КАБІНЕТ МІНІСТРІВ УКРАЇНИ
П О С Т А Н О В Авід 15 жовтня 2004 р. N 1368
Київ
Про затвердження Державної науково-технічноїпрограми розвитку мікро- та оптоелектронних
технологій на 2005-2007 роки
З метою прискорення розвитку високих наукоємних
конкурентоспроможних технологій в галузі мікро- та оптоелектроніки
Кабінет Міністрів України п о с т а н о в л я є:
1. Затвердити Державну науково-технічну програму розвитку
мікро- та оптоелектронних технологій на 2005-2007 роки, що
додається.
2. Покласти на Національну академію наук функції державного
замовника Програми, затвердженої цією постановою.
3. Затвердити керівником Програми генерального директора
науково-технологічного комплексу "Інститут монокристалів"
Національної академії наук Семиноженка В.П.
Прем'єр-міністр України В.ЯНУКОВИЧ
Інд. 28
ЗАТВЕРДЖЕНОпостановою Кабінету Міністрів України
від 15 жовтня 2004 р. N 1368
ДЕРЖАВНА НАУКОВО-ТЕХНІЧНА ПРОГРАМАрозвитку мікро- та оптоелектронних технологій
на 2005-2007 роки
1. Загальна частина
Ця Програма спрямована на реалізацію державної стратегії
відродження і підтримки вітчизняного виробництва та розвитку
високих наукоємних конкурентоспроможних технологій у галузях
промисловості, зокрема електронній, виробництва транспортних
засобів, машино- і приладобудування, засобів систем інформації,
енергозберігаючих технологій на основі функціональної силової
електроніки тощо як найважливішої умови підвищення добробуту
населення та досягнення Україною статусу розвинутої країни
відповідно до Програми діяльності Кабінету Міністрів України
( n0001120-03 ), схваленої постановою Верховної Ради України від
17 квітня 2004 р. N 729 ( 729-15 ).
У сучасній економіці розвинутих країн основоположними є
наукоємні виробництва, серед яких провідне місце займає електронна
промисловість.
Надвисокочастотна, мікро- та оптоелектроніка має стратегічне
значення для економіки України, оскільки вона визначає технічний
рівень промислової і побутової продукції, її
конкурентоспроможність, стимулює розвиток сучасних інформаційних
систем, засобів зв'язку, будівництво цивільних та військових
літаків тощо. Обороноздатність країни також потребує високого
рівня самозабезпечення електронною елементною базою військової
техніки, де використання зарубіжної електроніки неприпустиме. Усе
це свідчить про виключну важливість для майбутнього України
інтенсифікації процесів розвитку електронної галузі, які за
останнє десятиліття уповільнилися, та потребує вирішення завдань
прискореного розвитку галузі, зміцнення економічної і
технологічної незалежності.
2. Мета і основні завдання
Метою Програми є налагодження вітчизняного виробництва
наукоємного електронного технологічного обладнання та сучасної
електронної компонентної бази (далі - електронна база),
забезпечення пріоритетного розвитку мікроелектроніки,
мікромеханізації, квантової, нано-, акусто-, опто-,
магнітоелектроніки, надвисокочастотної та інфрачервоної техніки,
радіаційно стійкої електронної бази.
Основними завданнями Програми є:
розроблення та прискорене впровадження наукоємних технологій,
налагодження на цій основі виробництва конкурентоспроможного
електронного технологічного обладнання і сучасної електронної
компонентної бази новітнього покоління;
налагодження виробництва високоефективних джерел світла;
забезпечення необхідного функціонального і технологічного
рівня електронної бази за рахунок використання прикладних розробок
вітчизняної науки;
розроблення мікро- та оптоелектронних компонентів і приладів
для сфери охорони здоров'я, моніторингу навколишнього середовища,
запобігання тероризму;
забезпечення розвитку конкурентоспроможних напрямів
твердотільної надвисокочастотної електроніки міліметрового
діапазону.
З метою виконання Програми розроблено заходи, що додаються.
3. Фінансове забезпечення
Фінансування Програми здійснюється за рахунок коштів
державного бюджету, а також інших джерел.
Загальний обсяг коштів на фінансування Програми становить
59,36 млн гривень, з них з державного бюджету - 56,71 млн гривень,
зокрема у 2005 році - 21,54 млн гривень, 2006 році - 20,795 млн,
2007 році - 14,375 млн, з інших джерел - 2,65 млн гривень.
4. Організаційне забезпечення
З метою забезпечення ефективного виконання Програми
Національна академія наук як державний замовник здійснює такі
заходи:
укладає договори з виконавцями, передбаченими Програмою;
здійснює контроль за виконанням заходів Програми в
установлені строки, досягненням передбачених цільових показників,
використанням фінансових, матеріально-технічних та інших ресурсів
за призначенням;
подає щороку до 1 березня Кабінетові Міністрів України
інформацію про хід виконання Програми, а після закінчення строку
її виконання - заключний звіт про одержані результати.
Виконавцями заходів Програми є інститути Національної
академії наук.
5. Очікувані результати
У результаті виконання Програми очікується:
1) розробка мікро- та оптоелектронних компонентів і приладів
для потреб охорони здоров'я, моніторингу зовнішнього середовища,
запобігання тероризму, зокрема:
інтегрованих електронних пристроїв для вимірювання потужності
дози та інтегральної поглиненої дози ультрафіолетового
випромінювання в діапазонах A та B, потужності дози в діапазоні C
(стерилізація біопрепаратів і медичного інструменту), а також для
визначення сонцезахисного фактора (SPF) різних видів тканин і
косметичних засобів;
технологій одержання багатоелементних p- і n- фотодіодів
(16-, 32- та 64-канальних) для лінійок детекторів у рентгенівських
інспекційних сканерах;
технологій одержання фотодіодних багатоелементних структур з
розміром пікселя 200-250 мкм, інтегрованою електронікою і
комутатором для лінійок детекторів з поліпшеним просторовим
розрізненням;
детекторів радіації на фотодіодних структурах різного
призначення, а саме: для використання в діапазонах енергій від
30 кеВ до 10 МеВ, контролю багажу, вантажу, легких і важких
автомобілів, морських і авіаційних контейнерів; освоєння
дослідно-промислового виробництва таких детекторів з параметрами,
що перевищують світовий рівень;
енергоселективних сенсорів для екологічного і промислового
моніторингу тритію та сенсорів ультрафіолетової радіації нового
покоління з експлуатаційними параметрами, що відповідають
сучасному рівню світових досягнень;
технологій одержання p- i n- структури на різних типах
кремнієвих кристалів;
організаційних передумов для налагодження промислового
виробництва ультрафіолетових дозиметрів для застосування в
медичних закладах та населенням;
2) створення електронної бази для інфрачервоної
мікрофотоелектроніки, зокрема:
багатоелементних та матричних гібридних інфрачервоних
фотоприймальних пристроїв, які складаються з матриць фоточутливих
елементів для детектування інфрачервоного випромінювання та
кремнієвих фокальних мікропроцесорів, для зчитування та обробки
сигналів у фокальній площині;
технологій виготовлення основних функціональних елементів
фотоприймальних пристроїв (охолоджуваних фотодіодних та
неохолоджуваних мікроболометричних матриць, кремнієвих фокальних
процесорів (пристроїв зчитування інформації), допоміжних приладів
і пристроїв);
методів аналізу функціонування та побудови багатоелементних і
матричних фотоприймальних пристроїв;
приладів та засобів метрології багатоелементних
фотоприймальних пристроїв;
3) налагодження виробництва високоефективних
напівпровідникових джерел світла, зокрема:
удосконалення технології вирощування сапфіру для потреб
оптоелектроніки;
впровадження технологій виготовлення сапфірових підкладок з
необхідною якістю поверхні;
розроблення технологій та організація виробництва ефективних
світлодіодів;
створення високоефективних інфрачервоних випромінювачів,
повністю сумісних з кремнієвою технологією;
4) забезпечення розвитку конкурентоспроможних напрямів
твердотільної надвисокочастотної електроніки міліметрового
діапазону довжин хвиль шляхом:
збільшення довговічності приладів у десятки разів, що
дозволить збільшити час активної експлуатації штучних супутників
Землі;
поліпшення якості спектра генеруючих коливань;
створення єдиної сучасної системи метрології і стандартизації
в електроніці;
оснащення підприємств та науково-дослідних установ необхідним
фізико-хімічним аналітичним обладнанням, розвитку їхньої
діагностичної бази;
створення центрів фізико-хімічних методів діагностики
загального користування;
розвитку діагностичних методів, які будуть забезпечувати
вимірювання структурних, оптичних та електрофізичних параметрів
вихідних матеріалів електронної техніки;
налагодження виробництва надвисокочастотної елементної бази
міліметрового діапазону (дискретні елементи) для новітніх
малогабаритних і недорогих систем радіолокації, навігації,
зв'язку, радарних сенсорів, медичної та наукової апаратури.
6. Контроль за виконанням
Контроль за виконанням Програми здійснює Кабінет Міністрів
України шляхом розгляду щорічних і заключного звітів та
узагальненого висновку про кінцеві результати виконання Програми.
Безпосередній контроль за виконанням заходів Програми,
ефективним та цільовим використанням коштів її виконавцями
здійснює Національна академія наук.
Додатокщодо розвитку мікро- та оптоелектронних
технологій на 2005-2007 роки
(тис. гривень)------------------------------------------------------------------ Зміст заходу | Виконавці |Обсяг | У тому числі | |фінан- | з державного | |сування|бюджету за роками | | |----------------- | | | 2005| 2006| 2007 ------------------------------------------------------------------ I. Оптоелектронні пристрої для сфери охорониздоров'я, моніторингу навколишнього середовища
і запобігання тероризму
1. Розробка Інститут 450 200 200
енергоселективних сцинтиля-
сенсорів ційних
ультрафіолетової матеріалів
радіації нового
покоління на сполуках Інститут 420 200 200
A(в ступ. 2)B(в мікроприладів
ступ. 6) з
експлуатаційними
параметрами, що
відповідають сучасному
рівню світових
досягнень
2. Створення інтегрованих -"- 450 100 200 100
електронних пристроїв для виміру потужності 440 150 100 150 дози та інтегральної поглиненої дози ультрафіолетового випромінювання в діапазоні A та B, потужності дози в діапазоні C
3. Підготовка до -"- 250 100 50 50
організації промислового 340 150 50 100 виробництва ультрафіолетових дозиметрів для застосування в медичних закладах і населенням
4. Відпрацювання -"- 750 400 150 150
технології одержання p- i n- структур на основі різних за типом кремнієвих кристалів
Розроблення технології -"- 750 300 200 200 виробництва p- i n- фотодіодів з параметрами, що не поступаються зарубіжним аналогам
5. Розроблення технології -"- 750 300 200 200
одержання багатоелементних p- і n- 750 400 100 200 фотодіодів (16-, 32- та 64-канальних) для лінійок детекторів, придатних до застосування у рентгенівських інспекційних сканерах
6. Розроблення технології -"- 650 200 200 200
одержання фотодіодних багатоелементних 650 300 200 100 структур із кроком 200-250 мкм з інтегрованою електронікою і комутаторами для лінійок детекторів з поліпшеним просторовим розрізненням
7. Створення детекторів Інститут 2150 1000 500 500
радіації на сцинтиля- фотодіодних структурах ційних у діапазоні енергій матеріалів від 30 кеВ до 8-10 МеВ для контролю багажу, морських та авіаційних контейнерів, легкових та вантажних автомобілів. Освоєння дослідно-промислового виробництва детекторів
8. Розробка Інститут 2150 1000 500 500
енергоселективних мікроприладів сенсорів для екологічного і промислового моніторингу тритію, що відповідають сучасному світовому рівню
II. Інфрачервона мікрофотоелектроніка
1. Створення діодних Інститут 250 80 90 80
p- i n- структур фізики у вузькозонному напів- напівпровідниковому провідників матеріалі ртуть-кадмій-телур Інститут 450 150 150 150 методом іонної мікроприладів імплантації
2. Розрахунок профілів Інститут 50 20 15 15
розподілу іонів, фізики імплантованих у плівки напів- кадмій-ртуть-телур та провідників кадмій-телур (аргон, водень, гелій, бор, неон)
3. Дослідження процесів -"- 50 20 15 15
аморфізації захисного шару кадмій-телур та впливу аморфізації на характеристики діодів
4. Формування -"- 50 20 15 15
р(в ступ.+)-шарів в епітаксійних плівках кадмій-ртуть-телур шляхом імплантації іонів B(в ступ. +). Оптимізація режимів імплантації та відпалу
5. Дослідження -"- 50 20 15 15
деградаційних процесів електричних характеристик структур у природних умовах та під дією зовнішнього впливу акустичних навантажень у структурах кадмій-ртуть-телур, сформованих шляхом іонного травлення та іонної імплантації
6. Відпрацювання Інститут 50 20 15 15
технології нанесення фізики пасиваційних покриттів напів- кадмій-телур на провідників поверхню фотоприймачів на основі кадмій-ртуть-телур. Розробка Інститут 200 60 70 70 апаратно-технічного мікроприладів рішення введення ультразвуку в активну зону установки "гаряча стінка"
7. Математичне Інститут 50 20 15 15
моделювання росту фізики пасиваційних покриттів напів- на епітаксійні провідників структури для інфрачервоної фотоелектроніки
8. Розробка нових бром- -"- 50 20 15 15
та йодвиділяючих травильних композицій для хімічного полірування напівпровідникових матеріалів інфрачервоної техніки та створення нових композицій для пасивації їх поверхні
9. Вибір компонентів -"- 50 20 15 15
травників, підбір їх співвідношення, оптимізація складів селективних травників та технологічних режимів травлення, розроблення методики визначення густини дислокацій тонких шарів твердих розчинів Cd Hg Tex 1-x
10. Відпрацювання Інститут 50 20 15 15
методики пасивації фізики поверхні твердих напів- розчинів провідників Cd Hg Tex 1-x
в різних сульфідних
сумішах
11. Розроблення Інститут 50 20 15 15
технології фізики виготовлення напів- неохолоджуваних провідників фоточутливих структур - Інститут 150 50 50 50 мікроболометричних мікроприладів матриць на основі кремнію
12. Розроблення Інститут 550 180 190 180
архітектури та мікроприладів елементної бази для побудови схем зчитування та дослідження їх фізико-технічних характеристик
13. Розроблення -"- 400 130 130 140
технології виготовлення схем зчитування. Опрацювання технологічних режимів та маршруту виготовлення кремнієвих фокальних процесорів на базі КМОН-технології з проектними нормами не гірше 1,6 мкм, розробка нестандартного технологічного обладнання
14. Виготовлення дослідних -"- 400 130 130 140
зразків кремнієвих схем зчитування для матричних та лінійчастих багатоелементних інфрачервоних фотоприймачів, виготовлення нестандартного технологічного обладнання. Розроблення методик тестування та обладнання для тестування параметрів схем зчитування
15. Виготовлення -"- 350 110 120 120
обладнання для тестування схем зчитування та його метрологічна атестація
16. Дослідження -"- 200 65 70 65
характеристик та випробування розроблених схем зчитування
17. Дослідження Інститут 250 70 80 70
характеристик схем фізики зчитування при низьких напів- та наднизьких провідників температурах
18. Дослідження -"- 300 100 100 100
характеристик та випробування схем зчитування, гібридизованих з масивом фотоелементів
19. Розробка методів -"- 200 70 70 60
обробки сигналів з великого масиву фоточутливих елементів та створення алгоритмів побудови інфрачервоних зображень
20. Створення контактів до Інститут 50 15 20 15
епітаксійних шарів фізики кадмій-ртуть-телур. напів-провідників
Формування Інститут 250 80 80 90 багатошарових мікроприладів електричних контактів до лінійок фогоприймачів на основі HgCdTe та методом вакуумного напилення
21. Відпрацювання Інститут 50 15 20 15
технології створення фізики індієвих стовпчиків на напів- схемах зчитування і провідників лінійках фотоприймачів
22. Відпрацювання -"- 50 15 20 15
технології гібридизації лінійок фотоприймачів на структурах кадмій-ртуть-телур з кремнієвими схемами зчитування
23. Удосконалення -"- 100 30 40 30
лабораторного устаткування для виконання операції гібридизації, створення нових вузлів апаратури інфрачервоного діапазону
24. Відпрацювання операцій -"- 50 15 20 15
виготовлення невипрямляючих контактів і з'єднання фрагментів напівпровідникової мікроелектроніки та інфрачервоної оптики мікродротом (Au, Al)
25. Відпрацювання -"- 50 15 20 15
технології виготовлення сапфірових підкладок з токопровідними доріжками
26. Розробка та аналіз Інститут 50 15 20 15
ефективності та фізики надійності клеєвих напів- композицій для провідників кріогенних температурІнститут 50 15 20 15
мікроприладів
27. Розроблення технології Інститут 150 50 50 50
та створення робочого фізики місця оператора для напів- виконання операцій провідників збирання фоточутливих матриць у кріостат
28. Удосконалення існуючих -"- 50 15 20 15
та розробка нових зразків оптичних кріостатів з германієвим вхідним вікном та діафрагмою
29. Розробка нових Інститут 50 15 20 15
фізико-технологічних фізики рішень виготовлення напів- інфрачервоних провідників фотоприймальних Інститут пристроїв, пов'язаних мікроприладів з удосконаленням технологій збирання, 250 90 80 80 кріплення, розробкою охолоджуваних інтерференційних фільтрів
30. Розробка -"- 100 30 40 30
метрологічного забезпечення, вимірювання електричних параметрів схем зчитування 150 50 50 50 інформації з багатоелементних фотодетекторів
31. Розробка Інститут 100 30 40 30
метрологічного фізики забезпечення, напів- вимірювання провідників фотоелектричних параметрів багатоелементних фотоприймачів інфрачервоного діапазону
32. Виготовлення Інститут 200 70 70 60
автоматизованого фізики високоточного напів- вимірювального провідників комплексу для проведення Інститут 100 30 40 30 метрологічної мікроприладів атестації електричних та фотоелектричних параметрів схем зчитування, багатоелементних фотодіодних лінійок та фотоприймальних пристроїв
33. Дослідження шумів Інститут 100 30 40 30
багатоелементних фізики інфрачервоних напів- фотоприймачів та провідників тепловізорів на їх основі. Розроблення методик вимірювання та апаратно-програмного заглушення шумів
34. Розробка високоточної -"- 200 70 70 60
апаратури та метрологічного забезпечення для проведення вимірювань виявної здатності та температури, еквівалентної шумам фотоприймальних пристроїв інфрачервоного діапазону
35. Створення та атестація -"- 200 70 70 60
метрологічного центру з вимірювання параметрів інфрачервоних фотоприймачів
36. Аналіз впливу донорних -"- 100 30 40 30
домішок різної хімічної природи на оптичні та електричні характеристики кристалів оптичного германію. Проведення контрольних вимірів параметрів зразків
37. Дослідження об'ємного -"- 100 30 40 30
розподілу донорних домішок у кристалах оптичного германію великої площини (діаметром до 230 мм). Одержання однорідних кристалів таких розмірів
38. Відпрацювання та Інститут 500 100 100 300
оптимізація фізики технологічного напів- маршруту та окремих провідників процесів виготовлення функціональних Інститут 400 150 150 100 елементів та мікроприладів фотоприймальних пристроїв у цілому на основі охолоджуваних діодних і неохолоджуваних мікроболометричних матриць
III. Виробництво високоефективнихелектролюмінісцентних джерел світла
1. Доопрацювання Інститут 9000 4500 4500
конструкції та монокристалів
виготовлення
18 ростових установок
типу "Горизонт 2М" для
вирощування кристалів
сапфіра для
оптоелектроніки
2. Проведення робіт з -"- 2000 600 600 700
інженерно-технічного забезпечення нової ділянки для вирощування кристалів сапфіра
3. Проведення -"- 900 450 450
пусконалагоджувальних робіт 18 ростових установок типу "Горизонт 2М"
4. Розроблення та -"- 600 250 250
впровадження у дослідно-промислове виробництво високорентабельної технології вирощування кристалів оптичного сапфіра в захисному газовому середовищі аргону
5. Доопрацювання та -"- 450 200 200
впровадження у виробництво технології одержання сировини високої чистоти (Al O >(-) 99,96%) з2 3 металургійного глинозему з використанням операції попереднього його проплавлення в умовах інтенсивної конвекції розплаву
6. Організація серійного -"- 450 140 140 120
випуску сапфіру для оптоелектроніки, придатного для виготовлення сапфірових підкладок діаметром до 6 дюймів
7. Розробка, виготовлення -"- 5000 2000 2000 1000
та закупівля високопродуктивного обладнання для різання, шліфування, полірування та контролю якості сапфірових підкладок для оптоелектроніки
8. Розроблення та -"- 450 200 200
впровадження у
виробництво технології
виготовлення
сапфірових підкладок
з необхідною якістю
поверхні
9. Розроблення та -"- 350 150 150
впровадження у
виробництво методики
корекції структурних
та оптичних
властивостей
сапфірових підкладок
(безградієнтний
високотемпературний
відпал у газовому
середовищі з керованим
відновним потенціалом)
10. Розроблення та -"- 300 150 150
впровадження лазерних
методів обробки та
маркування сапфірових
елементів
11. Розроблення Інститут 5400 2000 1500 1500
конкурентоспроможної мікроприладів технології та обладнання для світлодіодів і інтегральних оптоелектронних пристроїв на їх основі, дослідження ефективних перехідних шарів та організація виробництва гетероструктур світлодіодів
12. Відновлення кремнієвої -"- 1100 300 400 300
технології КМОН інтегральних схем на базі дослідного виробництва кристалів інституту мікроприладів НТК "Інститут монокристалів"
13. Розвиток сумісних з Інститут
кремнієвими мікроприладів
технологіями
інтегральних
технологій
світловипромінювальних
пристроїв:
дослідження процесів -"- 2000 400 800 800 епітаксії гетероструктур на основі матеріалів A(в ступ. 3)B(в ступ. 5), які інтегруються з елементами на кремнії
розроблення технології -"- 2500 900 800 800 та схемотехніки оптоелектронних інтегральних схем на Si/A(в ступ. 3)B(в ступ. 5)
створення дільниць -"- 2000 400 800 800 Si/A(в ступ. 3)B(в ступ. 5) твердотільних джерел білого світла з мікропроцесорним керуванням
IV. Напівпровідникова надвисокочастотна електронікаміліметрового діапазону довжин хвиль
1. Розробка конструкцій, Інститут 1070 300 300 300
модернізація фізики технології та напів- організація провідників виробництва параметричного ряду лавинопролітних діодів для діапазону частот 30...140 ГГц
2. Розробка конструкцій, -"- 880 250 300 300
модернізація технології та організація виробництва діодів Ганна для діапазону частот 30...100 ГГц
3. Розроблення та -"- 630 180 180 190
впровадження у виробництво технології виготовлення параметричного ряду перемикаючих p- i n- діодів для діапазону 1...100 ГГц
4. Розробка та -"- 900 270 270 260
впровадження у виробництво передавально- приймальних модулів для автомобільних радарних сенсорів у діапазоні частот 77...78 ГГц на основі кремнієвих технологій
5. Розробка та -"- 950 350 300 300
впровадження у виробництво малогабаритних передавально- приймальних модулів імпульсного режиму роботи 8-мм діапазону з вихідною потужністю 50...150 Вт для малогабаритних корабельних та вертолітних радарних систем
6. Розробка та -"- 950 250 250 250
впровадження у виробництво передавально- приймальних модулів 3-мм діапазону на основі кремнієвих технологій для супершвидкісних радіорелейних систем зв'язку (P = 20...40 мВт)
7. Розроблення та -"- 150 50 50 50
впровадження у виробництво іонно-плазмових технологій легування напівпровідників
8. Розроблення та Інститут 200 60 60 70
впровадження у фізики виробництво напів- плазмохімічних та провідників іонно-плазмових методів травлення Інститут 50 20 15 15 напівпровідників ядернихдосліджень
9. Розроблення та Інститут 300 100 100 100
впровадження у фізики виробництво напів- іонно-плазмових провідників технологій формування високостабільних контактних систем та діелектричних шарів
10. Модернізація існуючої Інститут 410 200 150
технологічної бази для мікроприладів
забезпечення розробки
та виготовлення
кремнієвих
інтегральних
надвисокочастотних
структур та схем
11. Дослідження, розробка -"- 490 200 150 100
та впровадження
молекулярно-променевої
епітаксії
гетероструктур на
основі кремнію для
створення
надвисокочастотних
інтегральних
структур та схем
12. Дослідження і -"- 1280 300 400 500
розроблення технології МОС-гідридної та молекулярно-променевої епітаксії арсеніду галію та твердих розчинів A(в ступ. 3)B(в ступ. 5), виробництво епітаксійних структур для надвисокочастотних приладів
__________________________
Усього за роками 21540 20795 14375
Разом 59360
