КАБІНЕТ МІНІСТРІВ УКРАЇНИ
П О С Т А Н О В Авід 21 листопада 2007 р. N 1355
Київ
Про затвердження Державної цільової науково-технічноїпрограми "Розроблення і освоєння мікроелектронних
технологій, організація серійного випуску приладів
і систем на їх основі" на 2008-2012 роки
{ Назва Постанови із змінами, внесеними згідно зПостановою КМ
N 908 ( 908-2011-п ) від 31.08.2011 }
{ Із змінами, внесеними згідно з Постановою КМN 908 ( 908-2011-п ) від 31.08.2011 }
Кабінет Міністрів України п о с т а н о в л я є:
1. Затвердити Державну цільову науково-технічну програму
"Розроблення і освоєння мікроелектронних технологій, організація
серійного випуску приладів і систем на їх основі" на
2008-2011 роки (далі - Програма), що додається.
2. Міністерству економіки за поданням Національної академії
наук включити визначені Програмою завдання, показники і заходи до
розділів проекту Державної програми економічного і соціального
розвитку України на відповідний рік.
3. Національній академії наук та Міністерству фінансів
передбачити під час складання проекту Державного бюджету України
на відповідний рік кошти, необхідні для виконання визначених
Програмою завдань і заходів.
4. Національній академії наук подавати щороку до 1 березня
Кабінетові Міністрів України узагальнену інформацію про хід
виконання Програми.
Прем'єр-міністр України В.ЯНУКОВИЧ
Інд. 42
ЗАТВЕРДЖЕНОпостановою Кабінету Міністрів України
від 21 листопада 2007 р. N 1355
ДЕРЖАВНА ЦІЛЬОВА НАУКОВО-ТЕХНІЧНА ПРОГРАМА"Розроблення і освоєння мікроелектронних технологій,
організація серійного випуску приладів і систем
на їх основі" на 2008-2012 роки
{ Назва Програми із змінами, внесеними згідно зПостановою КМ
N 908 ( 908-2011-п ) від 31.08.2011 }
Загальна частина
Мікроелектроніка має стратегічне значення для економіки
України, оскільки визначає технічний рівень промислової і
побутової продукції, її конкурентоспроможність, стимулює розвиток
інших галузей. Обороноздатність країни також потребує високого
рівня забезпечення військової техніки вітчизняною електронною
елементною базою, оскільки використання зарубіжної електроніки
неприпустиме.
Україна входить до переліку 17 країн світу, які володіють
мікроелектронними технологіями. Програма спрямована на відродження
і підтримку вітчизняного виробництва, розвиток нових електронних
технологій. Відновлення найбільш технологічно розвинутих напрямів
виробництва матеріалів, пристроїв і систем електроніки, їх
подальший розвиток забезпечать становлення високотехнологічного
укладу економіки, підвищення конкурентоспроможності продукції,
розв'язання важливих соціальних завдань, пов'язаних з підвищенням
рівня життя населення.
Мета Програми
Метою Програми є:
розвиток нових конкурентоспроможних напрямів виробництва
наукоємних матеріалів електронної техніки і електронного
приладобудування на базі вітчизняних технологій та суттєве (до
15 відсотків) збільшення обсягів їх виробництва, зростання
експортного потенціалу;
розроблення, освоєння та організація серійного випуску
принципово нових матеріалів, електронної компонентної бази
новітнього покоління та мікроелектронних приладів на її основі;
доведення до завершення одержаних у 2005-2007 роках
результатів науково-технічних розроблень у галузі
мікроелектроніки.
Мета Програми відповідає пріоритетним напрямам державної
політики, визначеним у Законі України "Про пріоритетні напрями
розвитку науки і техніки" ( 2623-14 ) і в Декларації цілей та
завдань бюджету на 2008 рік (Бюджетній декларації), схваленій
постановою Кабінету Міністрів України від 1 березня 2007 р. N 316
( 316-2007-п ) (Офіційний вісник України, 2007 р., N 16, ст. 602),
в якій зазначено необхідність підвищення рівня наукоємності та
прискореного розвитку високотехнологічних галузей, в тому числі
мікроелектроніки, в цілях збільшення обсягу випуску
імпортозамінної конкурентоспроможної вітчизняної продукції.
Шляхи і способи розв'язання проблеми
Проблема розв'язується шляхом створення вітчизняного
виробництва електронної компонентної бази.
Програма орієнтована на розробки, в яких
організації-виконавці вже мають суттєві напрацювання.
Прогнозні обсяги і джерела фінансування Програми наведені у
паспорті (додаток 1).
Завдання і заходи
Для розв'язання проблеми необхідно виконати такі основні
завдання:
створення мікроелектронних приладів для охорони здоров'я,
моніторингу (зокрема ядерного) навколишнього природного
середовища, запобігання тероризму;
створення принципово нових матеріалів (у тому числі
наноматеріалів) і компонентів для мікроелектроніки;
створення приладів інфрачервоної мікроелектроніки нового
покоління з високою роздільною здатністю і розширеним діапазоном
функціонування;
забезпечення розвитку твердотільної надвисокочастотної
електроніки міліметрового діапазону довжини хвиль за такими
напрямами: створення елементної бази приладів, розроблення і
виробництво діодів, елементів інтегральних схем, базових модулів і
апаратури для новітніх систем навігації та радіолокації;
розширення експортного потенціалу в сфері високих
мікроелектронних технологій.
Завдання і заходи з виконання Програми наведено у додатку 2.
Очікувані результати, ефективність Програми
У результаті виконання Програми очікується:
створення детекторів радіації та сенсорів з метою контролю
багажу, легкових та вантажних автомобілів, для рентгенівської
техніки в медицині, моніторингу радіаційної безпеки територій
атомних електричних станцій, організація виробництва порталів і
рентгенівських сканерів;
розроблення технології виготовлення нанокераміки на основі
важких оксидів рідкісноземельних металів для реєстрації
іонізуючого випромінювання;
організація виробництва високоякісних підкладок із сапфіру
для структур кремній на сапфірі, світлодіодів та інших
комплектувальних приладів мікроелектроніки;
розроблення та освоєння випуску багатоелементних
інфрачервоного діапазону фотоприймальних пристроїв та
випромінювачів інфрачервоного діапазону спектра з роздільною
здатністю, близькою до дифракційної межі і необхідною для
одержання гранично можливого обсягу інформації;
освоєння випуску не охолоджуваних багатоелементних чутливих
приймачів терагерцового діапазону на основі напівпровідників типу
2 6 4 6 B та A B для систем активного бачення та ідентифікації
вибухонебезпечних речовин, наркотиків тощо;
організація виробництва надвисокочастотної елементної бази
міліметрового діапазону та інтегральних схем, мікроприладів для
забезпечення нового покоління малогабаритних надвисокочастотних
систем, зокрема автомобільних радарних сенсорів, малогабаритних
передавально-приймальних модулів для малогабаритних корабельних та
гелікоптерних радарів, та надшвидких радіорелейних систем зв'язку.
Очікувані результати, яких передбачається досягти в ході
виконання Програми, наведено у додатку 3.
Обсяги та джерела фінансування
Фінансування Програми здійснюється за рахунок коштів
державного бюджету, а також інших джерел.
Загальний обсяг фінансування Програми становить 80 млн.
гривень, з них з державного бюджету - 60 млн., зокрема у 2008
році - 15,35 млн., 2009 - 16,25 млн., 2010 - 15,1 млн., 2011 -
13,3 млн., 2012 році - 9,8 млн., з інших джерел - 20 млн. гривень.
{ Абзац другий Розділу "Обсяги та джерела фінансування" із
змінами, внесеними згідно з Постановою КМ N 908 ( 908-2011-п ) від
31.08.2011 }
{ Абзац третій Розділу "Обсяги та джерела фінансування"
виключено на підставі Постанови КМ N 908 ( 908-2011-п ) від
31.08.2011 }
Додаток 1Державної цільової науково-технічної
програми "Розроблення і освоєння мікроелектронних
технологій, організація серійного випуску приладів
і систем на їх основі" на 2008-2012 роки
1. Концепція Програми схвалена розпорядженням Кабінету
Міністрів України від 3 жовтня 2007 р. N 814 ( 814-2007-р ).
2. Програма затверджена постановою Кабінету Міністрів України
від 21 листопада 2007 р. N 1355.
3. Державний замовник - Національна академія наук.
4. Керівник Програми - Голова Держінформнауки.
5. Виконавці заходів Програми - наукові установи та
підприємства.
6. Строк виконання: 2008-2012 роки.
7. Прогнозні обсяги та джерела фінансування, млн. гривень:
------------------------------------------------------------------ Джерела | Обсяг | У тому числі за роками | фінансування |фінансування |--------------------------------| | | 2008 | 2009 |2010 |2011 | 2012 | -----------------+-------------+------+------+-----+-----+------| Державний бюджет | 69,8 |15,35 |16,25 |15,1 |13,3 | 9,8 | -----------------+-------------+------+------+-----+-----+------| Інші джерела | 21,1 | 5 | 5 | 5 | 5 | 1,1 | -----------------+-------------+------+------+-----+-----+------| Усього | 90,9 |20,35 |21,25 |20,1 |18,3 |10,9 | -----------------------------------------------------------------
{ Додаток 1 із змінами, внесеними згідно з Постановою КМ N 908
( 908-2011-п ) від 31.08.2011 }
Додаток 2з виконання Державної цільової науково-технічної
програми "Розроблення і освоєння мікроелектронних
технологій, організація серійного випуску приладів
і систем на їх основі" на 2008-2011 роки
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- Найменування | Найменування | Значення показника | Найменування | Головний | Джерела |Прог-| У тому числі за | завдання | показника |------------------------------| заходу |розпорядник| фінансу-| ноз-| роками: | | |усьо-| за роками | | бюджетних | вання | ний |--------------------------| | | го |------------------------| | коштів | |обсяг| 2008| 2009|2010|2011|2012| | | |2008|2009|2010|2011|2012| | | |фіна-| | | | | | | | | | | | | | | | | нсо-| | | | | | | | | | | | | | | | | вих | | | | | | | | | | | | | | | | |ресу-| | | | | | | | | | | | | | | | |рсів | | | | | | | | | | | | | | | | | для | | | | | | | | | | | | | | | | |вико-| | | | | | | | | | | | | | | | |нання| | | | | | | | | | | | | | | | |зав- | | | | | | | | | | | | | | | | |дань,| | | | | | | | | | | | | | | | |млн. | | | | | | | | | | | | | | | | |гри- | | | | | | | | | | | | | | | | |вень | | | | | | ------------------+---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| 1. Створення | | | | | | | | |Національна| | | | | | | | мікроелектронних | | | | | | | | | академія | | | | | | | | приладів для сфери| | | | | | | | | наук | | | | | | | | охорони здоров'я, | | | | | | | | | | | | | | | | | моніторингу | | | | | | | | | | | | | | | | | (зокрема, | | | | | | | | | | | | | | | | | ядерного) | | | | | | | | | | | | | | | | | навколишнього | | | | | | | | | | | | | | | | | природного | | | | | | | | | | | | | | | | | середовища, | | | | | | | | | | | | | | | | | запобігання | | | | | | | | | | | | | | | | | тероризму | | | | | | | | | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| |нові види | 1 | 1 | | | | |1) розроблення | |державний| 0,2 | 0,2 | | | | | |приладів | | | | | | |конструкції | | бюджет | | | | | | | | | | | | | | |ультрафіолетових,| | | | | | | | | | | | | | | | |нейтронних і | | | | | | | | | | | | | | | | |рентгенівських | | | | | | | | | | | | | | | | |сенсорів та | | | | | | | | | | | | | | | | |дозиметрів | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| |дослідно- | 1 | 1 | | | | |2) розроблення | | -"- |8,55 | 4,7 | 2,6 |0,85|0,4 | | |конструкторські| | | | | | |технології | | | | | | | | | |роботи | | | | | | |виготовлення | | | | | | | | | | | | | | | | |сенсорів для | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----|рентгенівських | | | | | | | | | |технології | 1 | | | 1 | | |сканерів, | | | | | | | | | |світового рівня| | | | | | |спектрометричних | | | | | | | | | | | | | | | | |порталів та | | | | | | | | | | | | | | | | |приладів контролю| | | | | | | | | | | | | | | | |радіаційної | | | | | | | | | | | | | | | | |обстановки. | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----|Відпрацювання | | | | | | | | | |технологічні | 2 | | | | 2 | |оптимальних | | | | | | | | | |регламенти | | | | | | |технологічних | | | | | | | | | | | | | | | | |режимів | | | | | | | | | | | | | | | | |вирощування | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----|сцинтиляційних | | | | | | | | | |нові види | 1 | | | | 1 | |кристалів з | | | | | | | | | |приладів | | | | | | |наперед заданими | | | | | | | | | | | | | | | | |властивостями. | | | | | | | | | | | | | | | | |Виготовлення | | | | | | | | | | | | | | | | |технологічного | | | | | | | | | | | | | | | | |обладнання. | | | | | | | | | | | | | | | | |Розроблення | | | | | | | | | | | | | | | | |технологічного | | | | | | | | | | | | | | | | |регламенту | | | | | | | | | | | | | | | | |вирощування та | | | | | | | | | | | | | | | | |обробки | | | | | | | | | | | | | | | | |кристалів. | | | | | | | | | | | | | | | | |Розроблення | | | | | | | | | | | | | | | | |конструкцій | | | | | | | | | | | | | | | | |порталів та | | | | | | | | | | | | | | | | |рентгенівських | | | | | | | | | | | | | | | | |сканерів | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| |дослідно- | 1 | | 1 | | | |3) розроблення | |державний| 0,8 | | 0,4 |0,4 | | | |конструкторські| | | | | | |нового покоління | | бюджет | | | | | | | |роботи | | | | | | |лінійних та | | | | | | | | | | | | | | | | |матричних | | | | | | | | | | | | | | | | |формувачів | | | | | | | | | | | | | | | | |рентгенівського | | | | | | | | | | | | | | | | |зображення. | | | | | | | | | | | | | | | | |Виготовлення | | | | | | | | | | | | | | | | |дослідних зразків| | | | | | | | | | | | | | | | |виробів | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----| | | | | | | | | | |технології | 1 | | | 1 | | | | | | | | | | | | |світового рівня| | | | | | | | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----| | | | | | | | | | |технологічні | 1 | | | 1 | | | | | | | | | | | | |регламенти | | | | | | | | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| |технологічні | 1 | | 1 | | | |4) виготовлення | | -"- |3,62 | | 1,8 |1,82| | | |регламенти | | | | | | |дослідних зразків| | | | | | | | | | | | | | | | |порталів та | | | | | | | | | | | | | | | | |рентгенівських | | | | | | | | | | | | | | | | |сканерів, | | | | | | | | | | | | | | | | |приладів широкого| | | | | | | | | | | | | | | | |спектра дії | | | | | | | | | | | | | | | | |для контролю за | | | | | | | | | | | | | | | | |радіаційною | | | | | | | | | | | | | | | | |обстановкою | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----| | | | | | | | | | |нові види | 1 | | | 1 | | | | | | | | | | | | |приладів | | | | | | | | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| |дослідно- | 1 | | | 1 | | |5) створення | | -"- |2,83 | | |0,7 |2,13| | |конструкторські| | | | | | |дослідної | | | | | | | | | |роботи | | | | | | |промислової | | | | | | | | | | | | | | | | |ділянки для | | | | | | | | | | | | | | | | |виробництва | | | | | | | | | | | | | | | | |порталів та | | | | | | | | | | | | | | | | |рентгенівських | | | | | | | | | | | | | | | | |сканерів | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----| | | | | | | | | | |технологічні | 1 | | | | 1 | | | | | | | | | | | |регламенти | | | | | | | | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| | | | | | | | | | | інші | 3 |0,75 |0,75 |0,75|0,75| | |---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| | | | | | | | | | разом | |5,83 |0,75 |0,75 |1,45|2,88| | |---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| |дослідно- | 1 | | 1 | | | |6) організація | |державний| 3,1 | | 0,4 | 1 |1,7 | | |конструкторські| | | | | | |промислового | | бюджет | | | | | | | |роботи | | | | | | |виробництва | | | | | | | | | | | | | | | | |ультрафіолетових | | | | | | | | | | | | | | | | |і рентгенівських | | | | | | | | | | | | | | | | |сенсорів, | | | | | | | | | | | | | | | | |дозиметрів та | | | | | | | | | | | | | | | | |приладів широкого| | | | | | | | | | | | | | | | |спектра дії для | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----|контролю за | | | | | | | | | |технології | 2 | | | 1 | 1 | |радіаційною | | | | | | | | | |світового рівня| | | | | | |обстановкою | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----| | | | | | | | | | |нові види | 1 | | | | 1 | | | | | | | | | | | |приладів | | | | | | | | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| | | | | | | | | | | інші | 5,6 | 1,4 | 1,4 |1,4 |1,4 | | |---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| | | | | | | | | | разом | | 8,7 | 1,4 | 1,8 |2,4 |3,1 | | |---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| |дослідно- | 1 | 1 | | | | |7) розроблення | |державний|1,36 |0,35 |0,37 |0,34|0,3 | | |конструкторські| | | | | | |технології | | бюджет | | | | | | | |роботи | | | | | | |виготовлення | | | | | | | | | | | | | | | | |дозиметрів на | | | | | | | | | | | | | | | | |основі | | | | | | | | | | | | | | | | |полімерних та | | | | | | | | | | | | | | | | |полікристалічних | | | | | | | | | | | | | | | | |сцинтиляційних | | | | | | | | | | | | | | | | |матеріалів для | | | | | | | | | | | | | | | | |реєстрації | | | | | | | | | | | | | | | | |радіонуклідів у | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----|навколишньому | | | | | | | | | |технології | 2 | | 1 | 1 | | |середовищі. | | | | | | | | | |світового рівня| | | | | | |Створення | | | | | | | | | | | | | | | | |дослідних зразків| | | | | | | | | | | | | | | | |дозиметрів для | | | | | | | | | | | | | | | | |визначення | | | | | | | | | | | | | | | | |низьких | | | | | | | | | | | | | | | | |активностей | | | | | | | | | | | | | | | | |бета- | | | | | | | | | | | | | | | | |радіонуклідів | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----|у водному | | | | | | | | | |нові види | 1 | | | | 1 | |середовищі | | | | | | | | | |матеріалів | | | | | | | | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| |технології | 2 | | 1 | | 1 | |8) створення | |державний|0,32 |0,13 |0,05 |0,07|0,07| | |світового рівня| | | | | | |нових матеріалів | | бюджет | | | | | | | | | | | | | | |і конструкцій | | | | | | | | | | | | | | | | |блоків | | | | | | | | | | | | | | | | |детектування | | | | | | | | | | | | | | | | |іонізуючого | | | | | | | | | | | | | | | | |випромінювання на| | | | | | | | | | | | | | | | |базі кристалів | | | | | | | | | | | | | | | | |важких оксидів. | | | | | | | | | | | | | | | | |Виготовлення | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----|дослідної партії | | | | | | | | | |нові матеріали | 1 | | | 1 | | |блоків | | | | | | | | | | | | | | | | |детектування | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| |дослідно- | 2 | 1 | | 1 | | |9) розроблення | | -"- |1,43 |0,47 |0,43 |0,39|0,14| | |конструкторські| | | | | | |детекторного | | | | | | | | | |роботи | | | | | | |матеріалу і | | | | | | | | | | | | | | | | |конструкцій | | | | | | | | | | | | | | | | |широкодіапазон- | | | | | | | | | | | | | | | | |ного, аварійного | | | | | | | | | | | | | | | | |та | | | | | | | | | | | | | | | | |спектрометричного| | | | | | | | | | | | | | | | |блоків | | | | | | | | | | | | | | | | |детектування на | | | | | | | | | | | | | | | | |основі кристалів | | | | | | | | | | | | | | | | |CdZnTe для систем| | | | | | | | | | | | | | | | |контролю гамма- | | | | | | | | | | | | | | | | |випромінювання в | | | | | | | | | | | | | | | | |атомній | | | | | | | | | | | | | | | | |енергетиці | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| |дослідно- | 2 | 1 | 1 | | | |10) створення | | -"- |0,82 |0,26 |0,17 |0,17|0,22| | |конструкторські| | | | | | |технології і | | | | | | | | | |роботи | | | | | | |дослідних ділянок| | | | | | | | | | | | | | | | |вирощування | | | | | | | | | | | | | | | | |детекторних | | | | | | | | | | | | | | | | |кристалів CdZnTe.| | | | | | | | | | | | | | | | |Виготовлення | | | | | | | | | | | | | | | | |детекторів і | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----|блоків | | | | | | | | | |технології | 1 | | | 1 | | |детектування | | | | | | | | | |світового рівня| | | | | | | | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----| | | | | | | | | | |технологічні | 1 | | | | 1 | | | | | | | | | | | |регламенти | | | | | | | | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| |дослідно- | 2 | | 1 | | 1 | |11) випуск | | -"- | 0,6 | |0,19 |0,17|0,24| | |конструкторські| | | | | | |дослідної партії | | | | | | | | | |роботи | | | | | | |кристалів CdZnTe,| | | | | | | | | | | | | | | | |дозиметричних, | | | | | | | | | | | | | | | | |аварійних і | | | | | | | | | | | | | | | | |спектрометричних | | | | | | | | | | | | | | | | |блоків | | | | | | | | | | | | | | | | |детектування | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| |технології | 2 | 1 | | | 1 | |12) організація | | -"- |0,89 |0,29 |0,22 |0,19|0,19| | |світового рівня| | | | | | |дослідно- | | | | | | | | | | | | | | | | |промислового | | | | | | | | | | | | | | | | |виробництва | | | | | | | | | | | | | | | | |кристалів CdZnTe | | | | | | | | | | | | | | | | |для детекторів | | | | | | | | | | | | | | | | |ядерного | | | | | | | | | | | | | | | | |випромінювання | | | | | | | | | | | | | | | | |спектрометричної | | | | | | | | | | | | | | | | |якості, створення| | | | | | | | | | | | | | | | |дослідно- | | | | | | | | | | | | | | | | |промислового | | | | | | | | | | | | | | | | |виробництва | | | | | | | | | | | | | | | | |приладів для | | | | | | | | | | | | | | | | |дозиметрії і | | | | | | | | | | | | | | | | |моніторингу | | | | | | | | | | | | | | | | |території атомних| | | | | | | | | | | | | | | | |електростанцій, | | | | | | | | | | | | | | | | |аналізу | | | | | | | | | | | | | | | | |ізотопного складу| | | | | | | | | | | | | | | | |і контролю | | | | | | | | | | | | | | | | |герметичності | | | | | | | | | | | | | | | | |тепловипроміню- | | | | | | | | | | | | | | | | |вачів, | | | | | | | | | | | | | | | | |неруйнівного | | | | | | | | | | | | | | | | |контролю | | | | | | | | | | | | | | | | |елементів атомних| | | | | | | | | | | | | | | | |електростанцій | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| | | | | | | | | | | інші | 2 | 0,5 | 0,5 |0,5 |0,5 | | |---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| | | | | | | | | | разом | |2,89 |0,79 |0,72 |0,69|0,69| | |---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| |дослідно- | 2 | 1 | 1 | | | |13) освоєння | |державний| 0,8 | 0,2 | 0,2 |0,2 |0,2 | | |конструкторські| | | | | | |серійного | | бюджет | | | | | | | |роботи | | | | | | |виробництва: | | | | | | | | | | | | | | | | |кремнієвих p-i-n | | | | | | | | | | | | | | | | |фотодіодів, | | | | | | | | | | | | | | | | |багатоелементних | | | | | | | | | | | | | | | | |(16-, 32-, 64- | | | | | | | | | | | | | | | | |канальних) p-i-n | | | | | | | | | | | | | | | | |фотодіодних | | | | | | | | | | | | | | | | |лінійок; | | | | | | | | | | | | | | | | |ультрафіолетових | | | | | | | | | | | | | | | | |сенсорів на | | | | | | | | | | | | | | | | |основі ZnSe. | | | | | | | | | | | | | | | | |Комплектування | | | | | | | | | | | | | | | | |ділянок | | | | | | | | | | | | | | | | |складальним, | | | | | | | | | | | | | | | | |технологічним та | | | | | | | | | | | | | | | | |контрольно- | | | | | | | | | | | | | | | | |вимірювальним | | | | | | | | | | | | | | | | |обладнанням, | | | | | | | | | | | | | | | | |відпрацювання | | | | | | | | | | | | | | | | |складальних | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----|процесів та | | | | | | | | | |технологи | 2 | 1 | | 1 | | |методик. | | | | | | | | | |світового рівня| | | | | | |Розроблення | | | | | | | | | | | | | | | | |робочої | | | | | | | | | | | | | | | | |документації. | | | | | | | | | | | | | | | | |Виготовлення | | | | | | | | | | | | | | | | |партій виробів | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| |дослідно- | 2 | 1 | 1 | | | |14) розроблення | | -"- |0,65 |0,15 |0,15 |0,2 |0,15| | |конструкторські| | | | | | |та випуск | | | | | | | | | |роботи | | | | | | |інтегральної | | | | | | | | | | | | | | | | |схеми кремнієвої | | | | | | | | | | | | | | | | |лінійки на 128 | | | | | | | | | | | | | | | | |(256, 512) | | | | | | | | | | | | | | | | |елементів з | | | | | | | | | | | | | | | | |електронікою | | | | | | | | | | | | | | | | |зчитування | | | | | | | | | | | | | | | | |сигналів на | | | | | | | | | | | | | | | | |кристалі | | | | | | | | | | | | | | | | |мікросхеми для | | | | | | | | | | | | | | | | |портативного | | | | | | | | | | | | | | | | |лінійного | | | | | | | | | | | | | | | | |формувача | | | | | | | | | | | | | | | | |рентгенівського | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----|зображення | | | | | | | | | |технології | 1 | | | 1 | | | | | | | | | | | | |світового рівня| | | | | | | | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| |дослідно- | 2 | 1 | 1 | | | |15) розроблення | | -"- |0,31 |0,07 |0,07 |0,1 |0,07| | |конструкторські| | | | | | |інтегральної | | | | | | | | | |роботи | | | | | | |схеми кремнієвої | | | | | | | | | | | | | | | | |матриці форматом | | | | | | | | | | | | | | | | |25 х 25 мм та | | | | | | | | | | | | | | | | |інтегральних схем| | | | | | | | | | | | | | | | |зчитування | | | | | | | | | | | | | | | | |електроніки для | | | | | | | | | | | | | | | | |двохкоординатного| | | | | | | | | | | | | | | | |формувача | | | | | | | | | | | | | | | | |рентгенівського | | | | | | | | | | | | | | | | |зображення для | | | | | | | | | | | | | | | | |інспекційних | | | | | | | | | | | | | | | | |сканерів, | | | | | | | | | | | | | | | | |томографів, | | | | | | | | | | | | | | | | |дефектоскопів, | | | | | | | | | | | | | | | | |дентальних | | | | | | | | | | | | | | | | |апаратів, | | | | | | | | | | | | | | | | |контролю поштових| | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----|відправлень | | | | | | | | | |технології | 1 | | | 1 | | | | | | | | | | | | |світового рівня| | | | | | | | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| |дослідно- | 2 | 1 | 1 | | | |16) розроблення | | -"- |0,34 |0,08 |0,08 |0,1 |0,08| | |конструкторські| | | | | | |технології | | | | | | | | | |роботи | | | | | | |створення | | | | | | | | | | | | | | | | |інтегрованих | | | | | | | | | | | | | | | | |детекторів | | | | | | | | | | | | | | | | |випромінювань на | | | | | | | | | | | | | | | | |основі | | | | | | | | | | | | | | | | |гетероструктур | | | | | | | | | | | | | | | | |напівпровідник- | | | | | | | | | | | | | | | | |сцинтилятор | | | | | | | | | | | | | | | | | II IV | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----|(A B сполука)| | | | | | | | | |технології | 1 | | | 1 | | | | | | | | | | | | |світового рівня| | | | | | | | | | | | | | | | ------------------+---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| Разом за завданням| | | | | | | | | | |37,22|9,55 |9,78 |9,35|8,54| | 1 | | | | | | | | | | | | | | | | | ------------------+---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| у тому числі | | | | | | | | | | -"- |26,62| 6,9 |7,13 |6,7 |5,89| | | | | | | | | | | |---------+-----+-----+-----+----+----+----| | | | | | | | | | | інші |10,6 |2,65 |2,65 |2,65|2,65| | ------------------+---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| 2. Створення |дослідно- | 2 | 1 | | 1 | | |1) розроблення |Національна|державний|4,41 |1,15 |1,27 |1,09|0,9 | | принципово нових |конструкторські| | | | | | |технології |академія |бюджет | | | | | | | матеріалів, у |роботи | | | | | | |одержання нових |наук | | | | | | | | тому числі | | | | | | | |напівпровіднико- | | | | | | | | | наноматеріалів, | | | | | | | |вих матеріалів на| | | | | | | | | компонентів | | | | | | | |основі квантових | | | | | | | | | для | | | | | | | |точок | | | | | | | | | мікроелектроніки | | | | | | | |халькогенідів для| | | | | | | | | | | | | | | | |створення еміте- | | | | | | | | | | | | | | | | |рів світла види- | | | | | | | | | | | | | | | | |мого і ближнього | | | | | | | | | | | | | | | | |інфрачервоного | | | | | | | | | ------------------+---------------+-----+----+----+----+----+----|діапазону |-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| |нові види | 2 | | 1 | | 1 | |(500-1400 нм) | | | | | | | | | |матеріалів | | | | | | |з регульованим | | | | | | | | | | | | | | | | |спектром | | | | | | | | | | | | | | | | |випромінювання. | | | | | | | | | | | | | | | | |Виготовлення | | | | | | | | | | | | | | | | |дослідних зразків| | | | | | | | | | | | | | | | |світлодіодів | | | | | | | | | ------------------+---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| |дослідно- | 1 | 1 | | | | |2) розроблення | | -"- | 5,25| 1,5 | 1,4 |1,25|1,1 | | |конструкторські| | | | | | |технології | | | | | | | | | |роботи | | | | | | |виготовлення | | | | | | | | | | | | | | | | |нанокераміки на | | | | | | | | | | | | | | | | |основі важких | | | | | | | | | | | | | | | | |оксидів | | | | | | | | | | | | | | | | |рідкісноземельних| | | | | | | | | | | | | | | | |металів для | | | | | | | | | | | | | | | | |реєстрації | | | | | | | | | | | | | | | | |іонізуючого | | | | | | | | | | | | | | | | |випромінювання. | | | | | | | | | ------------------+---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| |технологічні | 1 | | | 1 | | |Розроблення | | | | | | | | | |регламенти | | | | | | |технологічного | | | | | | | | | | | | | | | | |регламенту | | | | | | | | | | | | | | | | |виготовлення | | | | | | | | | | | | | | | | |нанокераміки. | | | | | | | | | | | | | | | | |Випуск дослідної | | | | | | | | | | | | | | | | |партії | | | | | | | | | | | | | | | | |сцинтиляційних | | | | | | | | | | | | | | | | |елементів для | | | | | | | | | | | | | | | | |реєстрації | | | | | | | | | | | | | | | | |рентгенівських та| | | | | | | | | | | | | | | | |гамма-квантів | | | | | | | | | ------------------+---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| |дослідно- | 3 | 1 | | 1 | | 1 |3) розроблення | |державний|22,9 | 3,1 | 3,5 |3,4 |3,1 |9,8 | |конструкторські| | | | | | |технології | |бюджет | | | | | | | |роботи | | | | | | |отримання | | | | | | | | | | | | | | | | |високоякісних | | | | | | | | | | | | | | | | |підкладок із | | | | | | | | | | | | | | | | |сапфіру для | | | | | | | | | ------------------+---------------+-----+----+----+----+----+----|структур кремній |-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| |технології | 3 | | 1 | | 1 | 1 |на сапфірі, для | | | | | | | | | |світового | | | | | | |світлодіодів та | | | | | | | | | |рівня | | | | | | |інших | | | | | | | | | | | | | | | | |комплектуючих | | | | | | | | | ------------------+---------------+-----+----+----+----+----+----|приладів |-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| |технологічні | 2 | | | | | 2 |мікроелектроніки.| | | | | | | | | |регламенти | | | | | | |Створення | | | | | | | | | | | | | | | | |дослідно- | | | | | | | | | | | | | | | | |промислової | | | | | | | | | | | | | | | | |ділянки і | | | | | | | | | | | | | | | | |виготовлення | | | | | | | | | ------------------+---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| | | | | | | | |підкладок із | | | | | | | | | | | | | | | | |кристалів, | | | | | | | | | | | | | | | | |вирощених різними| | | | | | | | | | | | | | | | |методами для | | | | | | | | | | | | | | | | |великих | | | | | | | | | | | | | | | | |інтегральних | | | | | | | | | | | | | | | | |схем, | | | | | | | | | | | | | | | | |світлодіодів тощо| | | | | | | | | ------------------+---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| | | | | | | | | | |інші | 8,1 |1,75 |1,75 |1,75|1,75|1,1 | ------------------+---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| | | | | | | | | |разом | | 31 |4,85 |5,25 |5,15|4,8 |10,9| ------------------+---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| |дослідно- | 2 | 1 | | 1 | | |4) розроблення | |державний|1,52 |0,4 |0,46 |0,35|0,31| | |конструкторські| | | | | | |іонно-плазмової | |бюджет | | | | | | | |роботи | | | | | | |технології | | | | | | | | | | | | | | | | |одержання | | | | | | | | | | | | | | | | |кристалічних | | | | | | | | | | | | | | | | |плівок SiC на | | | | | | | | | | | | | | | | |кремнієвих і | | | | | | | | | ------------------+---------------+-----+----+----+----+----+----|сапфірових |-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| |технології | 1 | | 1 | | | |підкладках для | | | | | | | | | |світового | | | | | | |створення | | | | | | | | | |рівня | | | | | | |фотоперетворюючих| | | | | | | | | | | | | | | | |приладів | | | | | | | | | | | | | | | | |авіаційної і | | | | | | | | | | | | | | | | |атомної | | | | | | | | | | | | | | | | |промисловості. | | | | | | | | | | | | | | | | |Виготовлення та | | | | | | | | | | | | | | | | |натурні | | | | | | | | | | | | | | | | |випробування | | | | | | | | | | | | | | | | |макетів | | | | | | | | | ------------------+---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| | | | | | | | |ультрафіолетових | | | | | | | | | | | | | | | | |сенсорів у | | | | | | | | | | | | | | | | |широкому діапазо-| | | | | | | | | | | | | | | | |ні термічних та | | | | | | | | | | | | | | | | |радіаційних дій | | | | | | | | | ------------------+---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| Разом | | | | | | | | | | |42,18| 7,9 |8,38 |7,84|7,16|10,9| за завданням 2 | | | | | | | | | | | | | | | | | ------------------+---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| у тому числі | | | | | | | | | |державний|34,08| 6,15|6,63 |6,09|5,41|9,8 | | | | | | | | | | |бюджет | | | | | | | ------------------+---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| | | | | | | | | | |інші | 8,1 | 1,75|1,75 |1,75|1,75|1,1 | 3. Створення | | | | | | | |Національна | | | | | | | | | приладів | | | | | | | | академія | | | | | | | | | інфрачервоної | | | | | | | | наук | | | | | | | | | мікроелектроніки | | | | | | | | | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| |технології | 2 | | 1 | 1 | | |1) розроблення | |державний|1,79 |0,67 |0,75 |0,37| | | |світового рівня| | | | | | |конструкторської | | бюджет | | | | | | | | | | | | | | |документації на | | | | | | | | | | | | | | | | |виготовлення | | | | | | | | | | | | | | | | |дослідного зразка| | | | | | | | | | | | | | | | |тепловізора з | | | | | | | | | | | | | | | | |інфрачервоною | | | | | | | | | | | | | | | | |фотоприймальною | | | | | | | | | | | | | | | | |матрицею формату | | | | | | | | | | | | | | | | |128 х 128 | | | | | | | | | | | | | | | | |діапазону 3-5 мкм| | | | | | | | | | | | | | | | |з послідовним | | | | | | | | | | | | | | | | |зчитуванням | | | | | | | | | | | | | | | | |інформації. | | | | | | | | | | | | | | | | |Виготовлення | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----| |дослідного зразка| | | | | | | | | |технологічні | 2 | | 1 | 1 | | |тепловізора та | | | | | | | | | |регламенти | | | | | | |проведення його | | | | | | | | | | | | | | | | |натурних | | | | | | | | | | | | | | | | |випробувань | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----| | | | | | | | | | | |нові види | 1 | | | 1 | | | | | | | | | | | | |матеріалів | | | | | | | | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| |дослідно- | 1 | 1 | | | | |2) створення | | -"- | 1,9 |0,58 |0,58 |0,37|0,37| | |конструкторські| | | | | | |комплементарно- | | | | | | | | | |роботи | | | | | | |метал-оксид- | | | | | | | | | | | | | | | | |напівпровіднико- | | | | | | | | | | | | | | | | |вої технології | | | | | | | | | | | | | | | | |виготовлення схем| | | | | | | | | | | | | | | | |зчитування | | | | | | | | | | | | | | | | |формату 4 х 288 з| | | | | | | | | | | | | | | | |часовою затримкою| | | | | | | | | | | | | | | | |та накопиченням, | | | | | | | | | | | | | | | | |фотоприймальних | | | | | | | | | | | | | | | | |пристроїв і | | | | | | | | | | | | | | | | |тепловізора із | | | | | | | | | | | | | | | | |зміною напрямку | | | | | | | | | | | | | | | | |сканування на їх | | | | | | | | | | | | | | | | |основі для систем| | | | | | | | | | | | | | | | |пасивного | | | | | | | | | | | | | | | | |спостереження, | | | | | | | | | | | | | | | | |теплопеленгації | | | | | | | | | | | | | | | | |та моніторингу | | | | | | | | | | | | | | | | |навколишнього | | | | | | | | | | | | | | | | |природного | | | | | | | | | | | | | | | | |середовища з | | | | | | | | | | | | | | | | |параметрами, | | | | | | | | | | | | | | | | |близькими до | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----|обмежених | | | | | | | | | |технології | 2 | | | 1 | 1 | |флуктуаціями | | | | | | | | | |світового рівня| | | | | | |фонового | | | | | | | | | | | | | | | | |випромінювання | | | | | | | | | | | | | | | | |при полі зору | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |(D(л) * приблизно| | | | | | | | | | | | | | | | | 10 | | | | | | | | | | | | | | | | |8*10 см * | | | | | | | | | | | | | | | | | 1/2 -1 | | | | | | | | | | | | | | | | |Гц * Вт ) для| | | | | | | | | | | | | | | | |спектрального | | | | | | | | | | | | | | | | |діапазону | | | | | | | | | | | | | | | | |8-12 мкм. | | | | | | | | | | | | | | | | |Розроблення | | | | | | | | | | | | | | | | |конструкторської | | | | | | | | | | | | | | | | |документації, | | | | | | | | | | | | | | | | |виготовлення | | | | | | | | | | | | | | | | |тепловізора з | | | | | | | | | | | | | | | | |інфрачервоним | | | | | | | | | | | | | | | | |фотоприймачем | | | | | | | | | | | | | | | | |формату 4 х 288 | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----|та проведення | | | | | | | | | |нові види | 1 | | | | 1 | |його натурних | | | | | | | | | |приладів | | | | | | |випробувань | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| |технологічні | 1 | | | | 1 | |3) розроблення | |державний| 0,6 | | |0,3 |0,3 | | |регламенти | | | | | | |архітектури схем | | бюджет | | | | | | | | | | | | | | |зчитування та | | | | | | | | | | | | | | | | |матриць приймачів| | | | | | | | | | | | | | | | |випромінювання | | | | | | | | | | | | | | | | |формату 576 х 6, | | | | | | | | | | | | | | | | |виготовлення | | | | | | | | | | | | | | | | |дослідних зразків| | | | | | | | | | | | | | | | |схем зчитування | | | | | | | | | | | | | | | | |формату 576 х 6 | | | | | | | | | | | | | | | | |та їх атестація | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| |дослідно- | 1 | | | 1 | | |4) розроблення | | -"- |0,57 | | |0,19|0,38| | |конструкторські| | | | | | |неохолоджуваних | | | | | | | | | |роботи | | | | | | |багатоелементних | | | | | | | | | | | | | | | | |чутливих | | | | | | | | | | | | | | | | |приймачів | | | | | | | | | | | | | | | | |терагерцового | | | | | | | | | | | | | | | | |діапазону на | | | | | | | | | | | | | | | | |основі | | | | | | | | | | | | | | | | |напівпровідників | | | | | | | | | | | | | | | | | 2 6 4 6| | | | | | | | | | | | | | | | |типу A B та A B | | | | | | | | | | | | | | | | |(область спектра | | | | | | | | | | | | | | | | |0,15-8 мм) для | | | | | | | | | | | | | | | | |систем активного | | | | | | | | | | | | | | | | |бачення та | | | | | | | | | | | | | | | | |ідентифікації | | | | | | | | | | | | | | | | |вибухонебезпечних| | | | | | | | | | | | | | | | |речовин, | | | | | | | | | | | | | | | | |наркотиків, | | | | | | | | | | | | | | | | |складу | | | | | | | | | | | | | | | | |біологічних | | | | | | | | | | | | | | | | |та органічних | | | | | | | | | | | | | | | | |об'єктів. | | | | | | | | | | | | | | | | |Розроблення | | | | | | | | | | | | | | | | |конструкторської | | | | | | | | | | | | | | | | |документації на | | | | | | | | | | | | | | | | |виготовлення | | | | | | | | | | | | | | | | |лабораторних | | | | | | | | | | | | | | | | |зразків приймачів| | | | | | | | | | | | | | | | |міліметрового та | | | | | | | | | | | | | | | | |субміліметрового | | | | | | | | | | | | | | | | |діапазону спектра| | | | | | | | | | | | | | | | |на основі | | | | | | | | | | | | | | | | |неохолоджуваних | | | | | | | | | | | | | | | | |або слабо | | | | | | | | | | | | | | | | |охолоджуваних | | | | | | | | | | | | | | | | |болометрів на | | | | | | | | | | | | | | | | |гарячих носіях | | | | | | | | | | | | | | | | |для портативних | | | | | | | | | | | | | | | | |систем активного | | | | | | | | | | | | | | | | |бачення або | | | | | | | | | | | | | | | | |аналізаторів | | | | | | | | | | | | | | | | |спектра, | | | | | | | | | | | | | | | | |виготовлення | | | | | | | | | | | | | | | | |лабораторних | | | | | | | | | | | | | | | | |зразків | | | | | | | | | | | | | | | | |неохолоджуваних | | | | | | | | | | | | | | | | |багатоелементних | | | | | | | | | | | | | | | | |чутливих | | | | | | | | | | | | | | | | |приймачів | | | | | | | | | | | | | | | | |терагерцового | | | | | | | | | | | | | | | | |діапазону на | | | | | | | | | | | | | | | | |основі | | | | | | | | | | | | | | | | |напівпровідників | | | | | | | | | | | | | | | | |типу | | | | | | | | | | | | | | | | | 2 6 4 6 | | | | | | | | | | | | | | | | |A B та A B | | | | | | | | | ------------------+---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| Разом за завданням| | | | | | | | | | |4,86 |1,25 |1,33 |1,23|1,05| | 3 | | | | | | | | | | | | | | | | | ------------------+---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| у тому числі | | | | | | | | | |державний|4,86 |1,25 |1,33 |1,23|1,05| | | | | | | | | | | | бюджет | | | | | | | ------------------+---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| 4. Забезпечення | | | | | | | | |Національна| | | | | | | | розвитку | | | | | | | | | академія | | | | | | | | твердотільної | | | | | | | | | наук | | | | | | | | надвисокочастотної| | | | | | | | | | | | | | | | | електроніки | | | | | | | | | | | | | | | | | міліметрового | | | | | | | | | | | | | | | | | діапазону довжини | | | | | | | | | | | | | | | | | хвиль | | | | | | | | | | | | | | | | | ------------------+---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| |дослідно- | 2 | 1 | | 1 | | |1) розроблення і | | -"- |1,77 |0,45 |0,48 |0,45|0,39| | |конструкторські| | | | | | |впровадження у | | | | | | | | | |роботи | | | | | | |промислове | | | | | | | | | | | | | | | | |виробництво | | | | | | | | | | | | | | | | |суперпотужних | | | | | | | | | | | | | | | | |кремнієвих | | | | | | | | | | | | | | | | |лавино-пролітних | | | | | | | | | | | | | | | | |діодів восьмимі- | | | | | | | | | | | | | | | | |ліметрового | | | | | | | | | | | | | | | | |діапазону та | | | | | | | | | | | | | | | | |малогабаритної | | | | | | | | | | | | | | | | |навігаційної | | | | | | | | | | | | | | | | |апаратури на їх | | | | | | | | | | | | | | | | |основі. | | | | | | | | | | | | | | | | |Розроблення, | | | | | | | | | | | | | | | | |проектування та | | | | | | | | | | | | | | | | |виготовлення | | | | | | | | | | | | | | | | |генераторних | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----|надвисокочастот- | | | | | | | | | |технології | 1 | | | | 1 | |них модулів. | | | | | | | | | |світового рівня| | | | | | |Розроблення | | | | | | | | | | | | | | | | | |технології та | | | | | | | | | | | | | | | | |впровадження в | | | | | | | | | | | | | | | | |промислове | | | | | | | | | | | | | | | | |виробництво | | | | | | | | | | | | | | | | |параметричного | | | | | | | | | | | | | | | | | |ряду | | | | | | | | | | | | | | | | |суперпотужних (до| | | | | | | | | | | | | | | | |30 Вт) імпульсних| | | | | | | | | | | | | | | | |лавино-пролітних | | | | | | | | | | | | | | | | |діодів для | | | | | | | | | | | | | | | | |восьмиміліметро- | | | | | | | | | | | | | | | | |вого діапазону | | | | | | | | | | | | | | | | |частот для | | | | | | | | | | | | | | | | |створення | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----|новітніх систем | | | | | | | | | |технологічні | 1 | | | 1 | | |навігації. | | | | | | | | | |регламенти | | | | | | |Виготовлення | | | | | | | | | | | | | | | | |експериментальних| | | | | | | | | | | | | | | | |партій діодів в | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----|умовах | | | | | | | | | |нові види | 1 | | | | 1 | |промислового | | | | | | | | | |матеріалів | | | | | | |виробництва та | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----|випробування їх в| | | | | | | | | |нові види | 1 | | | | 1 | |апаратурі | | | | | | | | | |приладів | | | | | | |замовників | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| | | | | | | | | | | інші | 1 |0,25 |0,25 |0,25|0,25| | |---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| | | | | | | | | | разом | |2,77 | 0,7 |0,73 |0,7 |0,64| | |---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| |дослідно- | 2 | 1 | | 1 | | |2) розроблення та| |державний|1,75 |0,45 |0,47 |0,44|0,39| | |конструкторські| | | | | | |впровадження у | | бюджет | | | | | | | |роботи | | | | | | |промислове | | | | | | | | | | | | | | | | |виробництво над- | | | | | | | | | | | | | | | | |високочастотної | | | | | | | | | | | | | | | | |елементної бази | | | | | | | | | | | | | | | | |міліметрового і | | | | | | | | | | | | | | | | |терагерцевого | | | | | | | | | | | | | | | | |діапазонів та | | | | | | | | | | | | | | | | |апаратурних | | | | | | | | | | | | | | | | |модулів на основі| | | | | | | | | | | | | | | | |нових | | | | | | | | | | | | | | | | |перспективних | | | | | | | | | | | | | | | | |матеріалів типу | | | | | | | | | | | | | | | | |фосфід індію, | | | | | | | | | | | | | | | | |карбід кремнію та| | | | | | | | | | | | | | | | |структур на | | | | | | | | | | | | | | | | |основі | | | | | | | | | | | | | | | | |синтетичного | | | | | | | | | | | | | | | | |діаманта. | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----|Розроблення | | | | | | | | | |технології | 2 | | | 1 | 1 | |базових | | | | | | | | | |світового рівня| | | | | | |конструкцій | | | | | | | | | | | | | | | | |параметричного | | | | | | | | | | | | | | | | |ряду | | | | | | | | | | | | | | | | |високоефективних | | | | | | | | | | | | | | | | |InP діодів Ганна | | | | | | | | | | | | | | | | |міліметрового та | | | | | | | | | | | | | | | | |терагерцевого | | | | | | | | | | | | | | | | |діапазонів | | | | | | | | | | | | | | | | |(60-175 ГГц). | | | | | | | | | | | | | | | | |Розроблення | | | | | | | | | | | | | | | | |базової | | | | | | | | | | | | | | | | |конструкції | | | | | | | | | | | | | | | | |параметричного | | | | | | | | | | | | | | | | |ряду | | | | | | | | | | | | | | | | |високовольтних | | | | | | | | | | | | | | | | |швидкодіючих | | | | | | | | | | | | | | | | |надвисокочастот- | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----|них перемикаючих | | | | | | | | | |технологічні | 2 | | | 1 | 1 | |4H-SiC p-i-n | | | | | | | | | |регламенти | | | | | | |діодів | | | | | | | | | | | | | | | | |Розроблення | | | | | | | | | | | | | | | | |технології | | | | | | | | | | | | | | | | |виробництва | | | | | | | | | | | | | | | | |високовольтних | | | | | | | | | | | | | | | | |(до 1500 В) | | | | | | | | | | | | | | | | |швидкодіючих | | | | | | | | | | | | | | | | |(до 40 нсек) | | | | | | | | | | | | | | | | |надвисокочастот- | | | | | | | | | | | | | | | | |них перемикаючих | | | | | | | | | | | | | | | | |4H-SiC p-i-n | | | | | | | | | | | | | | | | |діодів, | | | | | | | | | | | | | | | | |призначених для | | | | | | | | | | | | | | | | |новітніх систем | | | | | | | | | | | | | | | | |зв'язку та | | | | | | | | | | | | | | | | |радіолокації, та | | | | | | | | | | | | | | | | |впровадження їх у| | | | | | | | | | | | | | | | |виробництво. | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----|Випробування | | | | | | | | | |нові види | 2 | | | 1 | 1 | |промислових | | | | | | | | | |матеріалів | | | | | | |партій 4H-SiC | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----|p-i-n діодів | | | | | | | | | |нові види | 1 | | | | 1 | |в апаратурі | | | | | | | | | |приладів | | | | | | |замовників | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| | | | | | | | | | | інші | 1 |0,25 |0,25 |0,25|0,25| | |---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| | | | | | | | | | разом | |2,75 | 0,7 |0,72 |0,69|0,64| | |---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| |технологічні | 2 | 1 | 1 | | | |3) модернізація | |державний| 0,1 |0,03 |0,07 | | | | |регламенти | | | | | | |технологічної | | бюджет | | | | | | | | | | | | | | |дільниці | | | | | | | | | | | | | | | | |піролітичних | | | | | | | | | | | | | | | | |процесів. | | | | | | | | | | | | | | | | |Модернізація | | | | | | | | | | | | | | | | |установки | | | | | | | | | | | | | | | | |осадження з | | | | | | | | | | | | | | | | |парогазової фази | | | | | | | | | | | | | | | | |при низькому | | | | | | | | | | | | | | | | |тиску (LP CVD) | | | | | | | | | | | | | | | | |"Изотрон 2М" для | | | | | | | | | | | | | | | | |нанесення | | | | | | | | | | | | | | | | |епітаксіальних | | | | | | | | | | | | | | | | |плівок SiGe та Si| | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| | | | | | | | | | | інші | 0,4 | 0,1 | 0,1 |0,1 |0,1 | | |---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| | | | | | | | | | разом | | 0,5 |0,13 |0,17 |0,1 |0,1 | | |---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| |технологічні | 1 | | | | 1 | |4) розроблення | |державний|0,25 |0,04 |0,07 |0,08|0,06| | |регламенти | | | | | | |технології | | бюджет | | | | | | | | | | | | | | |одержання шарів | | | | | | | | | | | | | | | | |SiGe та Si | | | | | | | | | | | | | | | | |методом | | | | | | | | | | | | | | | | |піролітичного | | | | | | | | | | | | | | | | |осадження при | | | | | | | | | | | | | | | | |низькому тиску | | | | | | | | | | | | | | | | |(LP CVD) для | | | | | | | | | | | | | | | | |створення | | | | | | | | | | | | | | | | |надвисокочастот- | | | | | | | | | | | | | | | | |них структур та | | | | | | | | | | | | | | | | |інтегральних схем| | | | | | | | | | | | | | | | |на основі кремнію| | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| |технологічні | 2 | 1 | | 1 | | |5) дослідження та| | -"- |0,17 |0,04 |0,03 |0,05|0,05| | |регламенти | | | | | | |удосконалення | | | | | | | | | | | | | | | | |методів | | | | | | | | | | | | | | | | |проектування | | | | | | | | | | | | | | | | |надвисокочастот- | | | | | | | | | | | | | | | | |них інтегральних | | | | | | | | | | | | | | | | |мікросхем | | | | | | | | | | | | | | | | |діапазону від | | | | | | | | | | | | | | | | |1 ГГц до 77 ГГц | | | | | | | | | | | | | | | | |на основі | | | | | | | | | | | | | | | | |технології | | | | | | | | | | | | | | | | |комплементарно- | | | | | | | | | | | | | | | | |метал-оксид- | | | | | | | | | | | | | | | | |напівпровіднико- | | | | | | | | | | | | | | | | |вої технології | | | | | | | | | |---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| |технологічні | 2 | 1 | | 1 | | |6) дослідження та| |державний| 0,2 |0,04 |0,04 |0,06|0,06| | |регламенти | | | | | | |розроблення ряду | | бюджет | | | | | | | | | | | | | | |надвисокочастот- | | | | | | | | | | | | | | | | |них інтегральних | | | | | | | | | | | | | | | | |схем | | | | | | | | | | | | | | | | |(підсилювачі, | | | | | | | | | | | | | | | | |генератори, | | | | | | | | | | | | | | | | |змішувачі та | | | | | | | | | | | | | | | | |інше) для | | | | | | | | | | | | | | | | |мобільного, | | | | | | | | | | | | | | | | |волоконно- | | | | | | | | | | | | | | | | |оптичного та | | | | | | | | | | | | | | | | |космічного | | | | | | | | | | | | | | | | |зв'язку, | | | | | | | | | | | | | | | | |супутникового | | | | | | | | | | | | | | | | |телебачення. | | | | | | | | | | | | | | | | |Виготовлення | | | | | | | | | | | | | | | | |зразків надви- | | | | | | | | | | | | | | | | |сокочастотних | | | | | | | | | | | | | | | | |інтегральних | | | | | | | | | | | | | | | | |схем та | | | | | | | | | | | | | | | | |дослідження їх | | | | | | | | | | | | | | | | |параметрів | | | | | | | | | ------------------+---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| Разом за завданням| | | | | | | | | | |6,64 |1,65 |1,76 |1,68|1,55| | 4 | | | | | | | | | | | | | | | | | ------------------+---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| у тому числі | | | | | | | | | | -"- |4,24 |1,05 |1,16 |1,08|0,95| | | | | | | | | | | |---------+-----+-----+-----+----+----+----| | | | | | | | | | | інші | 2,4 | 0,6 | 0,6 |0,6 |0,6 | | ------------------+---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| Усього за | | | | | | | | | | |90,9 |20,35|21,25|20,1|18,3|10,9| Програмою | | | | | | | | | | | | | | | | | ------------------+---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| у тому числі | | | | | | | | | |державний|69,8 |15,35|16,25|15,1|13,3|9,8 | | | | | | | | | | |бюджет | | | | | | | ------------------+---------------+-----+----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----+----| | | | | | | | | | |інші |21,1 | 5 | 5 | 5 | 5 |1,1 | -------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
{ Додаток 2 із змінами, внесеними згідно з Постановою КМ N 908
( 908-2011-п ) від 31.08.2011 }
Додаток 3до Програми
ОЧІКУВАНІ РЕЗУЛЬТАТИвиконання Державної цільової науково-технічної
програми "Розроблення і освоєння мікроелектронних
технологій, організація серійного випуску приладів
і систем на їх основі" на 2008-2011 роки
----------------------------------------------------------------------- Найменування | Найменування | Значення показників | завдання | показника |-------------------------------| | |усього| у тому числі за роками | | | |------------------------| | | |2008|2009|2010|2011|2012| ------------------+------------------+------+----+----+----+----+----| 1. Створення |дослідно- | 19 | 8 | 8 | 2 | 1 | | мікроелектронних |конструкторські | | | | | | | приладів для сфери|роботи | | | | | | | охорони здоров'я, |------------------+------+----+----+----+----+----| моніторингу |технології | 16 | 1 | 3 | 9 | 3 | | (зокрема ядерного)|світового рівня | | | | | | | навколишнього |------------------+------+----+----+----+----+----| природного |технологічні | 6 | | 1 | 1 | 4 | | середовища, |регламенти | | | | | | | запобігання |------------------+------+----+----+----+----+----| тероризму |нові види | 2 | | | 1 | 1 | | |матеріалів | | | | | | | |------------------+------+----+----+----+----+----| |нові види приладів| 4 | 1 | | 1 | 2 | | | | | | | | | | | | | | | | | | ------------------+------------------+------+----+----+----+----+----| 2. Створення |дослідно- | 8 | 4 | | 3 | | 1 | принципово нових |конструкторські | | | | | | | матеріалів, у |роботи | | | | | | | тому числі |------------------+------+----+----+----+----+----| наноматеріалів, |технології | 4 | | 2 | | 1 | 1 | компонентів для |світового рівня | | | | | | | мікроелектроніки |------------------+------+----+----+----+----+----| |технологічні | 3 | | | 1 | | 2 | |регламенти | | | | | | | |------------------+------+----+----+----+----+----| |нові види | 2 | | 1 | | 1 | | |матеріалів | | | | | | | ------------------+------------------+------+----+----+----+----+----| 3. Створення |дослідно- | 2 | 1 | | 1 | | | приладів |конструкторські | | | | | | | інфрачервоної |роботи | | | | | | | мікроелектроніки |------------------+------+----+----+----+----+----| |технології | 4 | | 1 | 2 | 1 | | |світового рівня | | | | | | | |------------------+------+----+----+----+----+----| |технологічні | 3 | | 1 | 1 | 1 | | |регламенти | | | | | | | |------------------+------+----+----+----+----+----| |нові види | 1 | | | 1 | | | |матеріалів | | | | | | | |------------------+------+----+----+----+----+----| |нові види приладів| 1 | | | | 1 | | ------------------+------------------+------+----+----+----+----+----| 4. Забезпечення |дослідно- | 4 | 2 | | 2 | | | розвитку |конструкторські | | | | | | | твердотільної |роботи | | | | | | | надвисокочастотної|------------------+------+----+----+----+----+----| електроніки |технології | 3 | | | 1 | 2 | | міліметрового |світового рівня | | | | | | | діапазону довжини |------------------+------+----+----+----+----+----| хвиль |технологічні | 10 | 3 | 1 | 4 | 2 | | |регламенти | | | | | | | |------------------+------+----+----+----+----+----| |нові види | 3 | | | 1 | 2 | | |матеріалів | | | | | | | |------------------+------+----+----+----+----+----| |нові види приладів| 2 | | | | 2 | | ------------------+------------------+------+----+----+----+----+----| Усього |дослідно- | 33 | 15 | 8 | 8 | 1 | 1 | |конструкторські | | | | | | | |роботи | | | | | | | |------------------+------+----+----+----+----+----| |технології | 27 | 2 | 5 | 12 | 7 | 1 | |світового рівня | | | | | | | |------------------+------+----+----+----+----+----| |технологічні | 22 | 3 | 3 | 7 | 7 | 2 | |регламенти | | | | | | | |------------------+------+----+----+----+----+----| |нові види | 8 | | 1 | 3 | 4 | | |матеріалів | | | | | | | ------------------+------------------+------+----+----+----+----+----| |нові види | 7 | 1 | | 1 | 5 | | |приладів | | | | | | | ----------------------------------------------------------------------
{ Додаток 3 із змінами, внесеними згідно з Постановою КМ N 908
( 908-2011-п ) від 31.08.2011 }
