7.1.9.3. Системи, спеціально спроектовані або модифі- 852692000ковані для дистанційного керування підводним
судном, у яких використовуються засоби міні-
мізації ефектів зворотного розсіювання,
включаючи РЛС випромінювання у вузькому діа-
пазоні або лазерні системи .1.9.4. Телевізійні камери, які призначені для 852530990
зйомки об'єктів з низьким рівнем освітле-
ності, спеціально спроектовані або модифіко-
вані для використання під водою, мають труб-
ки з мікроканальним підсилювачем зображення,
зазначені у пункті 6.1.2.1.2.1., і більше
150000 активних каналів на площі твердотіль-
ного приймача .1.9.5. Фотодіапозитивні камери, спеціально спроек- 900653000
товані або модифіковані для підводного ви- 900659000
користання, які мають:
формат стрічки 35 мм або більше та ано-
тацію стрічки даними, що визначають специ-
фіку зовнішнього джерела камери;
засоби автофокусування або дистанційного
фокусування, спеціально спроектовані для
використання під водою;
можливість автоматичної зворотньої ко-
рекції фокусної відстані, систему керуван-
ня автоматичної компенсації, спеціально
спроектовану для розміщення в боксі під-
водної камери, здатної витримувати тиск на
глибині більше 1000 м .1.9.6. Електронні системи спостереження, спеціально 903081900
спроектовані або модифіковані для підводного
використання, здатні зберігати в цифровій
формі більше 50 експонованих кадрів
7.1.10. Системи підсвічування,спеціально спроектованіабо модифіковані для використання під водою: .1.10.1. Стробоскопічні світлові системи з енергією 902920900
виходу більше 300 Дж в одному сполосі; 940540100
940540390
7.1.10.2. Аргонодугові світлові системи, спеціально 940540100спроектовані для використання під водою на 940540390
глибинах нижче 1000 м
7.1.11. Акустична апаратура, обладнання та системи
7.1.11.1. Морські акустичні системи, апаратура абоспеціально розроблені компоненти: .1.11.1.1.активні (що передають чи передають та прий-
мають) акустичні системи, обладнання або
спеціально розроблені компоненти:
Примітка. Експортний контроль за пунктами 7.1.11.1.1.та 7.1.11.1.1.4.2. не поширюється на звукові
вимірювачі глибини вертикальної дії без ска-
нування променя в межах понад +(-)10 градусів,
які мають обмежене використання для вимірю-
вання глибини або відстані до зануреного чи
заглибленого об'єкта, а також косяків риби. .1.11.1.1.1. широкооглядові акустичні системи морського 901580910
картографування, розроблені для :
вимірювання при кутах відхилення від вер-
тикалі більше 10 градусів та вимірювання
глибин більше 600 м від поверхні води;
використання набору променів, кожний з
яких не ширший 2 градусів, або для забез-
печення точності вимірів краще 0,5 відсот-
ка глибини води, одержаної усередненням
окремих вимірів; .1.11.1.1.2. акустичні системи знаходження або 901580910
визначення місцезнаходження об'єкта, які
мають одну з таких характеристик:
робочу частоту менше 10 кГц;
рівень звукового тиску більше 224 дБ
(1 мкПА на 1 м) для апаратури з робочою
частотою в діапазоні від 10 до 24 кГц;
рівень звукового тиску більше 235 дБ
(1 мкПА на 1 м) для апаратури з робочою
частотою в діапазоні від 24 до 30 кГц;
формування променя, вужчого 1 градуса, на
будь-якій осі та робочу частоту нижче
100 кГц;
розроблені для нормального функціонування
на глибинах більше 1000 м та які мають
передавач з однією з таких характеристик:
динамічно налагоджується під тиск;
має випромінювальний елемент, відмінний
від титанату цирконату;
розроблений для вимірювання відстані до
об'єктів більше 5120 м; .1.11.1.1.3. акустичні прожектори, що мають випромінюва-
чі з п'єзоелектричними, магнітострикційни-
ми, електрострикційними, електродинамічними
або гідравлічними елементами, які функціо-
нують незалежно або в сукупності та мають
одну з таких характеристик:
Примітка. Статус контролю за експортом акустичних про-жекторів, які вмикають випромінювачі,
спеціально розроблені для іншої апаратури,
визначається статусом контролю іншої апара-
тури.
7.1.11.1.1.3.1. щільність миттєво випромінюваної 901580910акустичної потужності перевищуює 0,01 мВт/
(кв.мм.Гц) для приладів, які працюють на
частотах нижче 10 кГц; .1.11.1.1.3.2. щільність безперервно випромінювальної 901580910
акустичної потужності, що перевищує
0,001 мВт/(кв.мм .Гц), для приладів, які
працюють на частотах нижче 10 кГц;
Примітка. Щільність акустичної потужності визначаєть-ся діленням вихідної акустичної потужності
на добуток площі випромінювальної поверхні
та робочої частоти.
7.1.11.1.1.3.3. проектне призначення для нормального 901580910функціонування на глибинах більше 1000 м; .1.11.1.1.3.4. здатність подавлення бокових пелюсток 901580910
більше 22 дБ;
Примітка. Експортний контроль за пунктом7.1.11.1.1.3. не поширюється на електронні
джерела тільки з вертикальним акустичним
випромінюванням, механічні (наприклад, по-
вітряні або парові рушниці) або хімічні
(наприклад, вибухові) джерела. .1.11.1.1.4. акустичні системи, апаратура або спеціаль-
но розроблені компоненти для визначення
положення надводних або підводних суден,
розроблені: .1.11.1.1.4.1. для роботи на дистанції більше 1000 м з 901580110
точністю позиціювання менше 10 м під час
вимірювання на відстані 1000 м; .1.11.1.1.4.2. для роботи на глибинах більше 1000 м; 901580110
Примітка. Пункт 7.1.11.1.1.4. включає апаратуру звикористанням когерентного оброблення сиг-
налів між двома або більше маяками та гід-
рофонного пристрою надводних та підводних
суден чи апаратуру, що має здатність авто-
корекції похибки швидкості поширення звуку.
7.1.11.1.2. пасивні (приймають у штатному режимі не-залежно від зв'язку з активною апаратурою)
акустичні системи, апаратура або спеціаль-
но розроблені компоненти: .1.11.1.2.1. гідрофони (перетворювачі):
7.1.11.1.2.1.1.гідрофони (перетворювачі), які містять 901580110гнучкі датчики безперервної дії чи збір-
ки датчиків дискретної дії з діаметром
або довжиною менше 20 мм та відстанню
між елементами менше 20 мм; .1.11.1.2.1.2.гідрофони (перетворювачі), що мають 901580930
будь-який з таких чутливих елементів:
оптоволоконний;
п'єзоелектричний полімерний;
п'єзоелектричний з гнучкої кераміки; .1.11.1.2.1.3.гідрофони (перетворювачі), що мають 901580930
гідрозвукову чутливість краще -180 дБ на
будь-якій глибині, без компенсації прис-
корення; .1.11.1.2.1.4.гідрофони (перетворювачі),розроблені для 901580930
глибин не більше 35 м, з гідрозвуковою
чутливістю краще -180 дБ та компенсацією
прискорення; .1.11.1.2.1.5.гідрофони (перетворювачі),розроблені для 901580930
нормальної роботи на глибинах більше
35 м, з гідрозвуковою чутливістю краще
-192 дБ та компенсацією прискорення; .1.11.1.2.1.6.гідрофони (перетворювачі),розроблені для 901580930
нормальної роботи на глибинах більше
100 м, з гідрозвуковою чутливістю краще
-204 дБ; .1.11.1.2.1.7.гідрофони (перетворювачі),розроблені для 901580930
роботи на глибинах більше 1000 м;
Примітка. Гідрозвукова чутливість визначається якдвадцятикратний десятковий логарифм відно-
шення середньоквадратичної вихідної напру-
ги до опорної напруги 1 В, коли гідрофон-
ний датчик без попереднього підсилювача
розміщений в акустичному полі плоскої хвилі
з середньоквадратичним тиском 1 мкПа. Нап-
риклад, гідрофон -160 дБ (опорна напруга
1 В/мкПа) дасть вихідну напругу 10 в ступ.
(-8) В у такому полі, в той же час чутливість
-180 дБ дасть вихідну напругу 10 в ступ.(-9) В.
Таким чином, -160 дБ краще, ніж -180 дБ. .1.11.1.2.2. акустичні гідрофонні гратки, які букси-
руються: .1.11.1.2.2.1. з розміщенням гідрофонів менше 12,5 м у 901580930
гратці; .1.11.1.2.2.2. з розміщенням гідрофонної групи від 901580930
12,5 до 25 м, розробленої або здатної
бути модифікованою для роботи на гли-
бині більше 25 м; римітка. Здатність до модификації в цьому пункті
означає наявність можливостей перемотуван-
ня обмотки або внутрішніх з'єднань для пе-
реміни розміщень гідрофонної групи або меж
робочих глибин. Такими можливостями є: на-
явність запасних витків обмотки більше 10
відсотків кількості робочих витків чи бло-
ків налагоджування конфігурації гідрофонної
групи або внутрішніх пристроїв регулювання
граничної робочої глибини із здатністю пе-
реналагоджування та керування більше ніж
однією гідрофонною групою.
7.1.11.1.2.2.3. з розміщенням гідрофонної групи на 901580930відстані 25 м або більше, розробленої
для роботи на глибині більше 100 м; .1.11.1.2.2.4. розроблені або здатні бути 901580930
модифікованими для глибин більше 35 м з
головними датчиками, увімкнутими в
з'єднувальний кабель гратки, які мають
точність краще +(-) 0,5 градуса, або датчиками,
які змонтовані зовні з'єднувального кабеля
гратки і мають здатність працювати з
обертом на 360 градусів на глибині більше 35 м;
Примітка. Здатність до модифікації в цьому пунктівизначає наявність пристрою для вимірюван-
ня глибини,який регулюється чи витягується.
7.1.11.1.2.2.5.з неметалевими підсилювальними елемен- 901580930тами або з'єднуювальним кабелем з поз-
довжнім підсиленням кабелю; .1.11.1.2.2.6.з діаметром гідрофонної гратки в зібра- 901580930
ному вигляді менше 40 мм; .1.11.1.2.2.7.з щільним груповим сигналом гідрофону; 901580930
7.1.11.1.2.2.8.з характеристиками гідрофону, зазна- 901580930ченими в пунктах 7.1.11.1.2.1.1. -
7.1.11.1.2.1.7. .1.11.1.2.3. апаратура оброблення сигналів, спеціально 901580930
розроблена для акустичних гідрофонних
граток, з одною з таких характеристик:
швидке перетворення Фур'є або інші пе-
ретворення даних за 1024 або більше
точками менше 20 мс без можливості прог-
рамування користувачем;
оброблення в часовій або частотній межі
та кореляцією, включаючи спектральний
аналіз, цифрову фільтрацію та формування
променя із застосуванням швидкого перет-
ворення Фур'є чи інших перетворень або
процесів з можливістю програмування ко-
ристувачем .1.11.2. Наземні геофони, які мають здатність до 901580930
перетворення в морські системи, обладнання
або спеціально розроблені компоненти, заз-
начені у пункті 7.1.11.1.2.1. .1.11.3. Апаратура на лагах для кореляційного вимі- 901580930
рювання горизонтальної складової швидкості
відносно морського дна на відстані між
носієм та дном більше 500 м
7.2. Програмне забезпечення і технологія
7.2.1. Конструкція і технологія розроблення, вироб- 490199000ництва та використання акселерометрів, які 490600000
призначені для використання в інерційних на-
вігаційних системах або системах наведення
та мають одну з таких характеристик і спе-
ціально призначені для них компоненти:
стабільність зміщення відносно фіксованого
прокаліброваного значення протягом одного
року менше 130 мікро g;
стабільність "масштабного фактора" віднос-
но фіксованого прокаліброваного значення
протягом одного року менше 130 ppm;
призначені для роботи при рівнях лінійного
прискорення понад 100 g
7.2.2. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не або модифіковане для проектування чи ви- 852422100
робництва акселерометрів, призначених для 852423100
використання в інерційних навігаційних сис- 852490100
темах або системах наведення, та спеціально 852490900
призначених для них компонентів, зазначених
у пункті 7.1.1.
7.2.3. Конструкція і технологія розроблення, вироб- 490199000ництва та використання гірокомпасів та інших 490600000
пристроїв, які розраховують положення або
орієнтацію за допомогою автоматично відстежу-
ваних небесних тіл і супутників з точністю
азимута, що дорівнює або менша 5 секунд дуги
7.2.4. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не або модифіковане для проектування чи ви- 852422100
робництва гірокомпасів та інших пристроїв, 852423100
зазначених у пункті 7.1.2. 852490100
852490900
7.2.5. Конструкція і технологія розроблення, вироб- 490199000ництва та використання радіопеленгаційного 490600000
обладнання, яке працює на частотах понад
30 МГц, має такі характеристики та спеціаль-
но призначені для нього вироби
миттєва ширина смуги частот 1 МГц або
більше;
паралельне оброблення понад 1000 результа-
тів пеленгації на секунду і на частотний
канал
7.2.6. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не або модифіковане для проектування чи ви- 852422100
робництва радіопеленгаційного обладнання та 852423100
спеціально призначених для нього виробів, 852490100
зазначених у пункті 7.1.3. 852490900
7.2.7. Конструкція і технологія виробництва борто- 490199000вих альтиметрів, які діють на частотах, 490600000
відмінних від 4,2 до 4,4 ГГц включно, і ма-
ють одну з таких характеристик:
керування потужністю;
які використовують амплітудну модуляцію із
змінною фазою
7.2.8. Програмне забезпечення для проектування або 852421100виробництва бортових альтиметрів, зазначених 852422100
у пункті 7.1.4. 852423100
852490100
852490900
7.2.9. Конструкція і технологія виробництва гіроско- 490199000пів, які мають характеристики, зазначені у 490600000
пункті 7.1.5.
7.2.10. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не або модифіковане для проектування чи ви- 852422100
робництва гіроскопів, які мають характерис- 852423100
тики, зазначені в пункті 7.1.5. 852490100
852490900
7.2.11. Конструкція і технологія виробництва інер- 490199000ційних навігаційних систем (платформних і 490600000
безплатформних) та інерційного обладнання,
зазначеного в пункті 7.1.6. .2.12. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування чи ви- 852422100
робництва інерційних навігаційних систем та 852423100
інерційного обладнання, зазначеного у пункті 852490100
7.1.6. 852490900
7.2.13. Конструкція і технологія виробництва прий- 490199000мальної апаратури та спеціально розроблених 490600000
компонентів глобальної супутникової навіга-
ційної системи, зазначених у пункті 7.1.7.
7.2.14. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не або модифіковане для проектування чи ви- 852422100
робництва приймальної апаратури і спеці- 852423100
ально розроблених компонентів глобальної су- 852490100
путникової системи, зазначених у пункті 852490900
7.1.7.
7.2.15. Програмне забезпечення для використання в 852421100будь-якому інерційному навігаційному облад- 852422100
нанні та в системі визначення курсового пря- 852423100
мування літака в повітрі (крім платформної 852490100
системи визначення положення літака в 852490900
повітрі)
Примітка. Система визначення положення курсового пря-мування літака в повітрі відрізняється від
інерційної навігаційної системи (ІНС) тим,
що система визначення кутового (курсового)
положення літака в повітрі забезпечує інфор-
мацією про прямування та не забезпечує
інформацією про прискорення, швидкість та по-
ложення (координату), яка знімається з ІНС.
7.2.16. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не або модифіковане для поліпшення діючих 852422100
характеристик чи зменшення навігаційної по- 852423100
милки інерційних навігаційних систем 852490100
(платформних і безплатформних) та інерційно- 852490900
го обладнання для визначення місцезнаходжен-
ня, наведення та керування до рівнів, зазна-
чених у пункті 7.1.6.
7.2.17. Вихідна програма для гібридних комплексних 852421100систем, яка поліпшує діючі характеристики 852422100
або зменшує навігаційну помилку систем до 852423100
0,8 морської милі на годину та менше при 852490100
комбінуванні (сполученні) інерційних даних з 852490900
будь-якими з таких навігаційних даних:
доплерівським визначенням (радара) швид-
кості;
глобальною супутниковою навігаційною сис-
темою визначення місцезнаходження;
базою даних про місцевість
7.2.18. Конструкція і технологія розроблення, вироб- 490199000ництва та використання обладнання для випро- 490600000
бування, калібрування та виставлення:
спеціально розробленого для виробів, заз-
начених у пунктах 7.1.4. - 7.1.7., за
винятком обладнання, призначеного для
технічного обслуговування;
обладнання, спеціально призначеного для
встановлення характеристик лазерних гірос-
копів:
радіолокаційні рефлектометри, які мають
точність виміру 10 ppm або менше;
профілометри, які мають точність виміру
0,5 нм
обладнання, спеціально призначеного для ви-
робництва виробів та обладнання, що конт-
ролюється пунктом 7.1.2., включаючи:
стенди для випробування і настроєння
гіроскопів;
стенди для динамічного балансування
гіроскопів;
стенди для випробування пускових моторів
гіроскопів;
стенди для відкачування та заповнення
гіроскопів;
центробіжні затискачі для опор (підшип-
ників) гіроскопів;
стенди для центрування осей акселеро-
метрів
7.2.19. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не або модифіковане для проектування чи ви- 852422100
робництва обладнання для випробування, 852423100
калібрування та виставлення, зазначеного у 852490100
пункті 7.1.8. 852490900
7.2.20. Конструкція і технологія виробництва системпідводного нагляду .2.20.1. Конструкція і технологія виробництва телеві- 490199000
зійних систем (включаючи камеру, освітлюваль- 490600000
ні прилади, обладнання моніторингу та пере-
давання сигналу), які мають роздільну здат-
ність більше 500 ліній під час вимірювання
її у повітряному середовищі, а також те-
левізійних систем, спеціально спроектованих
або модифікованих для дистанційного керування
підводним судном .2.20.2. Конструкція і технологія виробництва підвод- 490199000
них телекамер, які мають роздільну здатність 490600000
більше 700 ліній під час вимірювання
розділення в повітряному середовищі .2.20.3. Конструкція і технологія виробництва систем, 490199000
спеціально спроектованих або модифікованих 490600000
для дистанційного керування підводним суд-
ном, у яких використовуються засоби
мінімізації ефектів зворотного розсіювання,
включаючи РЛС випромінювання у вузькому діа-
пазоні або лазерні системи .2.20.4. Конструкція і технологія виробництва телеві- 490199000
зійних камер, які призначені для зйомки 490600000
об'єктів з низьким рівнем освітленості,
спеціально спроектовані або модифіковані для
використання під водою, мають трубки з
мікроканальним підсилювачем зображення, заз-
начені у пункті 6.1.2.1.2.1., і більше
150000 активних каналів на площі твердотіль-
ного приймача .2.20.5. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва чи використання систем підводного 852423100
спостереження,зазначених у пунктах 7.1.9.1.- 852490100
7.1.9.4. 852490900
7.2.20.6. Конструкція і технологія виробництва фото- 490199000діапозитивних камер, спеціально спроектова- 490600000
них або модифікованих для підводного вико-
ристання, зазначених у пункті 7.1.9.5. .2.20.7. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва чи використання фотодіапозитивних ка- 852423100
мер, зазначених у пункті 7.1.9.5. 852490100
852490900
7.2.20.8. Конструкція і технологія виробництва елект- 490199000ронних систем спостереження,спеціально спро- 490600000
ектованих або модифікованих для підводного
використання, здатних зберігати в цифровій
формі більше 50 експонованих кадрів .2.20.9. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування,вироб- 852422100
ництва чи використання електронних систем 852423100
спостереження, зазначених у пункті 7.1.9.6. 852490100
852490900
7.2.21. Конструкція і технологія виробництва системпідсвічування, спеціально спроектованих або
модифікованих для використання під водою: .2.21.1. Стробоскопічних світлових систем з енергією 490199000
виходу більше 300 Дж в одному сполосі; 490600000
7.2.21.2. Аргонодугових світлових систем, спеціально- 490199000спроектованих для використання під водою на 490600000
глибинах нижче 1000 м; .2.21.3. Програмне забезпечення, спеціально спроекто- 852421100
ване або модифіковане для проектування, ви- 852422100
робництва чи використання систем підсвічу- 852423100
вання, зазначених у пункті 7.1.10. 852490100
852490900
7.2.22. Конструкція і технологія виробництва акус-тичної апаратури, обладнання та систем .2.22.1. Конструкція і технологія виробництва мор- 490199000
ських акустичних систем, апаратури або спе- 490600000
ціально розроблених компонентів: .2.22.1.1.конструкція і технологія виробництва актив-
них ( що передають чи передають та прийма-
ють) акустичних систем, обладнання або
спеціально розроблених компонентів:
Примітка. Експортний контроль за пунктом 7.2.22.1.1.не поширюється на конструкцію і технологію
виробництва звукових вимірювачів глибини
вертикальної дії без сканування променя в
межах понад +(-)10 градусів, які мають обмежене
використання для вимірювання глибини або
відстані до зануреного чи заглибленого
об'єкта, а також косяків риби. .2.22.1.1.1. конструкція і технологія виробництва широ-
кооглядових акустичних систем морського
картографування, розроблених:
для вимірювання при кутах відхилення від
вертикалі більше 10 градусів та вимірювання
глибин більше 600 м від поверхні води;
для використання набору променів, кожний з
яких не ширший 2 градусів або для забезпе-
чення точності вимірів краще 0,5 відсотка
глибини води, одержаної усередненням окре-
мих вимірів; .2.22.1.1.2. конструкція і технологія виробництва акус-
тичних систем знаходження або визначення
місцезнаходження об'єкта, які мають одну з
таких характеристик:
робочу частоту менше 10 кГц;
рівень звукового тиску більше 224 дБ
(1 мкПА на 1 м) для апаратури з робочою
частотою в діапазоні від 10 до 24 кГц;
рівень звукового тиску більше 235 дБ
(1 мкПА на 1 м) для апаратури з робочою
частотою в діапазоні від 24 до 30 кГц;
формування променя, вужчого 1 градуса, на
будь-якій осі та робочу частоту нижче
100 кГц;
розроблені для нормального функціонування
на глибинах більше 1000 м та які мають пе-
редавач з однією з таких характеристик:
динамічно налагоджується під тиск;
має випромінювальний елемент, відмінний
від титанату цирконату;
розроблений для вимірювання відстані до
об`єктів більше 5120 м; .2.22.1.1.3. конструкція і технологія виробництва акус-
тичних прожекторів, що мають випромінювачі
з п'єзоелектричними, магнітострикційними,
електрострикційними, електродинамічними або
гідравлічними елементами, які функціонують
незалежно або в сукупності та мають одну з
таких характеристик:
щільність миттєво випромінюваної акустичної
потужності перевищує 0,01 мВт/(кв.мм.Гц)
для приладів, які працюють на частотах
нижче 10 кГц ;
щільність безперервно випромінюваної
акустичної потужності перевищує
0,001 мВт/(кв.мм.Гц) для приладів, які
працюють на частотах нижче 10 кГц;
проектне призначення для нормального
функціонування на глибинах більше 1000 м;
здатність подавлення бокових пелюсток
більше 22 дБ;
Примітка. Експортний контроль за пунктом7.2.22.1.1.3. не поширюється на конструкцію
і технологію виробництва електронних джерел
тільки з вертикальним акустичним випроміню-
ванням, механічних (наприклад, повітряні або
парові рушниці) або хімічних (наприклад, ви-
бухові) джерел.
7.2.22.1.1.4. конструкція і технологія виробництва акус-тичних систем, апаратури або спеціально роз-
роблених компонентів для визначення положення
надводних або підводних суден, розроблених:
для роботи на дистанції більше 1000 м з
точністю позиціювання менше 10 м під час
вимірювання на відстані 1000 м;
для роботи на глибинах більше 1000 м; римітка. Пункт 7.2.22.1.1.4. включає конструкцію і
технологію виробництва апаратури з вико-
ристанням когерентного оброблення сигналів
між двома або більше маяками та гідрофон-
ного пристрою надводних та підводних суден
чи апаратури,що має здатність автокорекції
похибки швидкості поширення звуку.
7.2.22.1.2 конструкція і технологія виробництва пасив-них (приймають у штатному режимі незалежно
від зв'язку з активною апаратурою) акус-
тичних систем, апаратури або спеціально
розроблених компонентів: .2.22.1.2.1. конструкція і технологія виробництва гід-
рофонів (перетворювачів): .2.22.1.2.1.1. конструкція і технологія гідрофонів (пе-
ретворювачів), які містять гнучкі датчики
безперервної дії чи збірки датчиків диск-
ретної дії з діаметром або довжиною менше
20 мм та відстанню між елементами менше
20 мм; .2.22.1.2.1.2. конструкція і технологія виробництва гідро-
фонів (перетворювачів), що мають будь-які
з таких чутливих елементів:
оптоволоконний;
п'єзоелектричний полімерний;
п'єзоелектричний з гнучкої кераміки; .2.22.1.2.1.3. конструкція і технологія виробництва гідро-
фонів (перетворювачів), що мають гідроз-
вукову чутливість краще -180 дБ на будь-
якій глибині, без компенсації прискорення; .2.22.1.2.1.4. конструкція і технологія виробництва гідро-
фонів (перетворювачів), розроблених для
глибин не більше 35 м, з гідрозвуковою
чутливістю краще -180 дБ та компенсацією
прискорення; .2.22.1.2.1.5. конструкція і технологія виробництва гідро-
фонів (перетворювачів), розроблених для
нормальної роботи на глибинах більше 35 м,
з гідрозвуковою чутливістю краще -192 дБ
та компенсацією прискорення; .2.22.1.2.1.6. конструкція і технологія виробництва гідро-
фонів (перетворювачів), розроблених для
нормальної роботи на глибинах більше 100 м,
з гідрозвуковою чутливістю краще -204 дБ; .2.22.1.2.1.7. конструкція і технологія виробництва гідро-
фонів (перетворювачів), розроблених для
роботи на глибинах більше 1000 м; .2.22.1.2.2. конструкція і технологія виробництва, акус-
тичних і гідрофонних граток, які буксиру-
ються:
з розміщенням гідрофонів менше 12,5 м у
гратці;
з розміщенням гідрофонної групи від 12,5
до 25 м, розробленої або здатної бути
модифікованою для роботи на глибині
більше 25 м;
з розміщенням гідрофонної групи на
відстані 25 м або більше, розробленої
для роботи на глибині більше 100 м;
розроблених або здатних бути модифікова-
ними для глибин більше 35 м з головними
датчиками, увімкнутими в з'єднувальний
кабель гратки, які мають точність краще
+(-)0,5 градуса, або датчиками, які змонто-
вані зовні з'єднувального кабеля гратки
і мають здатність працювати з обертом на
360 градусів на глибині більше 35 м;
з неметалевими підсилювальними елемента-
ми або з'єднувальним кабелем з поз-
довжнім підсиленням кабелю;
з діаметром гідрофонної гратки в зібраному
вигляді менше 40 мм;
з щільним груповим сигналом гідрофону;
з характеристиками гідрофону, зазначеними
в пунктах 7.1.11.1.2.1.1 - 7.1.11.1.2.1.7. .2.22.1.2.3. конструкція і технологія виробництва апара-
тури оброблення сигналів, спеціально розроб-
леної для акустичних гідрофонних граток, з
одною з таких характеристик:
швидким перетворенням Фур`є або іншими пе-
ретвореннями даних за 1024 або більше точ-
ками менше 20 мс без можливості програму-
вання користувачем;
обробленням у часовій або частотній межі
та кореляцією, включаючи спектральний ана-
ліз, цифрову фільтрацію та формування про-
меня із застосуванням швидкого перетворен-
ня Фур'є чи інших перетворень або процесів
з можливістю програмування користувачем .2.22.2. Спеціально розроблене програмне забезпечення 852421100
для формування акустичного променя, оброб- 852422100
лення в реальному масштабі часу акустичних 852423100
даних під час пасивного приймання із застосу- 852490100
ванням шлангових гідрофонних граток 852490900
7.2.22.3. Програмне забезпечення для оброблення в 852421100реальному масштабі часу акустичних даних для 852422100
пасивного приймання із застосуванням шланго- 852423100
вих гідрофонних граток 852490100
852490900
7.2.22.4. Конструкція і технологія виробництва назем-них геофонів, які мають здатність до перет- 490199000
ворення в морські системи, обладнання або 490600000
спеціально розроблених компонентів, зазна-
чених у пункті 7.1.11.2. .2.22.5. Конструкція і технологія виробництва апа- 490199000
ратури на лагах для кореляційного вимірю- 490600000
вання горизонтальної складової швидкості
відносно морського дна на відстані між
носієм та дном більше 500 м
Розділ 8. МОРСЬКІ ТРАНСПОРТНІ ЗАСОБИ
8.1. Вироби, обладнання і компоненти
8.1.1. Підводні апарати або надводні судна
8.1.1.1. Підводні апарати, що пілотуються людиною або 890600910керуються за допомогою дротів, спроектовані
для операцій на глибинах понад 1000 м .1.1.2. Підводні апарати, що пілотуються людиною і
не керуються за допомогою дротів: .1.1.2.1. спроектовані для автономного плавання і 890600910
мають характеристику за підйомною силою 10
відсотків або більше їх власної ваги (ваги
у повітрі) чи 15 кН або більше;
Примітки: 1. Під час автономного плавання апарат цілкомзанурюється без шнорхелю, всі системи функ-
ціонують і забезпечують плавання з міні-
мальною швидкістю, при якій занурення може
безпечно керуватися (з урахуванням не-
обхідної динаміки за глибиною занурення) з
використанням тільки глибинних стерен, без
участі надводних суден підтримання або бази
(берегової або корабля-матки), апарат має
рушійну систему для руху в зануреному або
надводному стані.
2. Підйомна сила задається для корисного наван-
таження без урахування маси екіпажу.
8.1.1.2.2. спроектовані для плавання на глибинах понад 8906009101000 м; .1.1.2.3. спроектовані для екіпажу з 4 і більше чоло- 890610910
вік і призначені для автономного плавання
протягом 10 годин і більше, що мають радіус
дії 25 морських миль або більше і довжину
21 м або менше;
Примітка. Радіус дії дорівнює половині максимальноївідстані, яку апарат може подолати в зануре-
ному стані.
8.1.1.3. Підводні апарати, що не пілотуються людиною,а керуються за допомогою дротів, спроекто-
вані для плавання на глибинах понад 1000 м: .1.1.3.1. спроектовані для самохідного маневру, що 890600910
використовують двигуни та прискорювачі, заз-
начені у пункті 8.1.2.1.2.; .1.1.3.2. які мають оптоволоконні лінії обміну даними 890600910
8.1.1.4. Підводні апарати, що не пілотуються людиноюі не керуються за допомогою дротів: .1.1.4.1. спроектовані для вирішення завдань досягнен- 890600910
ня (прокладання курсу) будь-якого географіч-
ного орієнтира без участі людини у реальному
масштабі часу; .1.1.4.2. які мають канал передачі акустичних даних 890600910
або команд; .1.1.4.3. які мають волоконно-оптичну лінію передачі 890600910
даних або лінію передачі команд понад 1000 м .1.1.5. Океанські системи рятування з підйомною си-
лою понад 5 МН для рятування об'єктів з гли-
бини понад 250 м, які мають одну з таких ха-
рактеристик: .1.1.5.1. системи динамічного керування положенням, 890590100
здатні стабілізуватися у межах (усередині) 890600910
20 м відносно заданої точки, яка фіксується
навігаційною системою; .1.1.5.2. системи придонної навігації та навігаційної 890590100
інтеграції для глибин, що перевищують 1000 м, 890600910
з точністю забезпечення положення у межах
(усередині) 10 м відносно заданої точки .1.1.6. Судна з поверхневим ефектом (з повністю 890600910
змінюваною поверхневою конфігурацією)
з максимальною проектною швидкістю 30 вуз-
лів при повному завантаженні і висоті хви-
лі 1,25 м (Морська стаття 3) або більше;
з амортизаційним тиском понад 3830 Па і
відношенням водотоннажності незавантажено-
го і повнозавантаженого судна менше 0,7 .1.1.7. Судна з поверхневим ефектом (з незмінюваною 890600910
поверхневою конфігурацією) з максимальною
проектною швидкістю понад 40 вузлів при пов-
ному завантаженні і висоті хвилі 3,25 м
(Морська стаття 5) або більше .1.1.8. Судна з гідрокрилом і активними системами 890600910
для автоматичного керування крилом з макси-
мальною проектною швидкістю 40 вузлів або
більше при повному завантаженні і висоті
хвилі 3,25 м (Морська стаття 5) або більше .1.1.9. Судна на невеликому підводному крилі з:
8.1.1.9.1. водотоннажністю при повному завантаженні по- 890600910над 500 т, максимальною проектною швидкістю
понад 35 вузлів при повному завантаженні і
висоті хвилі 3,25 м (Морська стаття 5) або
більше; .1.1.9.2. водотоннажністю при повному завантаженні по- 890600910
над 1500 т, максимальною проектною швидкістю
понад 25 вузлів при повному завантаженні і
висоті хвилі 4 м (Морська стаття 6) або
більше
Примітка. Судно на невеликому підводному крилі визна-чається такою формулою : площа цього крила
при відомому значенні водотоннажності при
операційній проектній осадці менше 2 .V2/3
(де V - водотоннажність при операційній про-
ектній осадці). .1.2. Системи та обладнання для транспортних
засобів .1.2.1. Системи та обладнання, спеціально спроек-
товані або модифіковані для підводних су-
ден, призначених для плавання на глибинах,
понад 1000 м: .1.2.1.1. приміщення під тиском або корпуси під тис- 890590100
ком з максимальним внутрішнім діаметром ка- 890600900
мери понад 1,5 м; .1.2.1.2. електродвигуни постійного струму або тягові 850133910
двигуни; 850134500
850134990
8.1.2.1.3. кабельні роз'єднувачі та з'єднувачі, в тому 854800000числі ті, які використовують оптоволокно і 901390000
мають силові елементи із синтетичних матері-
алів .1.2.2. Системи, спеціально спроектовані або моди- 901480000
фіковані для автоматичного керування рухом
підводних суден, зазначених у пунктах
8.1.1.- 8.1.1.5.2.,які використовують наві-
гаційні дані та мають замкнені із зворотним
зв'язком сервоконтролюючі засоби: .1.2.2.1. здатні керувати рухом судна в межах (усере- 901480000
дині) 10 м відносно заданої точки водяного
стовпа; .1.2.2.2. які дають змогу підтримувати положення судна 901480000
у межах (усередині) 10 м відносно заданої
точки водяного стовпа; .1.2.2.3. які дають змогу підтримувати положення судна 901480000
у межах (усередині) 10 м під час руху на
морському судні-матці або на тросі (кабелі)
під ним .1.2.3. Оптоволоконні корпусні роз'єднувачі або 901390000
з'єднувачі, спеціально спроектовані для ви-
користання під водою .1.2.4. Окрайки корпусу, ущільнення та висувні еле-
менти, які мають такі характеристики: .1.2.4.1. спроектовані для зовнішніх тисків у 3830 Па 847990980
або більше, функціонують при висоті хвилі 890600910
1,25 м (Морська стаття 3) або більше і
спеціально спроектовані для суден з поверх-
невим ефектом (повністю змінюваною поверхне-
вою конфігурацією), зазначених у пункті
8.1.1.6.; .1.2.4.2. спроектовані для зовнішніх тисків у 6224 Па 847990980
або більше, функціонують при висоті хвилі 890600910
3,25 м (Морська стаття 5) або більше і
спеціально спроектовані для суден з поверх-
невим ефектом (незмінюваною поверхневою
конфігурацією), зазначених у пункті 8.1.1.7. .1.2.5. Повністю занурювані підкавітаційні або су- 847990980
перкавітаційні гідрокрила суден, зазначених 890600910
у пункті 8.1.1.8. .1.2.6. Активні системи компенсації руху морського 847990980
середовища, спеціально спроектовані або мо- 890600910
дифіковані для забезпечення, автоматичного
керування човнами або суднами, зазначеними
у пунктах 8.1.1.6. - 8.1.1.9.
8.1.3. Гідроканали, які мають шумовий фон менше 903120000100 дБ (еталон-1мкПа, 1 Гц) в частотному
діапазоні від 0 до 500 Гц, спроектовані для
вимірювання акустичних полів, згенерованих
гідропотоком навколо моделей системи рушія
8.1.4. Вимірювально-інформаційні системи, що пра- 903120000цюють у реальному масштабі часу, інструменти
(з датчиками включно) або автоматичні нако-
пичувачі даних,спеціально розроблені для ви-
користання у таких аеродинамічних трубах або
обладнанні:
у пристроях для моделювання набігаючого по-
току з числами Маха,що перевищують 5,вклю-
чаючи теплові, плазмово-дугові та ударні
аеродинамічні труби, а також аеродинамічні
труби з газовим поршнем та газові гармати;
в аеродинамічних трубах або обладнанні,
відмінних від двовимірних, здатних моделю-
вати обтікання потоками за чисел Рейнольд-
са вище 25.106
8.1.5 Датчики, спеціально розроблені для безпо- 902510990середнього вимірювання поверхневого тертя на
стінці у потоці з температурою гальмування
вище 833 К (560град.C)
8.1.6. Роботи, спеціально спроектовані для підвод-ного застосування, керовані з використанням
програмно-керованої спеціалізованої ЕОМ .1.6.1. Роботи, що мають системи керування із зас- 847989500
тосуванням інформації від датчиків, які вимі-
рюють зусилля, прикладене до зовнішнього
об'єкта, момент обертання, відстань до
зовнішнього об'єкта або контактну (тактильну)
взаємодію між роботом та зовнішнім об'єктом; .1.6.2. Роботи, здатні створювати зусилля в 250 Н 847989500
або більше, чи момент обертання 250 Н.м або
більше, та які використовують в елементах
конструкції сплави на основі титану або во-
локонні чи ниткоподібні композиційні ма-
теріали;
8.1.7. Дистанційно керовані шарнірні маніпулятори,спеціально спроектовані або модифіковані
для використання з підводними суднами: .1.7.1. Маніпулятори, які мають системи, що вико- 847989500
ристовують інформацію від датчиків, які
вимірюють зусилля прикладені до зовнішнього
об'єкта, момент обертання або контактну
(тактильну) взаємодію між маніпулятором та
зовнішнім об'єктом .1.7.2. Маніпулятори, керовані засобами пропорційно- 847989500
ційного керування "ведучий-ведений" або із
застосуванням програмно-керованої спеціалі-
зованої ЕОМ та ті, що мають п'ять або біль-
ше ступенів свободи руху
Примітка. Під час визначення кількості ступенів сво-боди руху до розрахунку беруться тільки
функції, які мають пропорційне керування з
використанням позиційного зворотного зв'яз-
ку або з використанням програмного комп'ю-
тера, забезпеченого бібліотекою програм.
8.2. Програмне забезпечення і технологія
8.2.1. Конструкція і технологія виробництва, капі-тального ремонту та відновлення чистоти по-
верхні підводних апаратів або надводних суден .2.1.1. Конструкція і технологія виробництва, капі- 490199000
тального ремонту та відновлення чистоти 490600000
поверхні підводних апаратів, що пілотуються
людиною або керуються за допомогою дротів,
спроектованих для операцій на глибинах понад
1000 м .2.1.2. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва чи використання підводних апаратів, 852423100
зазначених у пункті 8.1.1.1. 852490910
852490990
8.2.1.3. Конструкція і технологія виробництва, капі- 490199000тального ремонту та відновлення чистоти по- 490600000
верхні підводних апаратів, що пілотуються
людиною і не керуються за допомогою дротів:
спроектованих для автономного плавання і
мають характеристику за підйомною силою 10
відсотків або більше їх власної ваги (ваги
у повітрі) чи 15 кН або більше;
спроектованих для плавання на глибинах,
понад 1000 м;
спроектованих для екіпажу з 4 або більше
чоловік і призначених для автономного пла-
вання протягом 10 годин або більше, що ма-
ють радіус дії 25 морських миль або більше
і довжину 21 м або менше
Примітки: 1. Під час автономного плавання апарат цілкомзанурюється без шнорхеля, всі системи
функціонують і забезпечують плавання з
мінімальною швидкістю, при якій занурення
може безпечно керуватися (з урахуванням не-
обхідної динаміки за глибиною занурення) з
використанням тільки глибинних стерен, без
участі надводних суден підтримання або бази
(берегової чи судна-матки), апарат має
рушійну систему для руху в зануреному або
надводному стані.
2. Підйомна сила задається для корисного на-
вантаження без урахування маси екіпажу.
3. Радіус дії дорівнює половині максимальної
відстані, яку апарат може подолати в зану-
реному стані.
8.2.1.4. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва чи використання підводних апаратів, 852423100
зазначених у пункті 8.1.1.2. 852490910
852490990
8.2.1.5. Конструкція і технологія виробництва, капі- 490199000тального ремонту та відновлення чистоти по- 490600000
верхні підводних апаратів, що не пілотуються
людиною, а керуються за допомогою дротів:
спроектованих для плавання на глибинах,
понад 1000 м;
призначених для самохідного маневру, вико-
ристовуючи двигуни та прискорювачі, зазна-
чені у пункті 8.1.2.1.2.; або
мають оптоволоконні лінії обміну даними .2.1.6. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва чи використання підводних апаратів, 852423100
зазначених у пункті 8.1.1.3. 852490910
852490990
8.2.1.7. Конструкція і технологія виробництва, капі- 490199000тального ремонту та відновлення чистоти по- 490600000
верхні підводних апаратів, що не пілотуються
людиною і не керуються за допомогою дротів:
спроектованих для вирішення завдань досяг-
нення (прокладання курсу) будь-якого геог-
рафічного орієнтира без участі людини у
реальному масштабі часу;
які мають канал передачі акустичних даних
або команд;
які мають оптоволоконну лінію передачі да-
них або лінію передачі команд понад 1000 м .2.1.8. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва чи використання на підводних апара- 852423100
тах, що пілотуються людиною і не керуються 852490910
за допомогою дротів, зазначених у пункті 852490990
8.1.1.4. .2.1.9. Конструкція і технологія виробництва, капі- 490199000
тального ремонту та відновлення чистоти по- 490600000
верхні океанських систем рятування з підйом-
ною силою понад 5 МН для рятування об'єктів
з глибини більше 250 м, які мають одну з та-
ких характеристик:
системи динамічного керування положенням,
здатні стабілізуватися у межах (усередині)
20 м відносно заданої точки, яка фіксуєть-
ся навігаційною системою;
системи придонної навігації та навігацій-
ної інтеграції для глибин, що перевищують
1000 м, з точністю забезпечення положення
у межах (усередині) 10 м відносно заданої
точки .2.1.10. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва чи використання океанських систем ря- 852423100
тування, які мають характеристики, зазначені 852490910
у пункті 8.1.1.5. 852490990
8.2.1.11. Конструкція і технологія виробництва, капі- 490199000тального ремонту та відновлення чистоти по- 490600000
верхні суден з поверхневим ефектом (з пов-
ністю змінюваною поверхневою конфігурацією)
з максимальною проектною швидкістю 30
вузлів при повному завантаженні і висоті
хвилі 1,25 м (Морська стаття 3) або більше,
з амортизаційним тиском понад 3830 Па і
відношенням водотоннажності незавантажено-
го і повнозавантаженого судна менше 0,7 .2.1.12. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва чи використання суден, зазначених у 852423100
пункті 8.1.1.6. 852490910
852490990
8.2.1.13. Конструкція і технологія виробництва, капі- 490199000тального ремонту та відновлення чистоти по- 490600000
верхні суден з поверхневим ефектом (з
незмінюваною поверхневою конфігурацією) з
максимальною проектною швидкістю 40 вузлів
або більше при повному завантаженні і висоті
хвилі 3,25 м (Морська стаття 5) або більше .2.1.14. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, ви- 852422100
робництва чи використання суден, зазначених 852423100
у пункті 8.1.1.7. 852490910
852490990
8.2.1.15. Конструкція і технологія виробництва, капі- 490199000тального ремонту та відновлення чистоти по- 490600000
верхні суден з гідрокрилом і активними сис-
темами для автоматичного керування крилом з
максимальною проектною швидкістю 40 вузлів
або більше при повному завантаженні і висоті
хвилі 3,25 м ( Морська стаття 5) або більше .2.1.16. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва чи використання суден, зазначених у 852423100
пункті 8.1.1.8. 852490910
852490990
8.2.1.17. Конструкція і технологія виробництва, капі- 490199000тального ремонту та відновлення чистоти по- 490600000
верхні суден на невеликому підводному
крилі з:
водотоннажністю при повному завантаженні
понад 500 т, максимальною проектною швид-
кістю понад 35 вузлів при повному заванта-
женні і висоті хвилі 3,25 м (Морська стат-
тя 5) або більше;
водотоннажністю при повному завантаженні
понад 1500 т, максимальною проектною
швидкістю понад 25 вузлів при повному за-
вантаженні і висоті хвилі 4 м (Морська
стаття 6) або більше .2.1.18. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва чи використання суден, зазначених у 852423100
пункті 8.1.1.9. 852490910
852490990
8.2.2. Конструкція і технологія виробництва системта обладнання для транспортних засобів .2.2.1. Конструкція і технологія виробництва систем 490199000
та обладнання, спеціально спроектованих або 490600000
модифікованих для підводних суден, призначе-
них для плавання на глибинах понад 1000 м:
приміщень під тиском або корпусів під тис-
ком з максимальним внутрішнім діаметром
камери понад 1,5 м;
електродвигунів постійного струму або тя-
гових двигунів;
кабельних роз'єднувачів та з'єднувачів, у
тому числі таких, які використовують опто-
волокно і мають силові елементи із синте-
тичних матеріалів .2.2.2. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва чи використання систем та обладнання, 852423100
зазначених у пункті 8.1.2.1. 852490910
852490990
8.2.2.3. Конструкція і технологія виробництва систем, 490199000спеціально спроектованих або модифікованих 490600000
для автоматичного керування рухом підводних
суден, зазначених в пунктах 8.1.1.-
8.1.1.5.2., які використовують навігаційні
дані та мають замкнені із зворотним зв'язком
сервоконтролюючі засоби:
здатні керувати рухом судна в межах (усе-
редині) 10 м відносно заданої точки водя-
ного стовпа;
які дають змогу підтримувати положення
судна у межах (усередині) 10 м відносно
заданої точки водяного стовпа;
які дають змогу підтримувати положення
судна у межах (усередині) 10 м під час ру-
ху на морському судні-матці або на тросі
(кабелі) під ним .2.2.4. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, ви- 852422100
робництва чи використання систем, зазначе- 852423100
них у пункті 8.1.2.2. 852490910
852490990
8.2.2.5. Конструкція і технологія виробництва опто- 490199000волоконних корпусних роз'єднувачів або 490600000
з'єднувачів, спеціально спроектованих для
використання під водою .2.2.6. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, ви- 852422100
робництва чи використання систем оптоволо- 852423100
конних корпусних роз'єднувачів або з'єдну- 852490910
вачів, спеціально спроектованих для ви- 852490990
користання під водою .2.2.7. Конструкція і технологія виробництва окрай- 490199000
ків, корпусів, ущільнень та висувних еле- 490600000
ментів, які мають такі характеристики:
спроектовані для зовнішних тисків у 3830 Па
або більше, функціонують при висоті хвилі
1,25 м (Морська стаття 3) або більше і
спеціально спроектовані для суден з по-
верхневим ефектом (повністю змінюваною по-
верхневою конфігурацією), зазначених у
пункті 8.1.1.6.;
спроектовані для зовнішних тисків у 6224 Па
або більше, функціонують при висоті хвилі
3,25 м (Морська стаття 5) або більше і
спеціально спроектовані для суден з по-
верхневим ефектом (незмінюваною поверхне-
вою конфігурацією), зазначених у пункті
8.1.1.7. .2.2.8. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва чи використання окрайків,корпусів, 852423100
ущільнень та висувних елементів з характе- 852490910
ристиками, зазначеними у пункті 8.1.2.4. 852490990
8.2.2.9. Конструкція і технологія виробництва пов-ністю занурюваних підкавітаційних або су- 490199000
перкавітаційних гідрокрил суден, зазначених 490600000
у пункті 8.1.1.8. .2.2.10. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, ви- 852422100
робництва чи використання гідрокрил, заз- 852423100
начених у пункті 8.1.2.5. 852490910
852490990
8.2.2.11. Конструкція і технологія виробництва актив- 490199000них систем компенсації руху морського сере- 490600000
довища, спеціально спроектованих або мо-
дифікованих для забезпечення, автоматичного
керування човнами або суднами, зазначеними у
пунктах 8.1.1.6.- 8.1.1.9. .2.2.12. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва чи використання систем, зазначених у 852423100
пункті 8.1.2.6. 852490910
852490990
8.2.3. Конструкція і технологія виробництва гідро- 490199000каналів, які мають шумовий фон менше 100 дБ 490600000
(еталон-1мкПа, 1 Гц) в частотному діапазоні
від 0 до 500 Гц, спроектованих для вимірю-
вання акустичних полів, згенерованих гідро-
потоком навколо моделей системи рушія
8.2.4. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва чи використання гідроканалів, зазна- 852423100
чених у пункті 8.1.3. 852490910
852490990
8.2.5. Конструкція і технологія виробництва ви- 490199000мірювально-інформаційних систем, що працюють 490600000
у реальному масштабі часу, інструментів або
автоматичних накопичувачів даних,спеціально
розроблених для використання у таких аероди-
намічних трубах або обладнанні:
у пристроях для моделювання набігаючого
потоку з числами Маха, що перевищують 5,
включаючи теплові, плазмово-дугові та
ударні аеродинамічні труби, а також аеро-
динамічні труби з газовим поршнем та га-
зові гармати;
в аеродинамічних трубах або обладнанні,
відмінних від двовимірних, здатних моделю-
вати обтікання потоками за чисел Рейноль-
дса вище 25.106
8.2.6. Програмне забезпечення, необхідне для проек- 852421100тування, виробництва та використання вимі- 852422100
рювально-інформаційних систем, зазначених у 852423100
пункті 8.1.4. 852490910
852490990
8.2.7. Конструкція і технологія виробництва датчи- 490199000ків, спеціально розроблених для безпосе- 490600000
реднього вимірювання поверхневого тертя на
стінці у потоці з температурою гальмування
вище 833 К (560град.C) .2.8. Програмне забезпечення, необхідне для проек- 852421100
тування, виробництва та використання дат- 852422100
чиків для безпосереднього вимірювання по- 852423100
верхневого тертя на стінці у потоці з тем- 852490910
пературою гальмування вище 833 К (560град.C),852490990
зазначених у пункті 8.1.5.
8.2.9. Програмне забезпечення, необхідне для повно- 852421100го задіяння автономного електронно-цифрово- 852422100
го контролера для аерокосмічних випробуваль- 852423100
них установок або повітродувних установок 852490910
для випробування двигунів 852490990
8.2.10. Програмне забезпечення для моделювання дво- 852421100або трив'язкої течії потоку всередині дви- 852422100
гуна в аеродинамічних трубах або для оброб- 852423100
лення даних польотних випробувань, які дають 852490910
змогу детально моделювати потік всередині 852490990
двигуна
8.2.11. Програмне забезпечення для випробування по- 852421100вітряних газотурбінних двигунів, збірок або 852422100
компонентів, спеціально розроблених для уза- 852423100
гальнення,перетворення та аналізу даних у 852490910
реальному масштабі часу, здатне забезпечити 852490990
керування із зворотним зв'язком, включаючи
динамічне налагодження виробів, що випробу-
ються, або умов під час проведення експери-
ментів .2.12. Програмне забезпечення з допуском на ава- 852421100
рійне вимикання установок двигуна, включених 852422100
до стендового обладнання 852423100
852490910
852490990
8.2.13. Конструкція і технологія виробництва аеро- 490199000динамічних моделей газотурбінних двигунів 490600000
для випробування в аеродинамічній трубі, об-
ладнаних знімними датчиками, здатними транс-
лювати дані від первісних сенсорів у систему
збору інформації
8.2.14. Конструкція і технологія виробництва роботів,спеціально спроектованих для підводного зас-
тосування, керовані з використанням програм-
но-керованої спеціалізованої ЕОМ .2.14.1. Конструкція і технологія виробництва роботів, 490199000
що мають системи керування із застосуванням 490600000
інформації від датчиків, які вимірюють зу-
силля, прикладені до зовнішнього об'єкта,
момент обертання, відстань до зовнішнього
об'єкта або контактну (тактильну) взаємодію
між роботом та зовнішнім об'єктом .2.14.2. Конструкція і технологія виробництва роботів, 490199000
здатних створювати зусилля в 250 Н або біль- 490600000
ше чи момент обертання 250 Н.м або більше, та
які використовують в елементах конструкції
сплави на основі титану або волоконні, чи
ниткоподібні композиційні матеріали;
8.2.15. Програмне забезпечення, спеціально спроек- 852421100товане або модифіковане для розроблення, 852422100
виробництва чи використання роботів, зазна- 852423100
чених у пунктах 8.1.6., 8.1.7. 852490910
852490990
8.2.16. Конструкція і технологія виробництва дистан-ційно керованих шарнірних маніпуляторів,
спеціально спроектованих або модифікованих
для використання підводними суднами .2.16.1. Конструкція і технологія виробництва маніпу- 490199000
ляторів, які мають системи керування, що 490600000
застосовують інформацію від датчиків, які
вимірюють зусилля, прикладені до зовнішнього
об'єкта, момент обертання або контактну
(тактильну) взаємодію між маніпулятором та
зовнішнім об'єктом .2.16.2. Конструкція і технологія виробництва маніпу- 490199000
ляторів, керованих засобами пропорційного 490600000
керування "ведучий-ведений" або із застосу-
ванням програмно-керованої спеціалізованої
ЕОМ та тих, що мають п'ять або більше сту-
пенів свободи руху
8.2.17. Програмне забезпечення, спеціально спроек- 852421100товане або модифіковане для розроблення, 852422100
виробництва чи використання маніпуляторів, 852423100
зазначених у пунктах 8.1.6., 8.1.7. 852490910
852490990
Розділ 9. РУХОВІ СИСТЕМИ І ДВИГУНИ
9.1. Вироби, обладнання і компоненти
9.1.1. Ізольовані від атмосфери рухові системи,спеціально спроектовані для використання під
водою .1.1.1. Ізольовані від атмосфери рухові системи з 840810
двигунами циклів Брайтона, Стірлінга або
Ренкіна, які мають одну з таких складових:
хімічні скрубери або абсорбери, спеціально
спроектовані для вилучення двооксиду вуг-
лецю і часток з рециркулюючого вихлопу
двигуна;
системи,спеціально спроектовані для засто-
сування моноатомного газу;
прилади або глушники, спеціально розроб-
лені для зниження шуму під водою, з часто-
тами нижче 10 кГц або спеціально змонто-
вані прилади для пом'якшення удару викиду;
системи, спеціально спроектовані для пре-
сування продуктів реакції, реформації па-
лива або зберігання продуктів реакції при
протитиску в 100 кПа або більше .1.1.2. Дизельні двигуни для ізолюваних від атмо- 840810
сфери рухових систем, які мають такі скла-
дові:
хімічні скрубери або абсорбери для вилу-
чення двооксиду та моноокису вуглецю і
часток з рециркулюючого вихлопу двигуна;
системи, спеціально спроектовані для зас-
тосування моноатомного газу;
прилади або глушники, спеціально спроекто-
вані для зниження шуму під водою, з часто-
тами нижче 10 кГц або спеціально змонто-
вані для пом'якшення удару викиду;
спеціально спроектовані вихлопні системи
із затримкою викиду продуктів згорання .1.1.3. Паливний відсік для двигунів, ізольованих 840999000
від атмосфери рухових систем з вихідною по-
тужністю вище 2 кВт, які мають одну з таких
характеристик:
прилади або глушники,спеціально спроекто-
вані для зниження шуму під водою, з часто-
тами нижче 10 кГц або спеціально змонто-
вані прилади для пом'якшення удару викиду;
системи, спеціально спроектовані для пре-
сування продуктів реакції, рефомації пали-
ва, зберігання продуктів реакції або вих-
лопу продуктів реакції при протитиску в
100 кПа або більше
9.1.2. Підйомні вентилятори з рівнем потужності 841289900більше 400 кВт, спеціально спроектовані для 841280990
суден з поверхневим ефектом, зазначених у
пункті 8.1.1.6. або 8.1.1.7.
9.1.3. Системи двигуна з водяним гвинтом або сис-теми передачі потужності, спеціально розроб-
лені для суден з поверхневим ефектом
(повністю змінюваною чи незмінюваною поверх-
невою конфігурацією), для суден з гідрокри-
лами і на невеликому підводному крилі, заз-
начених у пунктах 8.1.1.6. - 8.1.1.9.: .1.3.1. Суперкавітаційні, супервентиляторні, частко- 840810
во занурені або опущені (які проникають че-
рез поверхню) двигуни з рівнем потужності
більше 7,5 МВт .1.3.2. Співосні гребні гвинти протилежного обертан- 841229500
ня з рівнем потужності, яка передається,
більше 15 МВт .1.3.3. Системи вирівнювання потоку, що набігає на
рушій .1.3.4. Легковаговий редуктор високої якості (зна- 848340930
чення К-фактора перевищує 300) .1.3.5. Системи передачі потужності через трансмі- 848310900
сійний вал, які містять компоненти з компо-
зитних матеріалів і здатні здійснювати пере-
дачу потужності більше 1 МВт
9.1.4. Рушії з водяним гвинтом, системи одержанняі передачі енергії для використання на суднах .1.4.1. Гребні гвинти регульованого кроку і збірки 848310500
маточини з рівнем передачі потужності більше
30 МВт .1.4.2. Електричні двигуни з водяним внутрішнім охо- 850134990
лодженням і вихідною потужністю вище 2,5 МВт .1.4.3. Магнітогідродинамічні рушії із застосуванням
надпровідності і вихідною потужністю більше
0,1 МВт .1.4.4. Системи передачі потужності через трансмісій- 848310900
ний вал, які містять компоненти з компо-
зиційних матеріалів і здатні здійснювати пе-
редачу потужності більше 2 МВт .1.4.5. Системи вентиляторних (або на базі вентиля- 848510900
торних) гвинтів з рівнем потужності, що пе-
редається, більше 2,5 МВт
9.1.5. Системи зниження шуму для використання насуднах водотоннажністю 1000 тонн або більше .1.5.1. Системи зниження шуму, які зменшують рівень 841229500
шуму з частотою нижче 500 Гц і складаються з
компаундних акустичних збірок для акустичної
ізоляції дизельних двигунів, дизель-генера-
торних установок, газових турбін, газо-
турбінних генераторних установок, установок
двигунів або редукторів, спеціально розроб-
лених для звукової або вібраційної ізоляції,
що мають усереднену масу понад 30 відсотків
маси всього обладнання, що монтується .1.5.2. Активні системи зниження шуму чи його пога- 841229500
шення або підшипники на магнітній підвісці,
які спеціально розроблені для потужних
трансмісійних систем і містять електронні
системи керування, здатні активно знижувати
вібрацію обладнання генерацією антишумових
або антивібраційних сигналів безпосередньо
біля джерела шуму
9.1.6. Системи руху на струменевому двигуні з рів- 841229500нем вихідної потужності, що перевищує
2,5 МВт, які використовують сопло, що від-
хиляється, і техніку регулювання потоку ло-
паткою (лопаттю) з метою збільшення ефектив-
ності рушія або зниження шумів, що генеру-
ються рушієм і поширюються під водою
9.1.7. Морські газотурбінні двигуни з експлуатацій- 841182910ною потужністю 13,795 кВт або більше і пи- 841182990
томою витратою палива менше 0,243 кг/(кВт.ч)
та спеціально розроблені агрегати і компо-
ненти для таких двигунів
Примітка. Експортний контроль не поширюється наморські газотурбінні двигуни, зазначені в
пункті 9.1.7. і призначені для встановлення
на цивільні морські судна для невійськового
кінцевого використання, лише у разі, коли
їх питома витрата палива перевищує
0,23 кг/(кВт.ч), а їхній рівень потужності
менше 20000 кВт. .1.8. Спеціально розроблені агрегати і компоненти
газотурбінних двигунів .1.8.1. Лопатки газових турбін, лопаті або верхні 841199900
частини вінців, виготовлені методом направ-
леної кристалізації та призначені для робо-
ти при температурі вище 1593 К (1320град.C) .1.8.2. Лопатки газової турбіни, лопаті або верхня 841199900
частина вінця в одному кристалі .1.8.3. Багатокупольні камери згорання, що працюють 841300900
при середніх температурах на виході з камери
і дорівнюють або більше 1813 К (1540град.C), чи
камери згорання, які містять термічно роз-
поділені теплозахисні елементи або немета-
леві корпуси .1.8.4. Компоненти, виготовлені з органічних ком- 841999000
позиційних матеріалів для температур засто-
сування більше 588 К (315град.C) або з металевих,
матричних композиційних, керамічних матрич-
них, інтерметалевих підсилених матеріалів, у
тому числі з матеріалів, зазначених у пункті
1.3.3. .1.8.5. Турбінні лопатки, лопаті, верхні частини 841999000
вінців або інші компоненти, що не охолоджу-
ються, розроблені для роботи в газовому по-
тоці з температурою 1323 К (1050град.C) або вище .1.8.6. Турбінні лопатки, лопаті, верхні частини 841199900
вінців, що охолоджуються, крім зазначених у
пунктах 9.1.8.1. і 9.1.8.2., які працюють
без теплового захисту при температурі газу
1643 К (1370град.C) або вище .1.8.7. Комбінації лопаті з профілем крила-диском 841199900
турбіни, з використанням методу з'єднання
елементів у твердому стані .1.8.8. Високоресурсні обертові компоненти газотур- 841199900
бінного двигуна, які використовують матеріа-
ли, виготовлені методом порошкової металургії .1.8.9. Система автономного електронно-цифрового 903289
контролера для газотурбінних двигунів комбі-
нованого циклу, діагностичне обладнання, що
належить до неї, датчики та спеціально спро-
ектовані елементи .1.8.10. Системи керування геометрією газового потоку 903289
та систем керування в цілому для:
газогенераторних турбін;
вентиляторних або потужних турбін
Примітки: 1. Системи керування геометрією газового потокута системи керування в цілому не містять
вихідні поворотні лопатки, вентилятори із
змінним кроком, поворотні статори або дре-
нажні клапани для компресорів.
2. Експортному контролю за пунктом 9.1.8.10. не
підлягають системи керування геометрією га-
зового потоку, що здійснюється з метою ре-
версу тяги.
9.1.8.11. Системи керування зазором між вінцем та ло- 903289патками ротора, які використовують техноло- 903281900
гію активної компенсації зазору турбінним
кожухом, обмежену базою даних проектування
та розроблення .1.8.12. Газові підшипники для складання ротора газо- 848299000
турбінного двигуна .1.8.13. Порожнотілі лопатки з широкою хордою без 841199900
міжпрольотного кріплення
9.2. Програмне забезпечення і технологія
9.2.1. Конструкція і технологія виробництва ізольо-ваних від атмосфери рухових систем, спеціаль-
но спроектованих для використання під водою .2.1.1. Конструкція і технологія виробництва, ремон- 490199000
ту та відновлення чистоти поверхні ізольо- 490600000
ваних від атмосфери рухових систем з двигу-
нами циклів Брайтона, Стірлінга або Ренкіна,
які мають одну з таких складових:
хімічні скрубери або абсорбери, спеціально
спроектовані для вилучення двооксиду вуглецю
і часток з рециркулюючого вихлопу двигуна;
системи, спеціально спроектовані для застосу-
вання моноатомного газу;
прилади або глушники, спеціально розроблені
для зниження шуму під водою, з частотами
нижче 10 кГц або спеціально змонтовані при-
лади для пом'якшення удару викиду;
системи, спеціально спроектовані для пресу-
вання продуктів реакції, реформації палива
або зберігання продуктів реакції при проти-
тиску в 100 кПа або більше .2.1.2. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва чи застосування систем, зазначених у 852423100
пункті 9.1.1.1. 852490910
852490990
9.2.1.3. Конструкція і технологія виробництва, ремон- 490199000ту та відновлення чистоти поверхні дизельних 490600000
двигунів для ізольованих від атмосфери рухо-
вих систем, які мають такі складові:
хімічні скрубери або абсорбери, спеціально
спроектовані для вилучення двооксиду та
монооксиду вуглецю і часток з рециркулюю-
чого вихлопу двигуна;
системи, спеціально спроектовані для зас-
тосування моноатомного газу;
прилади або глушники, спеціально спроекто-
вані для зниження шуму під водою, з часто-
тами нижче 10 кГц або спеціально змонто-
вані для пом'якшення удару викиду;
спеціально спроектовані вихлопні системи
із затриманням викиду продуктів згорання .2.1.4. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, ви- 852422100
робництва чи застосування дизельних двигу- 852423100
нів, зазначених у пункті 9.1.1.2. 852490910
852490990
9.2.1.5. Конструкція і технологія виробництва, капі- 490199000тального ремонту та відновлення чистоти по- 490600000
верхні паливних відсіків для ізольованих від
атмосфери рухових систем з вихідною по-
тужністю вище 2 кВт, які мають одну з таких
характеристик:
прилади або глушники, спеціально спроекто-
вані для зниження шуму під водою, з часто-
тами нижче 10 кГц або спеціально змонто-
вані прилади для пом'якшення удару викиду;
системи,спеціально спроектовані для пресу-
вання продуктів реакції, реформації пали-
ва, зберігання продуктів реакції чи вихло-
пу продуктів реакції при протитиску в
100 кПа або більше .2.1.6. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування та ви- 852422100
робництва паливних відсіків, зазначених у 852423100
пункті 9.1.1.3. 852490910
852490990
9.2.1.7. Конструкція і технологія виробництва підйом- 490199000них вентиляторів з рівнем потужності більше 490600000
400 кВт, спеціально розроблених для суден з
поверхневим ефектом, зазначених у пункті
8.1.1.6. або 8.1.1.7. .2.1.8. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування та ви- 852422100
робництва чи застосування підйомних вентиля- 852423100
торів, зазначених у пункті 9.1.2. 852490910
852490990
9.2.1.9. Конструкція і технологія виробництва, капі- 490199000тального ремонту та відновлення чистоти по- 490600000
верхні систем двигуна з водяним гвинтом або
системи передачі потужності, спеціально роз-
роблених для суден з поверхневим ефектом
(повністю змінюваною чи незмінюваною поверх-
невою конфігурацією), для суден з гідрокри-
лами та на невеликому підводному крилі, заз-
начених у пунктах 8.1.1.6.- 8.1.1.9.:
суперкавітаційних,супервентиляторних,част-
ково занурених або опущених (які проника-
ють через поверхню) двигунів з рівнем по-
тужності більше 7,5 МВт;
співосних гребних гвинтів протилежного
обертання з рівнем потужності, яка пере-
дається, більше 15 МВт;
систем вирівнювання потоку, який набігає
на рушій;
легковагового редуктора високої якості
(значення К-фактора перевищує 300);
системи передачі потужності через трансмі-
сійний вал, які містять компоненти з ком-
позиційних матеріалів і здатних здійснюва-
ти передачу потужності більше 1 МВт .2.1.10. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, ви- 852422100
робництва чи використання систем, зазначе- 852423100
них у пункті 9.1.3. 852490910
852490990
9.2.1.11. Конструкція і технологія виробництва, капі- 490199000тального ремонту та відновлення чистоти по- 490600000
верхні рушіїв з водяним гвинтом, систем
одержання та передачі енергії для викорис-
тання на суднах:
гребних гвинтів регульованого кроку і
збірки маточини з рівнем передачі потуж-
ності понад 30 МВт;
електричних двигунів з водяним внутрішнім
охолодженням і вихідною потужністю вище
2,5 МВт;
магнітогідродинамічних рушіїв із застосу-
ванням надпровідності і вихідною потужніс-
тю понад 0,1 МВт;
систем передачі потужності через трансмі-
сійний вал, які містять компоненти з ком-
позиційних матеріалів і здатні здійснювати
передачу потужності більше 2 МВт;
систем вентиляторних (чи на базі вентиля-
торних) гвинтів з рівнем потужності, що
передається, більше 2,5 МВт .2.1.12. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, ви- 852422100
робництва чи використання рушіїв, зазначе- 852423100
них у пункті 9.1.4. 852490910
852490990
9.2.1.13. Конструкція і технологія виробництва, капі- 490199000тального ремонту систем зниження шуму для 490600000
використання на суднах водотоннажністю 1000 т
або більше:
систем зниження шуму, які знижують рівень
шуму з частотою нижче 500 Гц і складаються
з компаундних акустичних збірок для акус-
тичної ізоляції дизельних двигунів,дизель-
генераторних установок, газових турбін,
газотурбінних генераторних установок, ус-
тановок двигунів або редукторів, спеціаль-
но розроблених для звукової або вібраційної
ізоляції, що мають усереднену масу понад
30 відсотків маси всього обладнання, що
монтується;
активних систем зниження шуму або його по-
гашення чи підшипників на магнітній
підвісці, які спеціально розроблені для
потужних трансмісійних систем і містять
електронні системи керування, здатні ак-
тивно знижувати вібрацію обладнання гене-
рацією антишумових або антивібраційних
сигналів безпосередньо біля джерела шуму .2.1.14. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, ви- 852422100
робництва чи використання систем зниження 852423100
шуму, зазначених у пункті 9.1.5. 852490910
852490990
9.2.1.15. Конструкція і технологія виробництва, капі- 490199000пітального ремонту та відновлення чистоти 490600000
поверхні систем руху на струменевому двигу-
ні з рівнем вихідної потужності, що переви-
щує 2,5 МВт, які використовують сопло, що
відхиляється, і техніку регулювання потоку
лопаткою (лопаттю) з метою збільшення ефек-
тивності рушія або зниження шумів, що гене-
руються рушієм і поширюються під водою .2.1.16. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, ви- 852422100
робництва чи використання у системах руху 852423100
на струменевому двигуні, зазначених у 852490910
пункті 9.1.6. 852490990
9.2.1.17. Специфічне програмне забезпечення, спеціаль- 852421100но створене або модифіковане для розроблен- 852422100
ня, виробництва, поточного ремонту, капі- 852423100
тального ремонту чи відновлення чистоти по- 852490910
верхні (ремашинізації) гвинтів, спеціально 852490990
розроблених для зниження їх шуму під водою .2.1.18. Технологія виробництва, поточного ремонту, 490199000
капітального ремонту і відновлення чистоти 490600000
поверхні (ремашинізації) гвинтів, спеціаль-
но розроблених для зниження їх шуму під водою .2.2. Конструкція і технологія виробництва, ремон- 490199000
ту та відновлення морських газотурбінних 490600000
двигунів з експлуатаційною потужністю 13,795
кВт чи більше і питомою витратою палива мен-
ше 0,243 кг/(кВт.г) та спеціально розроблених
агрегатів і компонентів для таких двигунів
9.2.3. Програмне забезпечення, необхідне для проек- 852421100тування і виробництва морських газотурбін- 852422100
них двигунів, зазначених у пункті 9.1.7. 852423100
852490910
852490990
9.2.4. Програмне забезпечення, необхідне для роботи 852421100повністю автономних електронно-цифрових кон- 852422100
тролерів для рухових систем, зазначених у 852423100
пункті 9.1.7. 852490910
852490990
9.2.5. Конструкція і технологія виробництва спеці-ально розроблених агрегатів та компонентів
газотурбінних двигунів .2.5.1. Конструкція і технологія виробництва багато- 490199000
купольних камер згорання, що працюють при 490600000
середніх температурах на виході з камери
вище 1813 К (1540град.C), чи камер згорання, які
містять термічно розподілені теплозахисні
елементи, неметалеві теплозахисні елементи
або неметалеві корпуси .2.5.2. Конструкція і технологія виробництва компо- 490199000
нентів, виготовлених з органічних компози- 490600000
ційних матеріалів для температур застосу-
вання більше 588 К (315град.C) або з металевих
матричних композиційних, керамічних матрич-
них, інтерметалевих підсилених матеріалів, у
тому числі з матеріалів, зазначених у пункті
1.3.3. .2.5.3. Конструкція і технологія виробництва турбін- 490199000
них лопаток, лопатей, верхніх частин вінців 490600000
або інших компонентів, що не охолоджуються,
розроблених для роботи в газовому потоці з
температурою 1023 К (1050град.C) або вище .2.5.4. Конструкція і технологія виробництва турбін- 490199000
них лопаток, лопатей, верхніх частин вінців, 490600000
що охолоджуються, крім зазначених у пунктах
9.1.8.1. та 9.1.8.2., які працюють без теп-
лового захисту при температурі газу 1643 К
(1370град.C) або вище .2.5.5. Технологія виробництва і кріплення турбінних 490199000
лопаток та композитів, здатних витримувати 490600000
більше 2000 кВт при швидкостях потоку більше
0,55 М .2.5.6. Конструкція і технологія виробництва комбі- 490199000
націй лопаті з профілем крила - диском 490600000
турбіни з використанням методу з'єднання
елементів у твердому стані .2.5.7. Конструкція і технологія виробництва висо- 490199000
коресурсних обертових компонентів, газо- 490600000
турбінного двигуна, які використовують ма-
теріали, виготовлені методом порошкової ме-
талургії .2.5.8. Конструкція і технологія виробництва системи 490199000
автономного електронно-цифрового контролера 490600000
для газотурбінних двигунів комбінованого цик-
лу, діагностичного обладнання, що належить
до неї, датчиків та спеціально спроектованих
елементів .2.5.9. Конструкція і технологія виробництва систем 490199000
керування геометрією газового потоку та 490600000
систем керування в цілому для:
газогенераторних турбін;
вентиляторних або потужних турбін
Примітка. Експортний контроль за пунктом 9.2.5.9. непоширюється на конструкцію і технологію ви-
робництва систем керування геометрією газо-
вого потоку, що здійснюється з метою реверсу
тяги.
9.2.5.10. Конструкція і технологія виробництва систем 490199000керування зазором між вінцем та лопатками 490600000
ротора, які використовують технологію актив-
ної компенсації зазору турбінним кожухом .2.5.11. Конструкція і технологія виробництва газових 490199000
підшипників збірок ротора газотурбінного 490600000
двигуна .2.5.12. Конструкція і технологія виробництва пусто- 490199000
тілих лопаток з широкою хордою без між- 490600000
прольотного кріплення
9.2.6. Програмне забезпечення, необхідне для проек- 852421100тування або виробництва спеціально розроб- 852422100
лених агрегатів та компонентів газотурбін- 852423100
них двигунів, зазначених у пункті 9.1.8. 852490910
852490990
9.2.7. Програмне забезпечення в коді об'єктового 852421100чи машинного джерела, необхідного для за- 852422100
стосування в активних компенсаційних систе- 852423100
мах для керування зазором між вінцем та ло- 852490910
патками ротора,зазначених у пункті 9.1.8.11. 852490990
Примітка. Експортний контроль за пунктом 9.2.7. непоширюється на програмне забезпечення вмон-
товане в обладнання, що не підлягає експорт-
ному контролю, або необхідне для технічного
обслуговування, пов'язаного з калібруванням,
ремонтом або модернізацією системи керування
з активною компесацією зазору.
9.2.8. Технологія виробництва газотурбінних двигу- 490199000нів із застосуванням лазерного, водострумин- 490600000
ного або електроерозійного/електротехнічного
методів свердлування отворів (полостей):
глибиною в 4 рази більшою їх діаметра,
діаметром менше 0,76 мм і кутами нахилу,
що дорівнюють або менші 25о;
глибиною в 5 разів більшою їх діаметра,
діаметром менше 0,4 мм і кутами нахилу,
що дорівнюють або менші 25о
Примітка. Стосовно пункту 9.2.8. кут нахилу вимірюєть-ся від поверхні, яка обдувається потоком
тангенційно в точці, де вісь отвору пе-
ретинається з цією поверхнею.
9.2.9. Конструкція і технологія виробництва верто- 490199000льотних систем передачі потужності на зава- 490600000
лений несучий гвинт або завалене крило
повітряного літального апарата:
здатних зменшити операційний час змащення
на 30 хвилин і більше;
які мають на вході співвідношення потуж-
ності та ваги 8,87 кВт/кг або більше
9.2.10. Конструкція і технологія виробництва поршне- 490199000вого дизельного двигуна наземних систем 490600000
станції із силовою установкою, яка має об'єм
боксу 1,2 куб.м або менше, повну вихідну
потужність більше 750 кВт, щільність потуж-
ності більше 700 кВт/куб.м об'єму боксу римітка. Об'єм боксу визначається як похідна трьох
значень перпендикулярів, які вимірюються та-
ким чином:
довжина: довжина колінчатого валу від перед-
нього фланця до лицьової поверхні
маховика;
ширина: максимальне значення з таких вимі-
рів:
зовнішньої відстані від однієї
крайньої кришки клапана до іншої
крайньої кришки;
відстань між краями головок ци-
ліндрів;
діаметр кожуха маховика;
висота: найбільший з таких вимірів:
відстань від вісі колінчатого валу
до верхньої площини клапанної криш-
ки (або головки циліндра) плюс под-
війна довжина ходу поршню;
діаметр кожуха маховика.
9.2.11. Конструкція і технологія виробництва спеці- 490199000ально спроектованих компонентів, призначе- 490600000
них для дизельних двигунів з високою вихід-
ною потужністю
Примітка. Дизельні двигуни з високою вихідною потуж-ністю - це двигуни з номінальним значенням
ефективного тиску гальмування 1,8 МПа або
більше при швидкості обертання 2300 об/хв.,
яке забезпечує швидкість обертання
2300 об/хв. або більше.
9.2.11.1. Конструкція і технологія виробництва сис- 490199000тем двигуна, який має гільзи циліндрів, 490600000
поршні, головки циліндрів, один або більше
інших компонентів (включаючи вихлопні отво-
ри, турбонаддув, направляючі клапани, збірки
клапана або ізольовані паливні інжектори),
виготовлені з керамічних матеріалів .2.11.2. Конструкція і технологія виробництва систем 490199000
турбонаддуву з одноступінчатими компресорами, 490600000
які мають співвідношення тисків (ступінь
стискання) 4:1 або більше, витрати палива в
діапазоні від 30 до 130 кг/хв. та здатність
змінювати переріз потоку в середені компре-
сора або секцій турбіни .2.11.3. Конструкція і технологія виробництва систем 490199000
паливної інжекції із спеціально спроектова- 490600000
ною багатопаливною (тобто дизельним або зви-
чайним паливом) здатністю до зміни в'язкості
палива в діапазоні від дизельного палива
(2,5 сантистокса при 310,8 К (37,8град.C)) до
бензину (0,5 сантистокса при 310,8 К
(37,8град.C), які мають інжектовану кількість
понад 330 куб.м на одне впорскування в один
циліндр та деталі спеціально спроектованого
електронного керування для регулятора пере-
микання та автоматичного вимірювання харак-
теристик залежно від певного значення момен-
ту обертання із застосуванням адаптивних
датчиків
9.2.12. Конструкція і технологія виробництва дизель- 490199000них двигунів з високою вихідною потужністю з 490600000
твердими, газофазними або рідкоплівочними
(або їх комбінаціями) мастилами стінок
циліндрів, які дають змогу витримувати тем-
пературу понад 723 К (450град.C) і вимірюються
на стінці циліндра у верхній граничній точці
дотику поршневого кільця
ЗМІСТ
Розділ 1. Матеріали1.1. Металеві сплави, порошки для металевих
сплавів та сплавлених матеріалів
1.2. Полімери, пластичні маси, хімічні
волокна та нитки, каучуки та вироби з них
1.3. Композиційні та керамічні матеріали
1.4. Рідини та мастильні матеріали
1.5. Фармацевтичні препарати
1.6. Електротехнічні матеріали
1.7. Функціональні вироби та вузли
1.8. Технологія виробництва металевих сплавів,
порошків для металевих сплавів та сплавлених
матеріалів
1.9. Технологія виробництва полімерів, пластичних
мас, хімічних волокон та ниток, каучуків та
виробів з них
1.10. Технологія виробництва композиційних та
керамічних матеріалів
1.11. Технологія виробництва рідин та мастильних
матеріалів
1.12. Технологія виробництва фармацевтичних
препаратів та токсичних речовин
1.13. Технологія виробництва електротехнічних
матеріалів
1.14. Технологія виробництва функціональних виробів
та вузлів
Розділ 2. Оброблення матеріалів2.1. Виробниче обладнання, оснащення і пристрої
2.2. Програмне забезпечення і технологія виробничих
процесів
Розділ 3. Електроніка3.1. Вироби, обладнання і компоненти
3.2. Програмне забезпечення і технологія
Розділ 4. Комп'ютери4.1. Вироби, обладнання і компоненти
4.2. Програмне забезпечення і технологія
Розділ 5. Частина 1. Засоби зв'язку5.1. Вироби, обладнання і компоненти
5.2. Програмне забезпечення і технологія
Розділ 5. Частина 2. Захист інформації5.3. Вироби, обладнання і компоненти
5.4. Програмне забезпечення і технологія
Розділ 6. Оптика і лазери6.1. Вироби, обладнання і компоненти
6.2. Програмне забезпечення і технологія
Розділ 7. Навігаційні системи і авіаційнарадіоелектроніка
7.1. Вироби, обладнання і компоненти
7.2. Програмне забезпечення і технологія
Розділ 8. Морські транспортні засоби8.1. Вироби, обладнання і компоненти
8.2. Програмне забезпечення і технологія
Розділ 9. Рухові системи і двигуни9.1. Вироби, обладнання і компоненти
9.2. Програмне забезпечення і технологія
-
скопійовано
-
-
